Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип корпуса	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Iпр. имп. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Напряжение стабилизации	Тип корпуса стабилитрона	Конструкция диода

Транзистор КТ961А

#14620

26836

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ961А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 12,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...100; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом.

—

TO126

Биполярный

DIP

—

NPN

12.5Вт

100шт.

100В

2А

50МГц

100

—

Тиристор симметричный ТС106-10-5-2

#14621

26837

СНГ

—

16 грн.

—

Тиристор симметричный низкочастотный. Предназначен для работы в преобразовательных устройствах, а также в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок. Максимально допустимый действующий ток - 10 А Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение - 500 В.

2.1

—

DIP

TO-220

500V

10A

—

50шт.

—

Транзистор 2N3055B

#14622

26838

Inchange Semiconductor

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.
500+	17,50 грн.

—

TO3

Биполярный

DIP

—

NPN

115Вт

25шт.

60В

15А

—

140

—

Диод КД103Б

#14625

26841

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Основные технические характеристики диода КД103Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА; • fд - Рабочая частота диода: 20 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 4 мкс; • Сд - Общая емкость: 20 пФ при Uoбp 5 В.

0.1

—

DIP

КД-30

50V

100mA

—

Выпрямительный

—

500шт.

—

одиночный

Транзистор КТ501Г Au

#14627

26844

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ501Г : • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом.

0.6

—

КТ-1-7

Биполярный

DIP

—

PNP

350мВт

100шт.

30В

300мА

5МГц

—

Диодный мост KBP310 (=RS307)

#14670

26888

SEP

—

5 грн.

10+	4,50 грн.
50+	4 грн.
100+	3,75 грн.

—

Диодный мост KBP310 3A 1000V.

—

DIP

—

1000V

3.0A

—

250шт.

—

Микросхема КР145ИП7

#14943

27159

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

АЛУ с памятью и устройствами управления.

4.2

—

SMD

—

Микроконтроллеры

—

70шт.

—

Диод 2Д106А

#15061

27276

СНГ

—

7 грн.

50+	6,30 грн.
200+	5,60 грн.
500+	4,90 грн.

—

Диоды 2Д106А кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Предназначены для работы в выпрямительных и импульсных устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Металлическое основание соединено с положительным электродом. Основные технические характеристики диода 2Д106А: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 3 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,385 мкс; • Сд - Общая емкость: 74... 153 пФ при Uoбp 5 В.

0.4

—

DIP

—

100V

300mA

—

Выпрямительный

—

200шт.

—

одиночный

Индикатор ИВЛМ1-1/7

#15062

27277

СНГ

—

50 грн.

10+	45 грн.
20+	42,50 грн.
50+	40 грн.

—

Индикаторы ИВЛМ1-1/7 графические вакуумные люминесцентные, зеленого свечения. Предназначены для отображения информации в виде букв, цифр, символов, специальных знаков в средствах отображения информации. Корпус цилиндрический стеклянный, выводы гибкие. Основные технические характеристики Индикаторы ИВЛМ1-1/7: • Напряжение накала ...... 2,4 В • Ток накала ...... 35 ±5 мА • Напряжение анода-сегмента ...... 20 В • Ток анодов-сегментов суммарный ...... не более 10 мА • Минимальная наработка ...... 20000 ч.

—

DIP

—

20шт.

—

Радиолампа 6Н16Б-И

#15063

27278

СНГ

—

60 грн.

10+	54 грн.
20+	51 грн.
50+	48 грн.

—

6Н16Б-И, триод двойной для усиления напряжения низкой частоты, генерирования колебаний высокой частоты и для работы в релаксационных схемах. Оформление &mdash; в стеклянной оболочке, сверхминиатюрное.

3.2

—

DIP

—

20шт.

—

Оптопара TLP291-4GB

#15073

27288

TOSHIBA

—

37 грн.

10+	33,30 грн.
50+	29,60 грн.

—

0.5

SO16

—

SMD

—

2000шт.

—

Транзистор ГТ403Г

#15473

27712

СНГ

—

17 грн.

10+	16,15 грн.
50+	15,30 грн.
100+	13,60 грн.

—

Транзистор ГТ403Г германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

4Вт

100шт.

45В

1,25А

—

150

—

Транзистор П29

#15474

27713

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзисторы П29 германиевые сплавные транзисторы малой мощности, среднечастотные, проводимость p-n-p. Предназначены для работы в радиотехнической аппаратуре в переключающих и импульсных режимах.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

30мВт

100шт.

12В

6mA

5МГц

—

Диод Д101

#15475

27714

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

Диоды Д101 кремниевые, точечные, универсальные. Предназначены для работы в видеоканалах телевизоров, в системах АРУ и дискриминаторах ЧМ и AM приемников.

0.3

—

DIP

D104

75V

30mA

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Фоторезистор ФСД-Г1

#15479

27719

СНГ

—

25 грн.

—

Основные технические параметры фоторезистора ФСД-Г1: • Рабочее напряжение - постоянное напряжение, при котором обеспечены номинальные значения его параметров: 20 В; • Световой ток - ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении и воздействии потока излучения заданных интенсивности и спектрального распределения: не менее 1500 мкА; • Темновой ток - ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности: не более 10 мкА; • Темновое сопротивление - сопротивление фоторезистора в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности: не менее 2 мОм; • Кратность изменения сопротивления - отношение сопротивления фоторезистора при воздействии на него потока излучения: не менее 150; • Постоянная времени по спаду тока - время, в течение которого световой ток уменьшается до значения 37 % от максимума при затемнении фоторезистора: не более 50 мс; • Постоянная времени по нарастанию тока - время, в течение которого световой ток увеличивается до значения 63 % от максимума при прямоугольной форме единичного импульса света: не более 80 мс; • Максимум спектрального распределения - длина волны, соответствующая максимуму, спектральной чувствительности фоторезистора: 0,77 мкм.

—

DIP

—

20шт.

—

Микросхема К2ПП241

#15481

27721

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Маломощный (4 мА) стабилизатор напряжения питания базовых цепей транзисторов.

2.5

SIP-9

—

DIP

—

Питание

—

50шт.

—

Стабилитрон КС620А

#15483

27723

СНГ

—

10 грн.

50+	9 грн.
100+	8 грн.
250+	7,50 грн.

—

Основные технические параметры стабилитрона КС620А: • Номинальное напряжение стабилизации: 120 В при Iст 50 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 103... 132 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,2 %/°С; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 150 Ом при Iст 50 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 42 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт.

1.5

—

Винт

—

5Вт

100шт.

—

120V

ks620

—

Диод КД226Г

#15529

27768

СНГ

—

7 грн.

50+	6,30 грн.
200+	5,60 грн.
500+	4,90 грн.

—

Основные технические характеристики диода КД226Г: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1,7 А; • fд - Рабочая частота диода: 50 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,4 В при Inp 1,7 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 600 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,25 мкс.

—

DIP

—

600V

1.7A

—

Выпрямительный

—

1000шт.

—

одиночный

Микросхема КР580ВГ18

#15787

28023

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Контроллер шин на 16 входов (арбитр общей шины).

DIP28

—

DIP

—

Логика

—

36шт.

—

Диодная сборка КДС523АР

#15847

28080

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Диодная сборка, состоящая из двух кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами.

—

DIP

—

50V

20mA

—

Импульсный

—

50шт.

—

сборка

Микросхема КР565РУ5Б

#15899

28131

СНГ

—

18 грн.

10+	17,10 грн.
50+	16,20 грн.
100+	14,40 грн.

—

Динамическое оперативное запоминающее устройство емкостью 64 кбит (64к х 1) со схемами управления.

1.1

DIP16

—

DIP

—

Память

—

90шт.

—

Микросхема КР531ИЕ14 (=SN74S196)

#15901

28135

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Асинхронный двоично-десятичный счетчик с предварительной установкой.

DIP14

—

DIP

—

Логика

—

100шт.

—

Диод Д229Е

#15976

28210

СНГ

—

7 грн.

50+	6,30 грн.
200+	5,60 грн.
500+	4,90 грн.

—

Диоды Д229Е кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц.

3.5

—

Винт

—

400V

400mA

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Транзистор МП11А

#16002

28237

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора МП11А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 45...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ.

1.8

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

50шт.

15В

150мА

2МГц

100

—

Диод 1N5407

#16088

28328

MIC

—

3 грн.

100+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

DIP

DO-201AD

800V

3.0A

—

Выпрямительный

—

500шт.

—

Диод 1N5402

#16102

28342

MIC

—

3 грн.

100+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

DIP

DO-201AD

200V

3.0A

—

Выпрямительный

—

500шт.

—

Диод 1N5400

#16103

28343

MIC

—

3 грн.

100+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

DIP

DO-201AD

50V

3.0A

—

Выпрямительный

—

500шт.

—

Диод Д233

#16143

28383

СНГ

—

40 грн.

50+	36 грн.
200+	32 грн.
500+	28 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д233: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 500 В.

—

Винт

КДЮ-11

500V

10A

—

Выпрямительный

—

40шт.

—

одиночный

Диод Д312А

#16155

28398

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

Предназначены для применения в импульсных устройствах.

0.3

—

DIP

D104

75V

50mA

—

Импульсный

—

100шт.

—

одиночный

Диод Д9И

#16176

28420

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Основные технические характеристики диода Д9И: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 30 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 120 мкА при Uoбp 100 В.

0.3

—

DIP

—

100V

30mA

—

Детекторный

—

200шт.

—

одиночный