Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип корпуса	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Iпр. имп. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Напряжение сток-исток	Ток стока	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Напряжение стабилизации	Тип корпуса стабилитрона	Конструкция диода

Диод RS1M

#13808

25987

DIOTEC SEMICONDUCTOR

—

0,80 грн.

100+	0,72 грн.
200+	0,64 грн.
500+	0,56 грн.

—

0.2

—

SMD

DO-214AC, SMA

1000V

—

Выпрямительный

—

5000шт.

—

одиночный

Диодный столб КЦ114Б

#13811

25989

СНГ

—

15 грн.

50+	13,50 грн.
200+	12 грн.
500+	10,50 грн.

—

Столбы из кремниевых, диффузионных диодов, выпрямительные. Предназначены для применения в высоковольтных блоках источников вторичного электропитания с дополнительной герметизацией.

1.6

—

DIP

—

6kV

50mA

—

Высоковольтный

—

100шт.

—

одиночный

Тиристор силовой Т142-80-12

#13837

26015

СНГ

—

400 грн.

—

Т142-80-12 Тиристор низкочастотный штыревого исполнения. Предназначен для работы в преобразовательных устройствах, в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жестким выводом. Максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии - 80 А Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200 В Охлаждение воздушное естественное или принудительное. Обозначение типономинала и полярность выводов приводятся на корпусе. Габаритные размеры: - общая длина - 56 мм - длина шпильки - 16 мм - резьба - М10

—

Винт

—

1200V

80A

—

20шт.

—

Тиристор 2У202М (=КУ202М)

#13838

26016

СНГ

—

35 грн.

—

Тиристоры кремниевые 2У202М планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

—

Винт

—

400V

10A

—

40шт.

—

Тиристор 2У202Д (=КУ202Д)

#13839

26017

СНГ

—

22 грн.

—

Тиристоры кремниевые 2У202Д планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

—

Винт

—

100V

10A

—

40шт.

—

Тиристор 2У202И (=КУ202И)

#13840

26018

СНГ

—

25 грн.

—

Тиристоры кремниевые 2У202И планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

—

Винт

—

200V

10A

—

40шт.

—

Транзистор 2Т803А (=КТ803А)

#13841

26847

СНГ

—

200 грн.

10+	190 грн.
50+	180 грн.
100+	160 грн.

—

Транзисторы 2Т803А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

—

60Вт

20шт.

60В

10А

20МГц

—

Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)

#13842

26019

СНГ

—

40 грн.

10+	38 грн.
50+	36 грн.
100+	32 грн.

—

1Т806А Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Основные технические характеристики транзистора 1Т806А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом.

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

PNP

—

30Вт

20шт.

40В

20А

10МГц

100

—

Транзистор 2Т808А (=КТ808А)

#13843

26020

СНГ

—

150 грн.

10+	142,50 грн.
50+	135 грн.
100+	120 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ.

—

КТЮ-3-20

Биполярный

DIP

—

NPN

—

50Вт

10шт.

120В

10А

—

Микросхема TL081CP

#13851

26028

TEXAS INSTRUMENTS

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

0.5

DIP8

—

DIP

—

Усилители

—

50шт.

—

Транзистор КТ805БМ

#13925

26104

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах.

2.5

—

TO220

Биполярный

DIP

—

NPN

—

30Вт

100шт.

60В

5А

20МГц

—

Диод КД411ГМ

#13926

26105

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

—

Диод кремниевый, диффузионный, быстродействующий.

—

DIP

КД-8

500V

—

Быстрый

—

200шт.

—

одиночный

AD161+AD162 (комплиментарная пара)

#13927

26106

TUNGSRAM

—

200 грн.

10+	190 грн.
50+	180 грн.
100+	160 грн.
500+	140 грн.

—

DIP

—

8Вт

2шт.

—

Диод КД203Д

#13931

26110

СНГ

—

40 грн.

50+	36 грн.
200+	32 грн.
500+	28 грн.

—

Диоды КД203Д кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Основные технические характеристики диода 2Д203Д: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 700 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1500 мкА при Uoбp 1000 В.

—

Винт

—

700V

10A

—

Выпрямительный

—

25шт.

—

одиночный

Транзистор КП302БМ Au

#13932

26111

СНГ

—

24 грн.

10+	22,80 грн.
50+	21,60 грн.
100+	19,20 грн.

—

Транзистор КП302БМ кремниевый планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначен для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах.

0.4

—

КТ-1

Полевой

DIP

—

МОП р-канальный

20В

40мА

300мВт

100шт.

—

150МГц

—

Диод Д245А

#13934

26113

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Диоды Д245А кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Основные технические характеристики диода Д245А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 300 В.

—

Винт

—

300V

10A

—

Выпрямительный

—

40шт.

—

одиночный

Диод Д246Б

#13935

26114

СНГ

—

30 грн.

50+	27 грн.
200+	24 грн.
500+	21 грн.

—

Диоды Д246Б кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Основные технические характеристики диода Д246Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 400 В.

—

Винт

—

400V

—

Выпрямительный

—

40шт.

—

одиночный

Диод Д246А

#13936

26115

СНГ

—

40 грн.

50+	36 грн.
200+	32 грн.
500+	28 грн.

—

Диоды Д246А кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Основные технические характеристики диода Д246А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 400 В.

—

DIP

—

400V

10A

—

Выпрямительный

—

40шт.

—

одиночный

Диод Д245

#13938

26117

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Диоды Д245 кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Основные технические характеристики диода Д245: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 300 В.

—

Винт

—

300V

10A

—

Выпрямительный

—

40шт.

—

одиночный

Стабилитрон КС191А

#13939

26118

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.
250+	2,25 грн.

—

Стабилитроны КС191А кремниевые, сплавные, двуханодные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 9,1 В в диапазоне токов стабилизации 3...15 мА и двустороннего ограничения напряжения. Основные технические параметры стабилитрона КС191А: • Номинальное напряжение стабилизации: 9,1 В при Iст 5 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,06 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 5 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 15 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,15 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -55... +100 °С.

0.3

—

DIP

—

150мВт

200шт.

—

9V1

—

Стабилитрон КС191Ф

#13941

26120

СНГ

—

40 грн.

50+	36 грн.
100+	32 грн.
250+	30 грн.

—

Стабилитроны КС191Ф кремниевые, эпитаксиальные, малой мощности, прецизионные, класса 0,02. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 9,1 В в диапазоне токов стабилизации 3...20 мА с высокими требованиями к стабильности напряжения в диапазоне температур -60...+100 °С в цифровых измерительных приборах и другой прецизионной аппаратуре. Основные технические параметры стабилитрона КС191Ф: • Номинальное напряжение стабилизации: 9,1 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 8,65... 9,55 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,0005 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±0,02 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 20 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,2 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С.

0.7

—

DIP

—

200мВт

100шт.

—

9V1

kd-8

—

Стабилитрон КС119А

#13942

26121

СНГ

—

12 грн.

50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.
250+	9 грн.

—

Стабисторы КС119А кремниевые, диффузионно-сплавные, малой мощности. Предназначены для применения в стабилизаторах напряжения и в качестве термокомпенсирующих элементов. Основные технические параметры стабистора КС119А: • Номинальное напряжение стабилизации: 1,9 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,4 %/°С; • Дифференциальное сопротивление: 15 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность: 0,18 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

180мВт

100шт.

—

1V9

kd-8

—

Стабилитрон КС168А

#13943

26122

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.
250+	2,25 грн.

—

Стабилитроны КС168А кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 6,8 В в диапазоне токов стабилизации 3...45 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС168А: • Номинальное напряжение стабилизации: 6,8 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,06 %/°С; • Постоянное прямое напряжение: 1 В при Iпр 50 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 28 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 45 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

6V8

kd-8

—

Стабилитрон Д818Г

#13945

26124

СНГ

—

12 грн.

50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.
250+	9 грн.

—

Стабилитроны Д818Г кремниевые, диффузионно-сплавные, малой мощности, прецизионные. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 9 В в диапазоне токов стабилизации 3...33 мА с высокими требованиями к стабильности напряжения в диапазоне температур -60...+125 °С. Основные технические параметры стабилитрона Д818Г: • Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,6... 10 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,006 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,12 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

kd-8

—

Стабилитрон Д814Б

#13946

26125

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.
250+	2,25 грн.

—

Стабилитроны Д814Б кремниевые, сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 8,0-9,5 В в диапазоне токов стабилизации 3...36 мА.

0.8

—

DIP

—

340мВт

100шт.

—

kd-8

—

Стабилитрон 2С530А (=КС530А)

#13947

26126

СНГ

—

10 грн.

50+	9 грн.
100+	8 грн.
250+	7,50 грн.

—

Стабилитроны 2С530А кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 30 В в диапазоне токов стабилизации 1...27 мА. Основные технические параметры стабилитрона 2С530А: • Номинальное напряжение стабилизации: 30 В при Iст 5 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 28,5... 31,5 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 200 Ом при Iст 1 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 27 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

1Вт

100шт.

—

30V

kd-8

—

Транзистор КТ837К

#13948

26127

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзисторы КТ837К кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ837К: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

—

TO220

Биполярный

DIP

—

PNP

—

200шт.

40В

7,5A

1МГц

150

—

Диод Д7Ж

#13950

26130

СНГ

—

9 грн.

50+	8,10 грн.
200+	7,20 грн.
500+	6,30 грн.

—

Диоды германиевые Д7Ж, сплавные. Основные технические характеристики диода Д7Ж: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА; • fд - Рабочая частота диода: 2,4 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,5 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 400 В.

1.6

—

DIP

КД-8

300V

300mA

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный

Диодный мост КЦ407А

#13951

26131

СНГ

—

30 грн.

—

КЦ407А Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Основные технические характеристики диода КЦ407А: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 400 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 500 мА; • Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 3 А; • fд - Рабочая частота диода: 20 кГц; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 5 мкс.

0.5

—

DIP

—

400V

500mA

—

Диодный мост

—

500шт.

—

Варикап КВ105Б

#13953

26133

СНГ

—

10 грн.

—

1.8

—

DIP

—

100шт.

—