Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Конструкция диода |
|---|
Транзистор КТ850А
#14418
|
26627 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ850А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности, переключающих устройствах. | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 25Вт | 100шт. | 200В | 2А | 20МГц | 200 | — | |||||||||
Транзистор 1Т901А
#14419
|
26628 | СНГ | — |
30 грн.
|
|
— | Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p переключательные высокочастотные мощные. | 25 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 15Вт | 20шт. | 50В | 10А | 30МГц | 60 | — | |||||||||
Транзистор КТ859А
#14420
|
26629 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 40Вт | 100шт. | 800В | 3А | 10МГц | 10 | — | |||||||||
Транзистор КТ326БМ
#14421
|
26630 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ326БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 1000шт. | 15В | 50мА | 250МГц | 160 | — | |||||||||
Микросхема К145ИК1914
#14426
|
26635 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Управляющий микропроцессор. | 3.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К145ИК1801
#14427
|
26636 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Контроллер сопряжения вычислительных средств с датчиками контрольно-измерительного комплекса. | 3.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К145ИК1802
#14428
|
26637 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Управление печатающим устройством. | 3.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К145ИК1303А
#14430
|
26639 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Арифметический процессор. | 3.7 | — | — | — | DIP | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К145ВВ7П
#14432
|
26641 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Устройство ввода 8-младших разрядов. | 4 | — | — | — | DIP | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КР145ИК1908
#14433
|
26642 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Таймер-программатор. | 4 | — | — | — | DIP | — | — | — | Таймеры | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К145ИК1807
#14438
|
26649 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Микроконтроллер, предназначенный для управления периферийными устройствами. | 4 | — | — | — | DIP | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КМ133ЛА1
#14444
|
26656 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Два логических элемента 4И-НЕ, один расширяемый по ИЛИ. | 0.5 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логика | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
| 26657 | PHILIPS | — |
24 грн.
|
|
— | Корректор цветовой четкости. | 1.5 | DIP18 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 26658 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Двойной JK-триггер. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К224УН4
#14447
|
26659 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Усилитель низкой частоты для применения в аппаратуре низовой радиосвязи как УНЧ с автоматическим регулированием усиления, а также как генератор синусоидальных колебаний со стабильной амплитудой. | 1 | ZIP-9 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема КР504НТ3В
#14462
|
26674 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом. Представляет собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Транзисторная сборка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор ГТ320Б
#14474
|
26685 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ320Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 11В | 150мА | 80МГц | 120 | — | |||||||||
Транзистор ГТ308А
#14475
|
26686 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 50мА | 100МГц | 75 | — | |||||||||
Транзистор П401
#14476
|
26687 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзисторы П401 - германиевые, усилительные маломощные, высокочастотные, структуры - p-n-p. Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах коротковолновых и ультрокоротковолновых радиопередающих устройств. | 1.8 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 30МГц | 300 | — | |||||||||
Транзистор П403ВП
#14477
|
26688 | СНГ | — |
9 грн.
|
|
— | Транзистор П403ВП - германиевый, усилительный маломощный, высокочастотный, структуры - p-n-p. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 120МГц | 100 | — | |||||||||
Транзистор П403А
#14478
|
26689 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистор П403А - германиевый, усилительный маломощный, высокочастотный, структуры - p-n-p. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 120МГц | 200 | — | |||||||||
Транзистор П423
#14479
|
26690 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. | 1.5 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 120МГц | 100 | — | |||||||||
Транзистор BU508AW
#14483
|
26695 | ST MICROELECTRONICS | — |
64 грн.
|
|
— | 5.3 | — | TO247 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 125Вт | 25шт. | 700В | 8А | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ3120АМ
#14484
|
26696 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ3120АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Основные технические характеристики транзистора КТ3120АМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс. | 0.2 | — | КТ-14 | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | NPN | 100мВт | 20шт. | 15В | 20мА | — | 40 | — | |||||||||
Микросхема КР1533ТМ2
#14488
|
26702 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Два D-триггера синхронных с дополняющими входами и независимой установкой в состояние лог.0 (R1, R2) и лог.1 (S1, S2). | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
Диод КД243Б
#14490
|
26705 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Диоды КД243Б кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц. Основные технические характеристики диода КД243Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 6 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 1 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 100 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | КД-4 | 100V | 1A | — | Выпрямительный | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Диод Д2Д уменьшенный
#14498
|
26714 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Диоды Д2Д германиевые, точечные. Предназначены для преобразования и детектирования сигналов с частотой до 150 МГц в амплитудных и фазовых детекторах, в качестве видеодетекторов и восстановителей постоянной составляющей в телевизорах, в кольцевых модуляторах и преобразователях частоты, в счетных схемах и в маломощных выпрямителях. Основные технические характеристики диода Д2Д: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 16 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 3 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | КД-4 | 50V | 16mA | — | Детекторный | — | — | 200шт. | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Диод Д220Б
#14526
|
26742 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Диод кремниевый, сплавный, импульсный. Основные технические характеристики диода Д220Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 0,5 А; • Сд - Общая емкость: 15 пФ при Uoбp 5 В; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 100 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 100V | 50mA | — | Выпрямительный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Транзистор 1Т906А (=ГТ906А)
#14615
|
26831 | СНГ | — |
28 грн.
|
|
— | Транзисторы 1Т906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Основные технические характеристики транзистора 1Т906А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс. | 3.5 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 15Вт | 100шт. | 75В | 10А | 30МГц | 150 | — | |||||||||
Транзистор ГТ115Д
#14617
|
26833 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзисторы ГТ115Д германиевые сплавные p-n-p маломощные. | 0.4 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 20В | 30мА | 1МГц | 250 | — |
