Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
Микросхема TNY274PN
#13671
|
25827 | Power Integrations | — |
23 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP-8B | — | — | SMD | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25808 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
33 грн.
|
— | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | — | Датчики | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор ГТ402Д
#13679
|
25838 | СНГ | — |
42 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ402Д германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. | 3.5 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 600мВт | 50шт. | 25В | 500мА | 1МГц | 80 | — | — | — | |||||||
Транзистор ГТ402И
#13680
|
25839 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ402И германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. | 3.5 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 600мВт | 50шт. | 40В | 500мА | 1МГц | 150 | — | — | — | |||||||
Тиристор КУ201А
#13684
|
25843 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | • Максимальное постоянное обратное напряжение: 25 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 25 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 30 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 2 А; • Напряжение в открытом состоянии: 2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 5 мА; • Постоянный обратный ток: не более 5 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 100 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 6 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 5 В/мкс; • Время включения: не более 10 мкс; • Время выключения: не более 100 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 11 | — | — | — | Винт | — | 25V | — | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ202А
#13686
|
25845 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Постоянное максимальное обратное напряжение 25 В Постоянное максимальное напряжение в закрытом состоянии 25 В Постоянный импульсный ток в открытом состоянии - 30 А Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии 10 А Напряжение в открытом состоянии <=1,5 В Неотпирающее постоянное напряжение управления >=0,2 В Постоянный ток в закрытом состоянии <=4 мА Постоянный обратный ток <=4 мА Отпирающий постоянный ток управления <=200 мА Постоянное отпирающее напряжение управления <=7 В Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс Время включения <=10 мкс Время выключения <=100 мкс. | 11 | — | — | — | Винт | — | 25V | 10A | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ202В
#13687
|
25846 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые КУ202В, планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. | 11 | — | — | — | Винт | — | 50V | 10A | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ202К
#13688
|
25847 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые КУ202К планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. | 11 | — | — | — | Винт | — | 300V | 10A | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ102В
#13694
|
25854 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые КУ102В, диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, запираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов малой мощности. Основные технические параметры тиристора КУ102В: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 5 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 150 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 5 А; • Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 0,05 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Неотпирающее постоянное напряжение управления: не менее 0,2 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Запирающий импульсный ток управления: 20 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 12 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 200 В/мкс; • Время включения: 5 мкс; • Время выключения: 20 мкс • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 1.2 | — | — | — | DIP | — | 150V | — | 5A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ101А
#13695
|
25855 | СНГ | — |
8 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые КУ101А, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Основные технические параметры тиристора КУ101А: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 10 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс; • Время включения: 2 мкс; • Время выключения: 35 мкс. | 1.8 | — | — | — | DIP | — | 50V | — | 1A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ101Е
#13697
|
25857 | СНГ | — |
12 грн.
|
— | Тиристоры кремниевые КУ101Е, диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Основные технические параметры тиристора КУ101Е: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 150 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 150 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс; • Время включения: 2 мкс; • Время выключения: 35 мкс. | 1.8 | — | — | — | DIP | — | 150V | — | 1A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП10Б
#13699
|
25859 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистор МП10 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора МП10Б: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 30В | 20мА | 1МГц | 50 | — | — | — | |||||||
Транзистор МП42
#13701
|
25862 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…35 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.2 | 1.6 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 35 | — | — | — | |||||||
Стабилитрон КС650А1
#13708
|
25871 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Стабилитроны КС650А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 150 В в диапазоне токов стабилизации 7...38 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС650А: • Номинальное напряжение стабилизации: 150 В при Iст 25 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 135... 165 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,2 %/°С; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 270 Ом при Iст 25 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 7 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 38 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт. | 1.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 150V | ks620 | — | |||||||
Динистор КН102И
#13709
|
25872 | — | — |
25 грн.
|
— | Предназначены для применения в импульсных устройствах в качестве переключающих элементов. Основные технические параметры тиристора КН102И: • Максимальное постоянное обратное напряжение: 10 В; • Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 10 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,2 А; • Напряжение в открытом состоянии: не более 1,5 В; • Неотпирающее постоянное напряжение управления: 15 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 0,08 мА; • Постоянный обратный ток: не более 0,5 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: 150 В; • Время выключения: не более 40 мкс. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема KA7812 (=7812CV)
#13713
|
25877 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
7 грн.
|
|
— | 2.5 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР504НТ4Б
#13721
|
25889 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Микросхемы КР504НТ4Б представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 25891 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Микросхема предназначена для обмена информацией между устройствами и блоками систем и для передачи данных на периферийные устройства, устройства отображения и индикации, для интерфейсов, изготовленных по биполярной технологии (ТТЛШ). Микросхема 559ИП4 представляет собой два магистральных передатчика. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25894 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Четыре логических элемента "2И". | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К531ИЕ16П
#13728
|
25895 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Синхронный четырехзарядный декадный реверсивный счетчик. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 25897 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | 4 логических элемента 2И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К161ИР2
#13731
|
25898 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | 3-разрядный параллельный регистр. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема К161ЛР1
#13732
|
25899 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Три элемента 2И-2ИЛИ-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ848А
#13752
|
25920 | СНГ | — |
90 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ848А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в электронных схемах зажигания автомобильной радиоэлектронной аппаратуры. Основные технические характеристики транзистора КТ848А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 35 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. | 15 | — | TO3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 35Вт | 40шт. | 400В | 15А | 3МГц | 20 | — | — | — | |||||||
Микросхема КР140УД20А
#13768
|
25935 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Сдвоенный (двухканальный) операционный усилитель средней точности с внутренней частотной коррекцией и защитой входа от короткого замыкания. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Диод Д243А
#13780
|
25959 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Диоды Д243А кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Основные технические характеристики диода Д243А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 200 В. | 13 | — | — | — | Винт | — | 200V | 10A | — | — | Выпрямительный | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||
Диод SS310
#13805
|
25984 | WTE | — |
2,50 грн.
|
|
— | 0.4 | — | — | — | SMD | SMB | 100V | 3.0A | — | — | Шотки | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Диод SR260
#13806
|
25985 | MIC | — |
1,50 грн.
|
|
— | 0.6 | — | — | — | DIP | DO-15 | 60V | 2A | — | — | Шотки | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Диод MUR460
#13807
|
25986 | ON SEMICONDUCTOR | — |
4 грн.
|
|
— | 0.8 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 600V | 4А | — | — | Быстрый | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Диод RS1M
#13808
|
25987 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | — |
0,80 грн.
|
|
— | 0.2 | — | — | — | SMD | DO-214AC, SMA | 1000V | 1A | — | — | Выпрямительный | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный |
