Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
Диод Д9И
#16176
|
28420 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода Д9И: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 30 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 120 мкА при Uoбp 100 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | 100V | 30mA | — | Детекторный | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод Д9Ж
#16177
|
28451 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода Д9Ж: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 15 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 50 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | 50V | 15mA | — | Детекторный | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод BY550-400
#16180
|
28454 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | — |
5 грн.
|
|
— | 0.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 400V | 5A | — | Быстрый | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Диод BY550-600
#16181
|
28455 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | — |
6 грн.
|
|
— | 0.6 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 600V | 5A | — | Быстрый | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Транзистор П203Э
#16184
|
28428 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Характеристики транзистора П203Э: Структура P-N-P Uк-э.макс. 55В Uк-б.макс. 70В Iк.макс. (постоянный) 2А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 200КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 10Вт | 50шт. | 55В | 2А | 0,2МГц | 100 | — | — | — | |||||||
Диод КД202Р
#16185
|
28430 | СНГ | — |
9 грн.
|
|
— | Диоды КД202Р кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 5,2 г, с комплектующими деталями не более 7 г. Тип корпуса: КДЮ-11-2. Технические условия: УЖ3.362.035 ТУ. Основные технические характеристики диода КД202Р: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 600 В | 5.2 | — | — | — | Винт | КД-11 | 600V | 5A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод Д243
#16187
|
28432 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода Д243: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 200 В. | 13 | — | — | — | Винт | — | 200V | 10A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод Д247
#16189
|
28434 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода Д247: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 500 В. | 13 | — | — | — | Винт | КДЮ-11 | 500V | 10A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод 2Д206А
#16194
|
28440 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода 2Д206А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 700 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 мкс. | 5.7 | — | — | — | Винт | КД-11 | 400V | 5A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод лавинный ДЛ112-25-12
#16202
|
28448 | СНГ | — |
90 грн.
|
|
— | 6 | — | — | — | Охладитель | — | 1200V | 25A | — | Лавинный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон КС191С
#16204
|
28450 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Стабилитроны КС191С кремниевые, эпитаксиальные, малой мощности, прецизионные, класса 0,02. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 9,1 В в диапазоне токов стабилизации 3...20 мА с высокими требованиями к стабильности напряжения. Основные технические параметры стабилитрона КС191С: • Номинальное напряжение стабилизации: 9,1 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 8,65... 9,55 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,005 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±0,02 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 20 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,2 Вт. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V1 | kd-8 | — | |||||||
Диод Д226В
#16206
|
28422 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода Д226В: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 300 В. | 2 | — | — | — | DIP | КД-8 | 300V | 300mA | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод 1602А (=Д7Г)
#16208
|
28424 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики диода 1602А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 2,4 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,5 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 200 В. | 2 | — | — | — | DIP | КД-8 | 200V | 300mA | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
| 28485 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | 4-разрядный двухвходовый регистр. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КП934Б
#16244
|
28490 | СНГ | — |
36 грн.
|
|
— | Транзистор КП934Б кремниевый планарный полевой со статической индукцией и каналом n-типа. | 17 | — | TO3 | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 300В | 10А | 40Вт | 10шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор ГТ906А
#16252
|
28499 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Основные технические характеристики транзистора ГТ906А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс. | 3.5 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 15Вт | 100шт. | 75В | 10А | 30МГц | 150 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ827Б
#16253
|
28500 | СНГ | — |
100 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ827Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. | 15 | — | TO3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | — | 40шт. | 80В | 20А | 4МГц | 750 | — | — | — | |||||||
Тиристор КУ202Н
#16257
|
28504 | СНГ | — |
30 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые КУ202Н планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. | 11 | — | — | — | Винт | — | 400V | 10A | — | — | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор BSZ160N10NS3 G
#16259
|
28507 | INFINEON TECHNOLOGIES | — |
50 грн.
|
|
— | 0.1 | — | TSDSON-8 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 100В | 40А | 63Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К547КП1Б
#16288
|
28535 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Четырехканальный переключатель. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема К547КП1Г
#16289
|
28536 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Четырехканальный переключатель. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема К157ХА1Б
#16290
|
28537 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Усилитель высокой частоты с преобразователем. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Радиоприем | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема КМ573РФ2
#16291
|
28538 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Запоминающее устройство емкостью 16 кбит (2к х 8) с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации. | 6.5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | Память | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема КР525ПС1А
#16410
|
28657 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Умножитель/делитель КР525ПС1А (Квазар-ИС) 4-х квадратный аналог. перемножитель сигналов (AD532), DIP14 Характеристики: 1. Погрешность перемножения при внешней настройке: 2% 2. Нелинейность перемножения по входам X и Y: 2% 3. Остаточное напряжение по входу X: 50 мВ 4. Остаточное напряжение по входу Y: 100 мВ 5. ЭДС смещения по входам X и Y: 500 мВ 6. Максимальное выходное дифференциальное напряжение: ±12 В 7. Максимальное синфазное напряжение на входах X и Y: ±11,5 К 8. Ток потребления: 4,6 мА 9. Входящий ток по входам X и Y: 8 мкА 10. Разница входных токов по входам X и Y: 1 мкА 11. Разница выходных токов: 50 мкА. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | АЦП | — | — | — | — | — | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ817Г
#16465
|
28712 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Транзистор КТ817Г кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 100В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | |||||||
Транзистор ГТ321Д
#16470
|
28720 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ321Д германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 45В | 200мА | 60МГц | 120 | — | — | — | |||||||
Транзистор ГТ321Е
#16471
|
28721 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ321Е германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 45В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | |||||||
Транзистор ГТ321Г
#16472
|
28722 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ321Г германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 45В | 200мА | 60МГц | 60 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ321В
#16476
|
28725 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ321В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | |||||||
Оптотиристор ТО125-12,5-10
#16481
|
28730 | СНГ | — |
170 грн.
|
— | Тиристор ТО125-12.5-10 оптронный, низкочастотный, кремниевый, диффузионный, структуры p-n-p-n, фланцевого исполнения. Предназначен для работы в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц и силе тока не более 12,5 А. Состоит из кремниевого фототиристора и арсенид-галлиевого излучающего диода и имеет связь цепи управления с силовой цепью только с помощью светового луча при отсутствии гальванической связи. | 17 | — | — | — | DIP | — | 1000V | 12.5А | — | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — |
