Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
|
Диод Д2В
#13957
|
26137 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Диоды Д2В германиевые, точечные. Предназначены для преобразования и детектирования сигналов с частотой до 150 МГц в амплитудных и фазовых детекторах, в качестве видеодетекторов и восстановителей постоянной составляющей в телевизорах, в кольцевых модуляторах и преобразователях частоты, в счетных схемах и в маломощных выпрямителях. Основные технические характеристики диода Д2В: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 25 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 9 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 30 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 3 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 В. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 30V | 25mA | — | Детекторный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
|
Диод Д2Г
#13958
|
26138 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Диоды Д2Г германиевые, точечные. Предназначены для преобразования и детектирования сигналов с частотой до 150 МГц в амплитудных и фазовых детекторах, в качестве видеодетекторов и восстановителей постоянной составляющей в телевизорах, в кольцевых модуляторах и преобразователях частоты, в счетных схемах и в маломощных выпрямителях. Основные технические характеристики диода Д2Г: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 16 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 3 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 В. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 50V | 16mA | — | Детекторный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
|
Диод Д2Д
#13959
|
26139 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Диоды Д2Д германиевые, точечные. Предназначены для преобразования и детектирования сигналов с частотой до 150 МГц в амплитудных и фазовых детекторах, в качестве видеодетекторов и восстановителей постоянной составляющей в телевизорах, в кольцевых модуляторах и преобразователях частоты, в счетных схемах и в маломощных выпрямителях. Основные технические характеристики диода Д2Д: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 16 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 3 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 В. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 50V | 16mA | — | Детекторный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
|
Диод Д2Е
#13960
|
26140 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Диоды Д2Е германиевые, точечные. Предназначены для преобразования и детектирования сигналов с частотой до 150 МГц в амплитудных и фазовых детекторах, в качестве видеодетекторов и восстановителей постоянной составляющей в телевизорах, в кольцевых модуляторах и преобразователях частоты, в счетных схемах и в маломощных выпрямителях. Основные технические характеристики диода Д2Е: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 16 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 3 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 В. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 100V | 16mA | — | Детекторный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
|
Диод Д2И
#13962
|
26142 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Диоды Д2И германиевые, точечные. Предназначены для преобразования и детектирования сигналов с частотой до 150 МГц в амплитудных и фазовых детекторах, в качестве видеодетекторов и восстановителей постоянной составляющей в телевизорах, в кольцевых модуляторах и преобразователях частоты, в счетных схемах и в маломощных выпрямителях. Основные технические характеристики диода Д2И: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 16 мА; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 3 мкс; • Сд - Общая емкость: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 В. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 100V | 16mA | — | Детекторный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
|
Стабилитрон КС133А мет.
#13963
|
26143 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Основные технические параметры стабилитрона КС133А: • Номинальное напряжение стабилизации: 3,3 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,11 %/°С; • Постоянное прямое напряжение: 1 В при Iпр 50 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 65 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 81 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 3V3 | kd-8 | — | |||||||
|
Стабилитрон КС515А
#13966
|
26146 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Основные технические параметры стабилитрона КС515А: • Номинальное напряжение стабилизации: 15 В при Iст 5 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 13,5... 16,5 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 200 Ом при Iст 1 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 53 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 15V | kd-8 | — | |||||||
|
Микросхема КМ555ТМ9
#14007
|
26186 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Шесть D-триггеров. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема TDA7381
#14042
|
26221 | ST MICROELECTRONICS | — |
78 грн.
|
|
— | 9.2 | FLEXIWATT25 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | 17шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Стабилитрон КС213Б
#14113
|
26291 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Стабилитроны КС213Б кремниевые, сплавные, двуханодные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 13 В в диапазоне токов стабилизации 3...10 мА и двустороннего ограничения напряжения. Основные технические параметры стабилитрона КС213Б: • Номинальное напряжение стабилизации: 13 В при Iст 5 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,08 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 25 Ом при Iст 5 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 10 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,15 Вт. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 150мВт | 200шт. | — | — | — | — | 13V | — | — | |||||||
| 26304 | Silan Semiconductor | — |
76 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | 321Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Лампа генераторная ГУ-70Б
#14129
|
26310 | СНГ | — |
800 грн.
|
|
— | Генераторный тетрод ГУ-70Б в металлокерамическом оформлении с оксидным катодом косвенного накала и наружным анодом с принудительным воздушным охлаждением предназначен для усиления однополосного сигнала с выходной мощностью до 250 Вт, а также для усиления мощности на частотах до 250 МГц и с выходной мощностью до 125 Вт в стационарных и передвижных радиотехнических устройствах производственно-технического назначения. | 135 | — | — | — | Панель | — | — | — | — | — | — | — | 1шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема К561ИЕ10А
#14133
|
26316 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Два четырехразрядных счетчика. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема К170УЛ1
#14137
|
26321 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Четырехканальный однополярный усилитель воспроизведения. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема К555ИЕ2
#14139
|
26326 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Двоично-десятичный счетчик. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема К555ЛР13
#14140
|
26331 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Логический элемент (2-3-3-2) И-ИЛИ-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема DK124
#14150
|
26342 | SDK | — |
14 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Лампа СМН 6,3-20-2
#14254
|
26453 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Лампа сверхминиатюрная СМН-6.3-20-2 используется в радио- и электронной технике, авиации, ракетной технике, медицине, в различных приборах и устройствах в качестве индикаторных, канальных и осветительных элементов, к габаритам которых предъявляют требование быть соразмерными с малыми габаритами этих приборов и устройств. Номинальное напряжение - 6,3 В Номинальная сила электрического тока - 20 мА Световой поток: 0,26 лм Средняя продолжительность горения: не менее 600 ч Диаметр: 3,2 мм Длина: 9 мм. | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор П27А
#14256
|
26455 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы П27 германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 1МГц | 60 | — | — | — | |||||||
|
Стабистор Д220С
#14257
|
26456 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Стабисторы Д220С кремниевые, микросплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации постоянного и импульсного напряжения и ограничения импульсов напряжения. Основные технические параметры стабистора Д220С: • Номинальное напряжение стабилизации при Iст 1 мА: 0,59 В; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 50 мА; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 0.59V | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ349Б
#14260
|
26459 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ349Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 160; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом. | 0.5 | — | КТ-1-7 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 15В | 40мА | 300МГц | 160 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ603Г
#14261
|
26460 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Основные технические характеристики транзистора КТ603Г: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. | 1.5 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 100шт. | 15В | 300мА | 200МГц | 60 | — | — | — | |||||||
|
Диод силовой В25-9
#14264
|
26463 | СНГ | — |
75 грн.
|
|
— | В25-9 Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов на частотах до 2 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким выводом. Средний прямой ток - 25А Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 900 В Охлаждение воздушное естественное или принудительное. | 90 | — | — | — | Винт | — | 900V | 25A | — | Выпрямительный | — | — | 1шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
|
Транзистор П215
#14266
|
26465 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П215: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. | 9.2 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 40шт. | 70В | 5А | 0,15МГц | 150 | — | — | — | |||||||
|
Микросхема КР571ХЛ5А
#14302
|
26502 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Шесть неинвертирующих магистральных усилителей с тремя состояниями на входе и выходе. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема КР571ХЛ4А
#14303
|
26503 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Шесть инвертирующих магистральных усилителей с тремя состояниями на входе и выходе. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Тиристор КУ103А1
#14304
|
26504 | СНГ | — |
6 грн.
|
— | Основные технические параметры тиристора КУ103А1: • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 150 В; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 0,001 А; • Импульсное напряжение в открытом состоянии: не более 3 В; • Неотпирающее постоянное напряжение управления: 0,001 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: 1 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: 40 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 0,4... 2 В. | 0.5 | — | — | — | DIP | — | 150V | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Микросхема К118ТЛ1Д
#14306
|
26509 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Триггер Шмитта с максимальной частотой следования импульсов 1 МГц. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Симистор КУ208А
#14308
|
26511 | СНГ | — |
19 грн.
|
|
— | Симистор кремниевый, планарный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый, симметричный. | 11 | — | — | — | Винт | — | 100V | 5A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Микросхема К1401СА1
#14310
|
26513 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Микросхемы К1401СА1 представляют собой счетверенный (четырехканальный) компаратор напряжения средней точности. | 1.8 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Компараторы | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — |