Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип корпуса	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Напряжение сток-исток	Ток стока	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Напряжение стабилизации	Тип корпуса стабилитрона	Конструкция диода

Диод Д9Ж

#16177

28451

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д9Ж: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 15 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 50 В.

0.3

—

DIP

—

50V

15mA

—

Детекторный

—

200шт.

—

одиночный

Диод BY550-400

#16180

28454

DIOTEC SEMICONDUCTOR

—

5 грн.

100+	4,50 грн.
200+	4 грн.
500+	3,50 грн.

—

0.6

—

DIP

DO-201AD

400V

—

Быстрый

—

1000шт.

—

одиночный

Диод BY550-600

#16181

28455

DIOTEC SEMICONDUCTOR

—

6 грн.

100+	5,40 грн.
200+	4,80 грн.
500+	4,20 грн.

—

0.6

—

DIP

DO-201AD

600V

—

Быстрый

—

1000шт.

—

одиночный

Транзистор П203Э

#16184

28428

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Характеристики транзистора П203Э: Структура P-N-P Uк-э.макс. 55В Uк-б.макс. 70В Iк.макс. (постоянный) 2А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 200КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

—

10Вт

50шт.

55В

2А

0,2МГц

100

—

Диод КД202Р

#16185

28430

СНГ

—

9 грн.

50+	8,10 грн.
200+	7,20 грн.
500+	6,30 грн.

—

Диоды КД202Р кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 5,2 г, с комплектующими деталями не более 7 г. Тип корпуса: КДЮ-11-2. Технические условия: УЖ3.362.035 ТУ. Основные технические характеристики диода КД202Р: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 600 В

5.2

—

Винт

КД-11

600V

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Диод Д243

#16187

28432

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д243: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 200 В.

—

Винт

—

200V

10A

—

Выпрямительный

—

50шт.

—

одиночный

Диод 2Д206А

#16194

28440

СНГ

—

25 грн.

50+	22,50 грн.
200+	20 грн.
500+	17,50 грн.

—

Основные технические характеристики диода 2Д206А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 700 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 мкс.

5.7

—

Винт

КД-11

400V

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Диод лавинный ДЛ112-25-12

#16202

28448

СНГ

—

90 грн.

50+	81 грн.
200+	72 грн.
500+	63 грн.

—

Охладитель

—

1200V

25A

—

Лавинный

—

Стабилитрон КС191С

#16204

28450

СНГ

—

14 грн.

50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.
250+	10,50 грн.

—

Стабилитроны КС191С кремниевые, эпитаксиальные, малой мощности, прецизионные, класса 0,02. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 9,1 В в диапазоне токов стабилизации 3...20 мА с высокими требованиями к стабильности напряжения. Основные технические параметры стабилитрона КС191С: • Номинальное напряжение стабилизации: 9,1 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 8,65... 9,55 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,005 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±0,02 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 20 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,2 Вт.

0.8

—

DIP

—

200мВт

100шт.

—

9V1

kd-8

—

Диод Д226В

#16206

28422

СНГ

—

4 грн.

50+	3,60 грн.
200+	3,20 грн.
500+	2,80 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д226В: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 300 В.

—

DIP

КД-8

300V

300mA

—

Выпрямительный

—

200шт.

—

одиночный

Диод 1602А (=Д7Г)

#16208

28424

СНГ

—

7 грн.

50+	6,30 грн.
200+	5,60 грн.
500+	4,90 грн.

—

Основные технические характеристики диода 1602А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 2,4 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,5 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 200 В.

—

DIP

КД-8

200V

300mA

—

Выпрямительный

—

200шт.

—

одиночный

Микросхема К531ИР20П (=Am25S09)

#16240

28485

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

4-разрядный двухвходовый регистр.

1.2

DIP16

—

DIP

—

Логика

—

100шт.

—

Транзистор КП934Б

#16244

28490

СНГ

—

36 грн.

10+	34,20 грн.
50+	32,40 грн.
100+	28,80 грн.

—

Транзистор КП934Б кремниевый планарный полевой со статической индукцией и каналом n-типа.

—

TO3

Полевой

DIP

—

МОП n-канальный

300В

10А

40Вт

10шт.

—

Транзистор ГТ906А

#16252

28499

СНГ

—

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

—

Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Основные технические характеристики транзистора ГТ906А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс.

3.5

—

Биполярный

DIP

—

PNP

—

15Вт

100шт.

75В

10А

30МГц

150

—

Транзистор КТ827Б

#16253

28500

СНГ

—

100 грн.

10+	95 грн.
50+	90 грн.
100+	80 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ827Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом.

—

TO3

Биполярный

DIP

—

NPN

—

40шт.

80В

20А

4МГц

750

—

Тиристор КУ202Н

#16257

28504

СНГ

—

30 грн.

—

Тиристоры кремниевые КУ202Н планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

—

Винт

—

400V

10A

—

25шт.

—

Микросхема К547КП1Б

#16288

28535

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Четырехканальный переключатель.

DIP14

—

DIP

—

Логика

—

100шт.

—

Микросхема К547КП1Г

#16289

28536

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Четырехканальный переключатель.

DIP14

—

DIP

—

Логика

—

100шт.

—

Микросхема К157ХА1Б

#16290

28537

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Усилитель высокой частоты с преобразователем.

DIP14

—

DIP

—

Радиоприем

—

100шт.

—

Микросхема КМ573РФ2

#16291

28538

СНГ

—

50 грн.

10+	47,50 грн.
50+	45 грн.
100+	40 грн.

—

Запоминающее устройство емкостью 16 кбит (2к х 8) с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации.

6.5

DIP24

—

DIP

—

Память

—

36шт.

—

Транзистор КТ817Г

#16465

28712

СНГ

—

14 грн.

10+	13,30 грн.
50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.

—

Транзистор КТ817Г кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный.

0.7

—

TO126

Биполярный

DIP

—

NPN

—

25Вт

200шт.

100В

3А

3МГц

—

Транзистор ГТ321Д

#16470

28720

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзисторы ГТ321Д германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

—

150мВт

100шт.

45В

200мА

60МГц

120

—

Транзистор ГТ321Е

#16471

28721

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзисторы ГТ321Е германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

—

150мВт

100шт.

45В

200мА

60МГц

200

—

Транзистор ГТ321Г

#16472

28722

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзисторы ГТ321Г германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

—

150мВт

100шт.

45В

200мА

60МГц

—

Транзистор КТ321В

#16476

28725

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзисторы КТ321В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные. Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.

1.5

—

КТЮ-3-6

Биполярный

DIP

—

PNP

—

210мВт

100шт.

50В

200мА

60МГц

200

—

Оптотиристор ТО125-12,5-10

#16481

28730

СНГ

—

170 грн.

—

Тиристор ТО125-12.5-10 оптронный, низкочастотный, кремниевый, диффузионный, структуры p-n-p-n, фланцевого исполнения. Предназначен для работы в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц и силе тока не более 12,5 А. Состоит из кремниевого фототиристора и арсенид-галлиевого излучающего диода и имеет связь цепи управления с силовой цепью только с помощью светового луча при отсутствии гальванической связи.

—

DIP

—

1000V

12.5А

—

20шт.

—

Транзистор КТ834Б

#16517

28765

СНГ

—

200 грн.

10+	190 грн.
50+	180 грн.
100+	160 грн.

—

Транзисторы КТ834А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах.

—

TO3

Биполярный

DIP

—

NPN

—

100Вт

20шт.

450В

20А

4МГц

3000

—

Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)

#16518

28766

СНГ

—

70 грн.

10+	66,50 грн.
50+	63 грн.
100+	56 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

—

TO3

Биполярный

DIP

—

NPN

—

50Вт

40шт.

300В

10А

3МГц

—

Диод Д226Е

#16519

28767

СНГ

—

4 грн.

50+	3,60 грн.
200+	3,20 грн.
500+	2,80 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д226Г: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 200 В.

—

DIP

КД-8

200V

300mA

—

Выпрямительный

—

200шт.

—

одиночный

Стабилитрон 2С113А ОС

#16528

28776

СНГ

—

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

—

Основные технические параметры стабистора 2С113А: • Номинальное напряжение стабилизации: 1,3 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 1,17... 1,43 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,42...-0,2 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ±3,5 %; • Дифференциальное сопротивление: 15 Ом при Iст 7,5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность: 0,16 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

160 мВт

100шт.

—

1V3

kd-8

—