Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
Диод 12CWQ10FN
#11336
|
23442 | INTERNATIONAL RECTIFIER | — |
17 грн.
|
|
— | 0.5 | — | — | — | SMD | DPAK;TO-252 | 100V | 12A | — | Шотки | — | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | двойной общий катод | ||||||||
| 23473 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Микросхемы КР142ЕН18Б представляют собой регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением 1,2-6,5 В и током нагрузки до 1,5 А. | 2.5 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема ЭКР1533ИР35
#11369
|
23477 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | 8-разрядный регистр на D-триггерах с общим входом сброса. | 1.3 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КП959А
#11371
|
23480 | INTEGRAL | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КП959А кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. | 0.6 | — | TO126 | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 220В | 200мА | 7Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КП350В Аu
#11377
|
23488 | СНГ | — |
27 грн.
|
|
— | Транзисторы КП350В кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. | 0.4 | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | — | — | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема SN74LS123N
#11383
|
23494 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
17 грн.
|
|
— | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 23495 | MPN | — |
12 грн.
|
|
— | Два четырехканальных формирователя с тремя состояниями на выходе. | 1.6 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 18шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон BZV85-C12V
#11385
|
23496 | PHILIPS | — |
2 грн.
|
|
— | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 1.3Вт | 5000шт. | — | — | — | — | 12V | DO-41 | — | ||||||||
Стабилитрон Д814Г1
#11387
|
23498 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | Стабилитроны Д814Г1 кремниевые, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 10,0-12,0 В. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 500шт. | — | — | — | — | 11V | kd2 | — | |||||||
| 23505 | — | — |
12 грн.
|
— | Основные технические параметры варикапа КВ121А: Сд min-Общая емкость минимальная: 4,3 пФ при Uобр 25 В; Сд max -Общая емкость максимальная: 6 пФ при Uобр 25 В; Qв-Добротность варикапа: 200; Iобр-Постоянный обратный ток: 0,5 мкА при Uобр 28 В; Uoбp-Постоянное обратное напряжение: 30 В; Диапазон рабочих температур: -40... +100 °С. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема UA78L05C
#11396
|
23507 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
10 грн.
|
|
— | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема 298ФН13
#11397
|
23508 | СНГ | — |
64 грн.
|
|
— | ФНЧ 2-го порядка по классической схеме на эмиттерном повторителе. | 7.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | Фильтры | — | — | — | — | — | 10шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема КМ1816ВЕ48 Au
#11398
|
23509 | СНГ | — |
162 грн.
|
|
— | Микросхема КМ1816ВЕ48 представляет собой однокристальную 8-разрядную микро-ЭВМ с ППЗУ с УФ стиранием информации емкостью 8 кбит (1024x8). | 5.7 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | — | Процессоры | — | — | — | — | — | 5шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Стабилитрон 2С119А (=КС119А)
#11399
|
23510 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Основные технические параметры стабистора 2С119А: • Номинальное напряжение стабилизации: 1,9 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,42...-0,2 %/°С; • Дифференциальное сопротивление: 15 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность: 0,18 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 180мВт | 100шт. | — | — | — | — | 1V9 | kd-8 | — | |||||||
Стабилитрон 2С510А (=КС510А)
#11400
|
23511 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабилитроны 2С510А кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 10 В в диапазоне токов стабилизации 1...79 мА. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 10V | kd-8 | — | |||||||
Стабилитрон 2С920А (=КС920А)
#11402
|
23513 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Стабилитроны 2С920А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 120 В в диапазоне токов стабилизации 5...42 мА. | 4.2 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 120V | ks620 | — | |||||||
Микросхема КМ133ЛА7
#11407
|
23524 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | 2 четырехвходовые схемы И-НЕ с открытым коллекторным выходом и повышенной нагрузочной способностью (элементы индикации). | 0.3 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КП303Е Ni
#11408
|
23525 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КП307Е Au
#11409
|
23526 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | 0.4 | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 27В | 25мА | 250мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Микросхема 541РТ1 Ni
#11413
|
23530 | СНГ | — |
75 грн.
|
|
— | Биполярное ОЗУ выполнено на основе интегрально-инжекционной логики. Микросхемы 541РТ1 представляют собой однократно программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 1 кбит (256 х 4). Совместимы по входу и выходу с ТТЛ-схемами. Функциональная схема включает в себя входные схемы адреса, дешифратор, мультиплексор, схемы управления, выходные схемы и накопитель 32 х 32. | 0.9 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Память | — | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Стабилитрон КС107А стек.
#11418
|
23535 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | • Номинальное напряжение стабилизации: 0.7 В при Iст 10 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,3 %/°С; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 300шт. | — | — | — | — | 0.7V | kd2 | — | |||||||
Стабилитрон КС582Г
#11419
|
23536 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабилитроны кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности, прецизионные. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 720мВт | 80шт. | — | — | — | — | 82V | — | — | |||||||
Стабилитрон КС630А
#11420
|
23537 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Стабилитроны КС630А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 130 В в диапазоне токов стабилизации 5...38 мА. | 3 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 130V | ks620 | — | |||||||
Стабилитрон КС407Г
#11426
|
23543 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Стабилитрон кремниевый, планарный, средней мощности. Основные технические параметры стабилитрона КС407Г: • Номинальное напряжение стабилизации: 5,1 В при Iст 20 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 4,8... 5,4 В; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 17 Ом при Iст 20 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 59 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -40... +85 °С. | 0.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | 5V1 | kd2 | — | |||||||
Тиристор КУ202Б
#11428
|
23545 | — | — |
20 грн.
|
— | Постоянное максимальное обратное напряжение 25 В Постоянное максимальное напряжение в закрытом состоянии 25 В Постоянный импульсный ток в открытом состоянии - 30 А Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии 10 А Напряжение в открытом состоянии <=1,5 В Неотпирающее постоянное напряжение управления >=0,2 В Постоянный ток в закрытом состоянии <=4 мА Постоянный обратный ток <=4 мА Отпирающий постоянный ток управления <=200 мА Постоянное отпирающее напряжение управления <=7 В Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс Время включения <=10 мкс Время выключения <=100 мкс. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ502Б
#11433
|
23559 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ502Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ502В
#11434
|
23560 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ502В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ502Г
#11435
|
23561 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ502Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ502Е
#11436
|
23562 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ502Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 80В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ503В
#11438
|
23565 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзисторы КТ503В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — |
