Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
26515 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Дифференциальный усилитель постоянного тока. 1 DIP14 DIP Усилители 100шт.
26516 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
3 логических элемента 3(И-ИЛИ). 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26519 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Устройство выборки и хранения аналогового сигнала. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26520 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Сверхоперативное запоминающее устройство емкостью 16 бит со схемами управления. 1.5 DIP16 DIP Память 90шт.
26521 СНГ
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Счетверенный программируемый операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией. 1.5 DIP16 DIP Усилители 100шт.
26525 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Счетверенный операционный усилитель с управляемым током потребления. 1.2 DIP16 DIP Усилители 90шт.
26528 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Двенадцатиразрядный двоичный счетчик. 1 DIP16 DIP Логика 100шт.
26530 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
КР504НТ2А Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом. Микросхемы КР504НТ2А представляют собой слаботочную согласованную пару полевых транзисторов, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутаторах. 0.5 DIP8 DIP Транзисторная сборка 200шт.
26531 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
КР504НТ3Б Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом. Микросхемы КР504НТ3Б представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутаторах. 0.5 DIP8 DIP Транзисторная сборка 200шт.
26532 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Два моностабильных мультивибратора. 1.2 DIP16 DIP Логика 90шт.
26533 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Микросхема КР198НТ3Б представляет собой матрицу n-p-n транзисторов. 1 DIP14 DIP Транзисторная сборка 100шт.
26538 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Микросхемы КР544УД2Б представляют собой широкополосные операционные дифференциальные усилители с высоким входным сопротивлением и повышенным быстродействием. Применяются для создания видеоусилителей, импульсных усилителей, усилителей фотоприемников, генераторов высокочастотных колебаний. 0.5 DIP8 DIP Усилители 200шт.
26539 СНГ
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Микросхемы КР1100СК2 представляют собой устройство выборки и хранения аналогового сигнала, которое, запоминая по команде, поступающей на логический вход, мгновенное значение входного аналогового сигнала, в течение определенного времени с высокой точностью поддерживает равное ему постоянное напряжение на выходе. В состав КР1100СК2 входят входной операционный усилитель, выходной операционный усилитель и схема управления аналоговыми ключами. 0.5 DIP8 DIP Логика 200шт.
26540 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Два D-триггера. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26544 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Реверсивный регистр сдвига. 1.2 DIP16 DIP Логика 90шт.
26545 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
3 логических элемента 3ИЛИ-НЕ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
26547 HTC
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
2.5 TO-220 DIP Питание 50шт.
26548 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Быстрый умножитель 2х4. 7 DIP24 DIP Логика 36шт.
26561 СНГ
68 грн.
10+64,60 грн.
50+61,20 грн.
100+54,40 грн.
Микросхема К174ПС4 представляет собой двойной балансный смеситель. Предназначена для использования в качестве смесителя частоты в диапазоне частот до 1000 МГц, модулятора, усилителя в блоках селекторов каналов телевизоров дециметрового диапазона. Отличается от смесителей на дискретных приборах отсутствием или ослаблением в спектре выходного сигнала составляющих с частотами сигнала и гетеродина и хорошей развязкой между цепью гетеродина и входом. Просачивание напряжения гетеродина на вход приемника составляет 40-50 дБ. 1 DIP14 DIP TV 20шт.
26563 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Микросхема содержит 4 кремниевых транзистора структуры N-P-N. Микросхема используется в регуляторах частоты вращения маломощных электродвигателей постоянного тока. 1 DIP14 DIP Транзисторная сборка 100шт.
26569 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Четыре логических элемента 2И-НЕ с высокой нагрузочной способностью. 1 DIP16 DIP Логика 200шт.
26570 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Видеоусилитель с большим коэффициентом усиления. 1 DIP14 DIP Видео 100шт.
26576 СНГ
7 грн.
Основные технические характеристики диода КЦ405В: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1000 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 400 В. 5.2 DIP 400V 1A Диодный мост 500шт.
26579 СНГ
20 грн.
Блок из кремниевых, диффузионных диодов. Основные технические характеристики диода КЦ402В: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1000 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 400 В. 5.7 DIP 400V 1A Диодный мост 100шт.
26617 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 100шт. 50В 10А 3МГц 20
26620 СНГ
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n. Предназначен для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. 0.7 TO126 Биполярный DIP NPN 400мВт 200шт. 250В 100мА 40МГц 40
26621 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзисторы КТ855А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 40Вт 100шт. 200В 5МГц 20
26622 СНГ
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 200шт. 100В 4МГц 750
26625 СНГ
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
Транзистор КТ865А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p импульсный. Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях, оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения. 16 TO3 Биполярный DIP PNP 100Вт 20шт. 200В 10А 15МГц 200
26626 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзисторы КТ854А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 60Вт 100шт. 500В 10А 20