Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Диод КД521А
#16199
|
28445 | СНГ | 41 шт |
1 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода КД521А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 75 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 75 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс; • Сд - Общая емкость: 4 пФ. | 0.2 | — | — | — | DIP | КД-2 | 75V | 50mA | 500mA | — | Импульсный | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 1Т403Б (=ГТ403Б)
#16886
|
29133 | СНГ | 41 шт |
25 грн.
|
|
Транзистор 1Т403Б германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 4Вт | 100шт. | 30В | 1,25А | — | 150 | — | — | — | — | ||||||||||
Диодный мост GBU610
#17055
|
29305 | SEP | 41 шт |
12 грн.
|
|
Диодный мост 1000V, 6A. | 3.7 | — | — | — | SMD | — | 1000V | 6A | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Диод 2Д213Г (=КД213Г)
#8885
|
22966 | СНГ | 40 шт |
25 грн.
|
|
Диод кремниевый, диффузионный. Основные технические характеристики диода 2Д213Г: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,3 мкс; • Сд - Общая емкость: 550 пФ при Uoбp 100 В. | 4 | — | — | — | DIP | КД-23 | 100V | 10A | — | — | Выпрямительный | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
Микросхема A40MX04-PL44
#9867
|
21646 | ACTEL | 40 шт |
985 грн.
|
|
FPGA - Программируемая вентильная матрица MX | 3 | PLCC44 | — | — | SMD | — | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 27шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 22447 | СНГ | 40 шт |
240 грн.
|
|
Решающее устройство для амплитудно-временной селекции входных сигналов. | 3.7 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23356 | Taychipst | 40 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Защитный | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 8.2V | — | ||||||||||||
Диодный блок КЦ401А
#11630
|
23860 | СНГ | 40 шт |
12 грн.
|
|
Блок из кремниевых, диффузионных диодов, соединенных по схеме удвоителя напряжения. | 75 | — | — | — | DIP | — | 500V | 400mA | — | — | Выпрямительный | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | сборка | ||||||||||
| 24028 | СНГ | 40 шт |
480 грн.
|
|
Токовый ключ для формирования на сопротивлениях нагрузки, подключенных к выходам, импульсов тока, при поступлении на управляющие входы импульсов напряжения. | 3.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 24030 | СНГ | 40 шт |
984 грн.
|
|
Предназначена, совместно с внешними элементами, для преобразования биполярного квазитроичного сигнала в коде НДВ-3 или АМI в униполярный двоичный цифровой сигнал на приеме и обратного преобразования на передаче. | 7.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефония | — | — | — | 16шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 24031 | СНГ | 40 шт |
324 грн.
|
|
Назначение - преобразование синусоидального сигнала в последовательность прямоугольных импульсов. | 5.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефония | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема К599ЛД1
#14355
|
26566 | СНГ | 40 шт |
10 грн.
|
|
Два расширителя по ИЛИ (4ИЛИ)2. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П201Э
#16183
|
28457 | СНГ | 40 шт |
15 грн.
|
|
Характеристики транзистора П201Э: Структура P-N-P Uк-э.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постоянный) 1.5А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 100КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 50шт. | 30В | 1.5А | 0,1МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П605
#16946
|
29193 | СНГ | 40 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор германиевый структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. | 9.2 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 3Вт | 50шт. | 40В | 1.5А | 30МГц | 60 | — | — | — | — | ||||||||||
Диодный мост DB157S
#3391
|
22491 | SEP | 39 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | — | — | SMD | DBS | 1000V | 1.5A | — | — | Диодный мост | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20963 | First | 39 шт |
10 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220 | 100V | 10A | — | — | Шотки | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | двойной общий катод | ||||||||||||
Диод DMV32
#4301
|
20968 | ST MICROELECTRONICS | 39 шт |
25 грн.
|
|
1.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 1500V | 6A | — | — | Демпферный | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | 2 последовательных диода | |||||||||||
Транзистор TIP112
#6652
|
22462 | SAMSUNG | 39 шт |
11 грн.
|
|
2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 50Вт | 50шт. | 100В | 2А | — | 1000 | — | — | — | — | |||||||||||
| 21929 | СНГ | 39 шт |
10 грн.
|
|
Основные технические параметры микросхемы КР142ЕН5Б: • Выходное напряжение: 6 ±0,12 В; • Выходной ток: 2 А; • Входное напряжение: 15 В; • Нестабильность по току: 1,33 %/А; • Нестабильность по напряжению: 0,05 %/В; • Диапазон рабочих температур: -45...+70°С. | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 21353 | СНГ | 39 шт |
100 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзистор 2Т826А выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826А выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. | 14 | — | kt-9 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 15Вт | 40шт. | 700В | 1А | 6МГц | 10 | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор 2SC2654
#10471
|
22496 | NEC | 39 шт |
9,50 грн.
|
|
2.5 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 40Вт | 50шт. | 100В | 7А | — | 320 | — | — | — | — | |||||||||||
Симистор BT132-600D (132-6D)
#10491
|
22536 | NXP | 39 шт |
5 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | TO-92 | 600V | 1A | — | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23476 | ST MICROELECTRONICS | 39 шт |
5 грн.
|
|
Стабилизатоp -8V/0.1A | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема 24LC01B-I/SN
#12756
|
25112 | MICROHCHIP | 39 шт |
11 грн.
|
|
0.4 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | Память | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Микросхема КС500ТМ133
#13583
|
25729 | СНГ | 39 шт |
6 грн.
|
|
4 D-лэтча | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КМ500ЛМ105
#13585
|
25732 | СНГ | 39 шт |
8 грн.
|
|
Микросхема представляет собой 3 логических элемента ИЛИ-НЕ/ИЛИ. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КР1407УД3
#13720
|
25888 | СНГ | 39 шт |
10 грн.
|
|
Микросхемы КР1407УД3 представляют собой малошумящий широкополосный операционный усилитель с регулируемым током управления и применяются в качестве видеоусилителей, чувствительных предусилителей фоторезисторов. Оптимизированы для работы с источником сигналов от 100 Ом до 10 кОм. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабилитрон КС510А
#16629
|
28867 | СНГ | 39 шт |
6 грн.
|
|
Стабилитроны КС510А кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 10 В в диапазоне токов стабилизации 1...79 мА. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 10V | kd-8 | — | — | ||||||||||
Микросхема К170АА2
#870
|
22191 | СНГ | 38 шт |
6 грн.
|
|
Формироватапь втекающего тока на 500 мА. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема 78L15
#3520
|
20566 | ST MICROELECTRONICS | 38 шт |
3 грн.
|
|
Стабилизатоp 15V/0.1A | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
