Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
| 21655 | СНГ | 637 шт |
40 грн.
|
|
Столб из кремниевых, диффузионных, лавинных диодов, импульсный. Предназначен для преобразования переменного импульсного напряжения частотой до 1 кГц. | 63 | — | — | — | Винт | — | 6kV | 500mA | — | Высоковольтный | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | сборка | |||||||||||
| 22063 | СНГ | 637 шт |
10 грн.
|
|
АЛУ для записи двух 4-разрядных слов. | 5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор BC558B
#2383
|
22519 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 630 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 500мВт | 4000шт. | 30В | 100мА | — | 450 | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор КТ645А
#10316
|
22265 | INTEGRAL | 628 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 1000шт. | 50В | 300мА | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 28264 | MICROHCHIP | 628 шт |
22 грн.
|
|
0.11 | SOT23 | — | — | SMD | — | — | — | Питание | — | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Транзистор КТ3130А9 (=ВСW71)
#10107
|
21846 | INTEGRAL | 626 шт |
2,50 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | NPN | 100мВт | 1000шт. | 40В | 100мА | 150МГц | 250 | — | — | — | |||||||||||
|
Микросхема КМ155ЛР1
#950
|
21300 | СНГ | 622 шт |
5 грн.
|
|
2 логических элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ, один расширяемый по ИЛИ. | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Стабилитрон КС224Ж
#10099
|
21837 | СНГ | 618 шт |
2,50 грн.
|
|
Стабилитрон Р=0.125Вт U=24В при Iст=2мА | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 1000шт. | — | — | — | — | 24V | kd2 | — | ||||||||||
|
Стабилитрон Д816Б
#11968
|
24257 | СНГ | 617 шт |
6 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 27В Основные технические параметры стабилитрона Д816Б: • Разброс напряжения стабилизации: 24,2... 29,5 В при Iст 150 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,12 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 5 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 8 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 10 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 180 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С | 2.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 27V | ks620 | — | ||||||||||
|
Микросхема К561ПУ4
#3950
|
21931 | СНГ | 615 шт |
4 грн.
|
|
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхемы К561ПУ4 представляют собой шесть преобразователей уровня. Применяются для согласования КМОП- и ТТЛ-схем, а также низкопороговых и высокопороговых КМОП-схем. Содержат 104 интегральных элемента. Корпус типа 2103Ю.16-Д, масса не более 1,5 г. | 1.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор BC547C
#2231
|
23481 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | 608 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 2500шт. | 45В | 100мА | — | 400 | — | — | — | |||||||||||
|
Микросхема К155РЕ3
#962
|
21276 | СНГ | 601 шт |
6 грн.
|
|
Микросхемы К155РЕ3 представляют собой электрически программируемое посредством пережигания плавких перемычек постоянное запоминающее устройство (ППЗУ) емкостью 256 бит (с организацией 32 слова х 8 разрядов). | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Память | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Микросхема К131ЛН1
#746
|
21203 | СНГ | 599 шт |
4 грн.
|
|
6 логических элементов НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Диод ES1D-E3/61T (ED)
#16913
|
29160 | VISHAY | 598 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | SMD | DO-214AC, SMA | 200V | 1A | — | Быстрый | — | — | 1800шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||||
|
Микросхема К174УР1
#854
|
21967 | СНГ | 597 шт |
10 грн.
|
|
Микросхемы К174УР1 представляют собой узлы обработки ЧМ сигнала. Предназначены для усиления и ограничения напряжения промежуточной и разностной частот, частотного детектирования и электронной регулировки напряжения звуковой частоты в телевизионной и радиовещательной приемной аппаратуре. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Диод КД221В
#11453
|
23583 | СНГ | 592 шт |
0,80 грн.
|
|
Диоды КД221В кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц. | 0.3 | — | — | — | DIP | КД-5А | 400V | 300mA | — | Выпрямительный | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
|
Микросхема К561ИЕ11
#724
|
21374 | СНГ | 587 шт |
6 грн.
|
|
Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Микросхема SN74LS138N
#10115
|
21854 | MOTOROLA | 585 шт |
13 грн.
|
|
1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор П214В
#12366
|
24701 | СНГ | 584 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 50шт. | 55В | 5А | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Стабилитрон Д815Б
#14018
|
26197 | СНГ | 579 шт |
6 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 6,8В Основные технические параметры стабилитрона Д815Б: • Разброс напряжения стабилизации: 6,1... 7,5 В при Iст 1 А; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,05 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 0,8 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 50 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 1,15 А; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 2.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 6V8 | ks620 | — | ||||||||||
|
Тиратрон МТХ-90
#14130
|
26311 | СНГ | 579 шт |
15 грн.
|
|
Тиратрон тлеющего разряда Выпускается в стеклянном оформлении. Баллон наполнен неоном. Выводы электродов жесткие проволочные. Работает в любом положении. Температура окружающей среды от 60 до +85° С. Охлаждение естественное. | 3.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 29026 | NXP | 578 шт |
37 грн.
|
|
5Mbps SOIC-8 CAN Transceivers. | 0.2 | SOIC-8 | — | — | SMD | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Микросхема К176ИЕ1
#8380
|
22297 | СНГ | 568 шт |
6 грн.
|
|
6-разрядный двоичный счетчик. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Стабилитрон Д815Ж
#14014
|
26193 | СНГ | 568 шт |
7 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 180В Основные технические параметры стабилитрона Д815Ж: • Разброс напряжения стабилизации: 16,2... 19,8 В при Iст 500 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,11 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 3 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 25 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 450 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 2.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 18V | ks620 | — | ||||||||||
|
Стабилитрон Д817А
#11962
|
24251 | СНГ | 565 шт |
6 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 56В Основные технические параметры стабилитрона Д817А: • Разброс напряжения стабилизации: 50,5... 61,5 В при Iст 50 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,14 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 6 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 35 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 90 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С | 3.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 56V | ks620 | — | ||||||||||
| 20624 | TEXAS INSTRUMENTS | 562 шт |
12 грн.
|
|
0.5 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Логика | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Стабилитрон КС433А
#11425
|
23542 | СНГ | 561 шт |
4 грн.
|
|
Стабилитроны КС433А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 3...191 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС433А: • Номинальное напряжение стабилизации: 3,3 В при Iст 30 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 2,97... 3,63 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 25 Ом при Iст 30 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 191 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С | 0.7 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 500шт. | — | — | — | — | 3V3 | kd-8 | — | ||||||||||
|
Микросхема К561ИД1
#7360
|
21326 | СНГ | 560 шт |
6 грн.
|
|
Двоично-десятичный дешифратор. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Диод КД209Б
#15523
|
27762 | СНГ | 551 шт |
1 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода КД209Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 500 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 500 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 600 В. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | 600V | 500mA | — | Выпрямительный | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
|
Микросхема КМ155ЛН1
#981
|
21293 | СНГ | 550 шт |
8 грн.
|
|
Микросхемы КМ155ЛН1 представляют собой 6 логических элементов НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — |