Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Микросхема BSP75N
#17240
|
29493 | INFINEON TECHNOLOGIES | 27 шт |
55 грн.
|
|
0.3 | SOT223 | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 4000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Оптопара CNX83A
#1722
|
22719 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 26 шт |
17 грн.
|
|
0.4 | DIP6 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Оптопара SFH615A-3
#1757
|
22717 | VISHAY | 26 шт |
13 грн.
|
|
0.4 | DIP4 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема AR8316-AK1E
#4162
|
22932 | ATHEROS | 26 шт |
175 грн.
|
|
6 Port Gigabit Ethernet Switch. | 3 | QFP176 | — | — | SMD | — | — | — | Ethernet | — | — | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
MSC5530
#4380
|
20077 | — | 26 шт |
108 грн.
|
|
Радио усилитель Микротик. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР580ИК51
#9540
|
21690 | СНГ | 26 шт |
20 грн.
|
|
Программируемый последовательный интерфейс (универсальный синхронно - асинхронный приемопередатчик). ИС преобразует параллельный код, получаемый от центрального процессора, в последовательный поток символов со служебными битами. | 3.5 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема 273ФЕ1-01032
#11795
|
24024 | СНГ | 26 шт |
130 грн.
|
|
Интегральный фильтр НЧ. | 7.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | Фильтры | — | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26185 | СНГ | 26 шт |
10 грн.
|
|
Четыре логических элемента 2И-НЕ с высокой нагрузочной способностью. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 29386 | Maxim Integrated | 26 шт |
90 грн.
|
|
0.2 | SOT23 | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Диод MBRB15100CT
#4309
|
20986 | MCC | 25 шт |
16 грн.
|
|
Диод 15A,100V Schottky x2 | 1.3 | — | — | — | DIP | D2PAK | 100V | 15A | — | Шотки | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | двойной общий катод | ||||||||
Микросхема КР134ЛА2
#8307
|
22071 | СНГ | 25 шт |
12 грн.
|
|
Логический элемент 8И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К174УР5
#8400
|
22006 | СНГ | 25 шт |
15 грн.
|
|
Усилитель ПЧ | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КС1146ПП1
#8405
|
22282 | СНГ | 25 шт |
20 грн.
|
|
Кодек передающего и приемного каналов систем телефонной связи с импульсно-кодовой модуляцией. | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 21354 | СНГ | 25 шт |
100 грн.
|
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзистор 2Т826Б выпускается в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826Б выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. | 14 | — | kt-9 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 15Вт | 40шт. | 700В | 1А | 6МГц | 10 | — | — | — | — | |||||||||
| 25902 | СНГ | 25 шт |
30 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода КД213А ОС: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,3 мкс; • Сд - Общая емкость: 550 пФ при Uoбp 100 В | 3.5 | — | — | — | DIP | КД-23 | 200V | 10A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Диод 2Д203Д (=КД203Д)
#13781
|
25960 | СНГ | 25 шт |
45 грн.
|
|
Диоды 2Д203Д кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Основные технические характеристики диода 2Д203Д: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 700 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1500 мкА при Uoбp 1000 В. | 13 | — | — | — | Винт | — | 700V | 10A | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Варикап КВ103А
#16193
|
28439 | СНГ | 25 шт |
15 грн.
|
Uобр(max) Максимальное обратное напряжение 80В Pmax Максимальная рассеиваемая мощность 5Вт t < +50°C Cном. Общая ёмкость 18..32пФ f=1..10МГц Uобр=4В Kc Коэффициент перекрытия по ёмкости ~3,3 при Uобр=4В/50В f=1..10МГц Qв Добротность >50 f=50МГц Uобр=4В. | 6.5 | — | — | — | Винт | КД-11 | — | — | — | — | — | — | — | 7Вт | 10шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К531ЛР9П
#744
|
21902 | СНГ | 24 шт |
10 грн.
|
|
Логический элемент 4-2-3-2И-4ИЛИ-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
MOC8103
#1742
|
20128 | — | 24 шт |
23 грн.
|
|
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Оптопара MOC8104
#1743
|
22714 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 24 шт |
8 грн.
|
|
0.4 | DIP6 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема 78M06
#3525
|
23328 | ST MICROELECTRONICS | 24 шт |
4 грн.
|
|
0.5 | DPAK | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К554СА1
#7397
|
21900 | СНГ | 24 шт |
15 грн.
|
|
Сдвоенный компаратор напряжения. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
AP9962AGH
#7959
|
20363 | ADVANCED POWER ELECTRONICS | 24 шт |
12 грн.
|
|
скачать datasheet AP9962AGH pdf,146 КБ | 0.47 | — | TO252 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 40В | 32А | 27.8Вт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 22317 | TEXAS INSTRUMENTS | 24 шт |
22 грн.
|
|
Buffers & Line Drivers Octal Inv Buff/ Line Drv W/3-St Otpt. | 2 | DIP20 | — | — | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон 1N5342B(6V8)
#11053
|
23073 | ON SEMICONDUCTOR | 24 шт |
5,50 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 500шт. | — | — | — | — | 6V8 | do201 | — | — | |||||||||
| 23362 | Taychipst | 24 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 13V | — | ||||||||||
| 23373 | VISHAY | 24 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 27V | — | ||||||||||
Транзистор КТ826А
#13930
|
26109 | СНГ | 24 шт |
70 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ826А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом. | 14 | — | kt-9 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 15Вт | 40шт. | 700В | 1А | 6МГц | 10 | — | — | — | — | ||||||||
| 28886 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 24 шт |
8 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | Защитный | — | — | — | 600Вт | 4000шт. | — | — | — | — | — | — | 58V | — | ||||||||||
Транзистор FQB16N15TM
#17080
|
29321 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 24 шт |
32 грн.
|
|
1.5 | — | D2PAK | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 150В | 16.4А | 108 Вт | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
