Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Назначение Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Конструкция диода
22197 СНГ 12 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Логический элемент 3ИЛИ-НЕ/3ИЛИ с возможностью расширения по ИЛИ и с нагрузочными резисторами на выходах. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
23487 СНГ 12 шт
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзисторы КТ629А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с защитным покрытием с гибкими выводами. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем. 1.8 Биполярный SMD PNP 1Вт 100шт. 250МГц 25
23740 ST MICROELECTRONICS 12 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.4 SOT223 SMD Питание 1000шт.
23879 СНГ 12 шт
20 грн.
Основные технические параметры тиристора КУ221Г: • Повторяющееся импульсное напряжение: 50 В; • Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии: 600 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 100 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 3,2 А; • Импульсное напряжение в открытом состоянии: не более 3,5 В; • Неотпирающее постоянное напряжение управления: 10 В; • Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии: не более 0,3 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 150 мА; • Импульсное отпирающее напряжение управления: не более 7 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 200 В/мкс; • Время выключения: не более 10 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 6 DIP 600V 3.2A 50шт.
28374 DIOTEC SEMICONDUCTOR 12 шт
6 грн.
100+5,40 грн.
200+4,80 грн.
500+4,20 грн.
100V 6A 1.8 DIP R-6 100V 6A Выпрямительный 1000шт. одиночный
28437 СНГ 12 шт
20 грн.
12 DIP 50V 10A 50шт.
28759 СНГ 12 шт
30 грн.
Основные технические параметры тиристора 2У203Д: • Повторяющееся импульсное напряжение: 200 В; • Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии: 200 В; • Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 100 А; • Средний импульсный ток в открытом состоянии: 5 А; • Импульсное напряжение в открытом состоянии: не более 2 В; • Неотпирающее постоянное напряжение управления: не менее 0,1 В; • Постоянный ток в закрытом состоянии: не более 10 мА; • Постоянный обратный ток: не более 10 мА; • Отпирающий постоянный ток управления: не более 450 мА; • Постоянное отпирающее напряжение управления: не более 2,5 В; • Импульсное отпирающее напряжение управления: 10 В; • Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: не более 20 В/мкс; • Время включения: не более 3 мкс; • Время выключения: не более 7 мкс; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С. 33 DIP 10A 20Вт 20шт.
28868 СНГ 12 шт
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Стабилизатор постоянного тока КЖ101А кремниевый, планарный, n-канальный ДМОП транзистор со встроенным каналом. 0.5 DIP8 DIP Питание 400шт.
22308 СНГ 11 шт
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Схема выбора телевизионных программ. 4 DIP28 DIP TV 36шт.
22240 СНГ 11 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Кодирующий элемент с приоритетом. 1.3 DIP16 DIP Логика 90шт.
22933 ATHEROS 11 шт
209 грн.
10+198,55 грн.
50+188,10 грн.
100+167,20 грн.
32 -битный процессор MIPS 24K , работающий с частотой до 400 МГц с 8 KB ICACHE и 32 KB DCache. 5 QFP128 SMD Ethernet 90шт.
22649 СНГ 11 шт
40 грн.
Варикапы кремниевые, диффузионно-сплавные, подстроенные. Предназначены для применения в схемах перестройки контуров резонансных усилителей. 1 DIP КД-9 Варикап 100шт.
21185 Maxim Integrated 11 шт
84 грн.
10+79,80 грн.
50+75,60 грн.
100+67,20 грн.
0.4 SO8 SMD Фильтры 100шт.
21863 СНГ 11 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Двойной JK-триггер. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
23492 TEXAS INSTRUMENTS 11 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
1 DIP14 DIP Логика 25шт.
23873 СНГ 11 шт
400 грн.
10+360 грн.
20+340 грн.
50+320 грн.
ВИ1-18/32 Высоковольтный импульсный кенотрон. Баллон металлостеклянный. Высота 142мм, диаметр 80 мм. Катод вольфрамовый. Охлаждение естествен­ное. Долговечность не менее 500 ч. 450 Зажим 1шт.
23878 СНГ 11 шт
150 грн.
10+135 грн.
20+127,50 грн.
50+120 грн.
Высоковольтный кенотрон. В1-0.03/13 предназначен для выпрямления переменного тока в непрерывном и импульсном режимах работы в аппаратуре специального назначения. Катод - оксидный прямого накала. Оформление стеклянное с цоколем. 50 Зажим 1шт.
24096 JRC 11 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
0.4 SO8 SMD Усилители 2500шт.
25228 СНГ 11 шт
40 грн.
50+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
Диоды 2Д201Г кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. 13 Винт КДЮ-11 200V 10A 15A Выпрямительный 40шт. одиночный
25753 СНГ 11 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Быстродействующий компаратор напряжения. 1 DIP14 DIP Усилители 100шт.
25822 Power Integrations 11 шт
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
0.5 SMD-8B SMD Питание 50шт.
25956 СНГ 11 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П214А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 11 Биполярный DIP PNP 10Вт 20шт. 55В 0,15МГц 150
28375 DIOTEC SEMICONDUCTOR 11 шт
8 грн.
100+7,20 грн.
200+6,40 грн.
500+5,60 грн.
400V 6A 1.8 DIP R-6 400V 6A Выпрямительный 1000шт. одиночный
28431 СНГ 11 шт
50 грн.
50+45 грн.
200+40 грн.
500+35 грн.
Диоды КД203Г кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц. Основные технические характеристики диода КД203Г: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 700 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1500 мкА при Uoбp 1000 В. 13 Винт 700V 10A Выпрямительный 25шт. одиночный
28478 СНГ 11 шт
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Микросхема КР597СА1 представляет собой два маломощных прецизионных компаратора напряжения. Предназначены для сравнения аналоговых величин или согласования логических уровней систем микросхем. По выходу сопрягаются со схемами РТЛ, ДТЛ, ТТЛ и КМОП. 1.2 DIP16 DIP Компараторы 90шт.
28852 СНГ 11 шт
44 грн.
10+41,80 грн.
50+39,60 грн.
100+35,20 грн.
Основные технические характеристики транзистора 2Т831В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом. 1 TO39 Биполярный DIP NPN 1Вт 100шт. 70В 4МГц 25
21419 СНГ 10 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
4 двунаправленных переключателя. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22189 СНГ 10 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
21-разрядный регистр сдвига. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
21339 СНГ 10 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22744 VISHAY 10 шт
17 грн.
10+15,30 грн.
50+13,60 грн.
0.3 DIP4 DIP 100шт.