Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Напряжение пробоя Конструкция диода
20572 SEP 86 шт
40 грн.
10+36 грн.
50+32 грн.
100+30 грн.
1000V;50A 17.5 DIP 1000V 50A Диодный мост 50шт.
23378 Taychipst 86 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 36V
24627 СНГ 86 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Основные технические параметры стабилитрона Д818В: • Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,6... 10 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,010 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,12 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 9V kd-8
26512 СНГ 86 шт
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Схема приоритетного прерывания. 4 DIP24 DIP Интерфейсы 36шт.
28392 СНГ 86 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор МП21Г германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 60В 100мА 1МГц 80
29428 luxin-semi 86 шт
118 грн.
10+112,10 грн.
50+106,20 грн.
100+94,40 грн.
6.5 TO247 IGBT 312Вт 30шт. 650В 60А
22980 СНГ 85 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2.5 TO220 Биполярный DIP PNP 60Вт 100шт. 70В 10А 3МГц 15
23370 Taychipst 85 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 22V
29400 TEXAS INSTRUMENTS 85 шт
117 грн.
10+111,15 грн.
50+105,30 грн.
100+93,60 грн.
0.06 SOT23-5 SMD Усилители 1000шт.
20657 TEXAS INSTRUMENTS 84 шт
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
0.5 SO16 SMD Питание 1000шт.
21183 TEXAS INSTRUMENTS 84 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
1 DIP16 DIP Питание 25шт.
22739 NEC 84 шт
12 грн.
10+10,80 грн.
50+9,60 грн.
0.3 SO4 SMD 500шт.
26317 СНГ 84 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Шестиразрядный регистр с параллельным входом. 1.5 DIP16 DIP Логика 100шт.
26336 СНГ 84 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 20В 100мА 1МГц 45
22171 СНГ 83 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Формирователь номера канала на экране ТВ-приемника. 1.3 DIP16 DIP TV 90шт.
23377 Taychipst 83 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 36V
26132 СНГ 83 шт
25 грн.
10+22,50 грн.
50+20 грн.
ОЭП-12 Оптопары резисторные. Предназначены для ключевых и аналоговых устройств. Излучатель оптопары представляет собой лампу накаливания, приемник фоторезистор на основе селенистого кадмия. 2 DIP 84шт.
21476 NXP 82 шт
14 грн.
10+12,60 грн.
2.5 DIP TO-220 500V 7.5A 50шт.
21478 NXP 82 шт
15 грн.
10+13,50 грн.
2.5 DIP TO-220 650V 7.5A 50шт.
21194 ST MICROELECTRONICS 82 шт
22 грн.
10+19,80 грн.
50+17,60 грн.
2.8 DIP TO-220 800V 16A 50шт.
21847 СНГ 82 шт
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Стабилитрон кремниевый, пленарный, средней мощности. Предназначен для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 1...48 мА. 0.2 DIP 340мВт 200шт. 5V6 kd2
29132 СНГ 82 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Германиевые диффузионные высокочастотные (200 МГц) p-n-p транзисторы малой мощности. 1.8 Биполярный DIP PNP 50мВт 100шт. 10В 10мА 200МГц 100
22122 СНГ 81 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
2 логических элемента 2И-НЕ с общим входом и двумя мощными транзисторами. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
23382 Taychipst 81 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 62V
24370 СНГ 81 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. 0.25 DIP КД-121 30V 20mA Импульсный 100шт. одиночный
24921 IC Plus 81 шт
67 грн.
10+63,65 грн.
50+60,30 грн.
100+53,60 грн.
0.4 QFN64 SMD Ethernet 1000шт.
20862 TEXAS INSTRUMENTS 80 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
0.4 SO14 SMD Логика 2500шт.
23397 VISHAY 80 шт
3,50 грн.
10+3,32 грн.
30+3,15 грн.
50+2,80 грн.
0.4 DIP DO-15 Защитный 600Вт 1000шт. 350V
23485 СНГ 80 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 350мА 200МГц 120
23584 СНГ 80 шт
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
8-разрядный регистр на D-триггерах с динамическим входом. 0.6 SO20 SMD Логика 75шт.