Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип корпуса	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Iпр. имп. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Напряжение стабилизации	Тип корпуса стабилитрона	Напряжение пробоя	Конструкция диода

Стабилитрон 2С107А ОС

#16529

28777

СНГ

—

12 грн.

50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.
250+	9 грн.

—

Основные технические параметры стабилитрона 2С107А: • Номинальное напряжение стабилизации: 0.7 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,34 %/°С; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 120 мА; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

1V3

kd-8

—

Транзистор КТ602А

#16535

28784

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс.

—

КТЮ-3-9

Биполярный

DIP

—

NPN

2.8Вт

100шт.

100В

500мА

150МГц

—

P6KE250CA, Защитный диод двунаправленный, 600Вт, 250В

#16601

28850

VISHAY

—

4 грн.

10+	3,80 грн.
30+	3,60 грн.
50+	3,20 грн.

—

0.4

—

DIP

DO-15

—

Защитный

—

600Вт

1000шт.

—

250V

—

1.5KE440CA, Защитный диод двунаправленный, 1500Вт, 440В

#16604

28883

VISHAY

—

9 грн.

10+	8,55 грн.
30+	8,10 грн.
50+	7,20 грн.

—

1.5KW series transient voltage supressors

1.1

—

DIP

DO-201AD

—

Защитный

—

1.5кВт

200шт.

—

440V

—

Диод Д220А

#16627

28865

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д220А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 70 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 0,5 А; • Сд - Общая емкость: 15 пФ при Uoбp 5 В; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 70 В.

0.3

—

DIP

D104

70V

50mA

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Транзистор КТ816Г

#16628

28866

СНГ

—

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

—

Транзистор КТ816Г кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный.

0.7

—

TO126

Биполярный

DIP

—

PNP

25Вт

200шт.

100В

3А

3МГц

—

Микросхема ATECC608A-SSHDA-T

#16736

28983

MICROCHIP TECHNOLOGY

—

45 грн.

10+	42,75 грн.
50+	40,50 грн.
100+	36 грн.

—

0.25

SOIC-8

—

SMD

—

Интерфейсы

—

4000шт.

—

Тиристор 2У101А (=КУ101А)

#16883

29129

СНГ

—

10 грн.

—

Тиристоры кремниевые 2У101А, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Основные технические параметры тиристора 2У101А: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 10 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс; • Время включения: 2 мкс; • Время выключения: 35 мкс.

1.8

—

DIP

—

50V

—

100шт.

—

Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)

#16887

29134

СНГ

—

14 грн.

10+	13,30 грн.
50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.

—

Биполярный германиевый транзистор 1Т311Д, n-p-n, малой мощности, сверхвысокой частоты.

1.2

—

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

100шт.

12В

50мА

300МГц

180

—

Транзистор 2Т608Б (=КТ608Б)

#16891

29138

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Транзисторы 2Т608Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах.

1.5

—

КТЮ-3-6

Биполярный

DIP

—

NPN

500мВт

100шт.

60В

400мА

200МГц

160

—

Транзистор 2Т608А (=КТ608А)

#16892

29139

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора 2Т608А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25...80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

500мВт

100шт.

60В

400мА

200МГц

—

Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)

#16925

29172

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Транзистор 1Т403Г германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

45В

1,25А

—

150

—

Транзистор П303А

#16927

29174

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Транзисторы П303А кремниевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.

9.2

—

Биполярный

DIP

—

PNP

10Вт

50шт.

65В

500мА

0,1МГц

—

Транзистор П608А

#16948

29195

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 90 МГц.

9.2

—

Биполярный

DIP

—

PNP

1.5Вт

50шт.

30В

600мА

90МГц

240

—

Диодный мост DB207

#17053

29303

SEP

—

4 грн.

10+	3,60 грн.
50+	3,20 грн.
100+	3 грн.

—

Диодный мост 1000V, 2A.

0.4

—

SMD

—

1000V

—

50шт.

—

Микросхема STM32L431CCU6TR

#17115

29364

ST MICROELECTRONICS

—

140 грн.

10+	133 грн.
50+	126 грн.
100+	112 грн.

—

0.39

UFQFN-48

—

SMD

—

Микроконтроллеры

—

2500шт.

—