Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя |
|---|
Микросхема К145КТ2
#13593
|
25745 | СНГ | 88 шт |
12 грн.
|
|
6-канальный токовый (тактовый) ключ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 29115 | HANSCHIP semiconductor | 88 шт |
14 грн.
|
|
0.25 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема К561ИЕ8
#778
|
24930 | СНГ | 87 шт |
15 грн.
|
|
Десятичный счетчик делитель. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К155ЛА6
#4066
|
21256 | СНГ | 87 шт |
10 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155ЛА6 представляют собой 2 логических элемента 4И-НЕ с большим коэффициентом разветвления по выходу. Содержат 34 интегральных элемента. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации К155ЛА6: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 22112 | СНГ | 87 шт |
6 грн.
|
|
Шестиразрядный регистр с параллельным входом. | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23380 | Taychipst | 87 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 43V | ||||||||||
| 23399 | VISHAY | 87 шт |
3,50 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 440V | ||||||||||
Микросхема DK1203
#12787
|
25144 | SDK | 87 шт |
12 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор П213Б
#14711
|
26929 | СНГ | 87 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 30В | 5А | 0,15МГц | 40 | — | — | — | ||||||||
Микросхема TNY254PN
#3271
|
25817 | Power Integrations | 86 шт |
31 грн.
|
|
0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диодный мост KBPC5010
#9022
|
20572 | SEP | 86 шт |
40 грн.
|
|
1000V;50A | 17.5 | — | — | — | DIP | — | 1000V | 50A | — | Диодный мост | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23378 | Taychipst | 86 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 36V | ||||||||||
| 26512 | СНГ | 86 шт |
14 грн.
|
|
Схема приоритетного прерывания. | 4 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор МП21Г
#16150
|
28392 | СНГ | 86 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21Г германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 60В | 100мА | 1МГц | 80 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ818В
#10791
|
22980 | СНГ | 85 шт |
18 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. | 2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 60Вт | 100шт. | 70В | 10А | 3МГц | 15 | — | — | — | ||||||||
| 23370 | Taychipst | 85 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 22V | ||||||||||
| 29400 | TEXAS INSTRUMENTS | 85 шт |
117 грн.
|
|
0.06 | SOT23-5 | — | — | SMD | — | — | — | Усилители | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 20657 | TEXAS INSTRUMENTS | 84 шт |
11 грн.
|
|
0.5 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема TL494CN
#3265
|
21183 | TEXAS INSTRUMENTS | 84 шт |
15 грн.
|
|
1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Оптопара PS2501L smd
#4084
|
22739 | NEC | 84 шт |
12 грн.
|
|
0.3 | SO4 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 26317 | СНГ | 84 шт |
6 грн.
|
|
Шестиразрядный регистр с параллельным входом. | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор МП111Б
#14145
|
26336 | СНГ | 84 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор кремниевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 20В | 100мА | 1МГц | 45 | — | — | — | ||||||||
| 22171 | СНГ | 83 шт |
8 грн.
|
|
Формирователь номера канала на экране ТВ-приемника. | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Симистор BTA16-800B
#9740
|
21194 | ST MICROELECTRONICS | 83 шт |
22 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 800V | 16A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23377 | Taychipst | 83 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 36V | ||||||||||
Оптопара ОЭП-12
#13952
|
26132 | СНГ | 83 шт |
25 грн.
|
|
ОЭП-12 Оптопары резисторные. Предназначены для ключевых и аналоговых устройств. Излучатель оптопары представляет собой лампу накаливания, приемник фоторезистор на основе селенистого кадмия. | 2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 84шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор BT151-500R
#9574
|
21476 | NXP | 82 шт |
14 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220 | 500V | 7.5A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Тиристор BT151-650R
#9665
|
21478 | NXP | 82 шт |
15 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220 | 650V | 7.5A | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон КС409А
#10108
|
21847 | СНГ | 82 шт |
4 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый, пленарный, средней мощности. Предназначен для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 1...48 мА. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 200шт. | — | — | — | — | 5V6 | kd2 | — | ||||||||
Транзистор П417
#16885
|
29132 | СНГ | 82 шт |
10 грн.
|
|
Германиевые диффузионные высокочастотные (200 МГц) p-n-p транзисторы малой мощности. | 1.8 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 10В | 10мА | 200МГц | 100 | — | — | — |
