Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип корпуса	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Напряжение стабилизации	Тип корпуса стабилитрона	Конструкция диода

Транзистор МП13

#14471

26682

СНГ

645 шт

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

Транзисторы МП13 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Основные технические характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...55; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц.

1.8

—

КТЮ-3-6

Биполярный

DIP

—

PNP

150мВт

100шт.

15В

20мА

0,5МГц

—

Микросхема К561ТВ1

#3951

21378

СНГ

640 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхемы К561ТВ1А представляют собой два JK-триггера с асинхронными RS-входами и динамическим управлением записи. Содержат 138 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-1, масса не более 1,5 г.

1.1

DIP16

—

DIP

—

Логика

—

90шт.

—

Столб выпрямительный КЦ201В

#9876

21655

СНГ

637 шт

40 грн.

50+	36 грн.
200+	32 грн.
500+	28 грн.

Столб из кремниевых, диффузионных, лавинных диодов, импульсный. Предназначен для преобразования переменного импульсного напряжения частотой до 1 кГц.

—

Винт

—

6kV

500mA

—

Высоковольтный

—

20шт.

—

сборка

Микросхема КР531ИП3 (=SN74S181)

#10173

22063

СНГ

637 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

АЛУ для записи двух 4-разрядных слов.

DIP24

—

DIP

—

Логика

—

36шт.

—

Транзистор BC558B

#2383

22519

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

630 шт

1 грн.

10+	0,95 грн.
50+	0,90 грн.
100+	0,80 грн.
500+	0,70 грн.

0.3

—

TO92

Биполярный

DIP

—

PNP

500мВт

4000шт.

30В

100мА

—

450

—

Транзистор КТ645А

#10316

22265

INTEGRAL

628 шт

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

0.3

—

TO92

Биполярный

DIP

—

NPN

500мВт

1000шт.

50В

300мА

—

Микросхема MCP130T-475I/TT (POEJ)

#16027

28264

MICROHCHIP

628 шт

22 грн.

10+	20,90 грн.
50+	19,80 грн.
100+	17,60 грн.

0.11

SOT23

—

SMD

—

Питание

—

3000шт.

—

Транзистор BD139-16 (=КТ815Г)

#9907

21707

INTEGRAL

626 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
500+	4,20 грн.

—

TO126

Биполярный

DIP

—

NPN

12.5Вт

1000шт.

80В

1.5А

—

Транзистор КТ3130А9 (=ВСW71)

#10107

21846

INTEGRAL

626 шт

2,50 грн.

10+	2,37 грн.
50+	2,25 грн.
100+	2 грн.

0.1

—

SOT23

Биполярный

SMD

—

NPN

100мВт

1000шт.

40В

100мА

150МГц

250

—

Стабилитрон Д814В

#13944

26123

СНГ

626 шт

3 грн.

50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.
250+	2,25 грн.

Стабилитроны Д814В кремниевые, сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 9,0-10,5 В в диапазоне токов стабилизации 3...32 мА.

0.8

—

DIP

—

340мВт

500шт.

—

10V

kd-8

—

Транзистор КТ315Е

#6840

23555

СНГ

625 шт

2 грн.

10+	1,90 грн.
50+	1,80 грн.
100+	1,60 грн.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.

0.25

—

КТ-13

Биполярный

DIP

—

NPN

150мВт

800 шт.

35В

100мА

250МГц

350

—

Транзистор MMBT4401 (2X)

#9700

21035

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

624 шт

1 грн.

10+	0,95 грн.
50+	0,90 грн.
100+	0,80 грн.
500+	0,70 грн.

0.1

—

SOT23

Биполярный

SMD

—

NPN

350мВт

3000шт.

40В

600мА

—

300

—

Микросхема КМ155ЛР1

#950

21300

СНГ

622 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

2 логических элемента 2-2И-2ИЛИ-НЕ, один расширяемый по ИЛИ.

1.1

DIP14

—

DIP

—

Логика

—

100шт.

—

Стабилитрон КС224Ж

#10099

21837

СНГ

618 шт

2,50 грн.

50+	2,25 грн.
100+	2 грн.
250+	1,87 грн.

Стабилитрон Р=0.125Вт U=24В при Iст=2мА

0.2

—

DIP

—

125мВт

1000шт.

—

24V

kd2

—

Стабилитрон Д816Б

#11968

24257

СНГ

617 шт

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

Стабилитрон кремниевый средней мощности, 27В Основные технические параметры стабилитрона Д816Б: • Разброс напряжения стабилизации: 24,2... 29,5 В при Iст 150 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,12 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 5 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 8 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 10 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 180 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С

2.5

—

Винт

—

5Вт

100шт.

—

27V

ks620

—

Микросхема К561ПУ4

#3950

21931

СНГ

615 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхемы К561ПУ4 представляют собой шесть преобразователей уровня. Применяются для согласования КМОП- и ТТЛ-схем, а также низкопороговых и высокопороговых КМОП-схем. Содержат 104 интегральных элемента. Корпус типа 2103Ю.16-Д, масса не более 1,5 г.

1.1

DIP14

—

DIP

—

Логика

—

90шт.

—

Микросхема К131ЛН1

#746

21203

СНГ

599 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

6 логических элементов НЕ.

DIP14

—

DIP

—

Логика

—

100шт.

—

Микросхема К174УР1

#854

21967

СНГ

597 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Микросхемы К174УР1 представляют собой узлы обработки ЧМ сигнала. Предназначены для усиления и ограничения напряжения промежуточной и разностной частот, частотного детектирования и электронной регулировки напряжения звуковой частоты в телевизионной и радиовещательной приемной аппаратуре.

DIP14

—

DIP

—

100шт.

—

Диод КД221В

#11453

23583

СНГ

592 шт

0,80 грн.

50+	0,72 грн.
200+	0,64 грн.
500+	0,56 грн.

Диоды КД221В кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц.

0.3

—

DIP

КД-5А

400V

300mA

—

Выпрямительный

—

1000шт.

—

одиночный

Диод ES1D-E3/61T (ED)

#16913

29160

VISHAY

588 шт

3 грн.

100+	2,70 грн.
200+	2,40 грн.
500+	2,10 грн.

0.3

—

SMD

DO-214AC, SMA

200V

—

Быстрый

—

1800шт.

—

одиночный

Микросхема SN74LS138N

#10115

21854

MOTOROLA

585 шт

13 грн.

10+	12,35 грн.
50+	11,70 грн.
100+	10,40 грн.

DIP16

—

DIP

—

Логика

—

25шт.

—

Микросхема К561ИЕ11

#724

21374

СНГ

584 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик.

1.2

DIP16

—

DIP

—

Логика

—

100шт.

—

Транзистор П214В

#12366

24701

СНГ

584 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Основные технические характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

10Вт

50шт.

55В

5А

—

Тиратрон МТХ-90

#14130

26311

СНГ

579 шт

15 грн.

10+	13,50 грн.
20+	12,75 грн.
50+	12 грн.

Тиратрон тлеющего разряда Выпускается в стеклянном оформлении. Баллон наполнен неоном. Выводы электродов жесткие проволочные. Работает в любом положении. Температура окружающей среды от 60 до +85° С. Охлаждение естественное.

3.5

—

DIP

—

100шт.

—

Микросхема К176ИЕ1

#8380

22297

СНГ

565 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

6-разрядный двоичный счетчик.

DIP14

—

DIP

—

Логика

—

100шт.

—

Стабилитрон Д815Б

#14018

26197

СНГ

565 шт

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

Стабилитрон кремниевый средней мощности, 6,8В Основные технические параметры стабилитрона Д815Б: • Разброс напряжения стабилизации: 6,1... 7,5 В при Iст 1 А; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,05 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 0,8 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 50 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 1,15 А; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С

2.5

—

Винт

—

8Вт

100шт.

—

6V8

ks620

—

Стабилитрон Д817А

#11962

24251

СНГ

563 шт

6 грн.

50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.
250+	4,50 грн.

Стабилитрон кремниевый средней мощности, 56В Основные технические параметры стабилитрона Д817А: • Разброс напряжения стабилизации: 50,5... 61,5 В при Iст 50 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,14 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 6 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 35 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 90 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С

3.5

—

Винт

—

5Вт

100шт.

—

56V

ks620

—

Микросхема ULN2003ADR (ULN2003A)

#9152

20624

TEXAS INSTRUMENTS

562 шт

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

0.5

SO16

—

SMD

—

Логика

—

2500шт.

—

Стабилитрон КС433А

#11425

23542

СНГ

560 шт

4 грн.

50+	3,60 грн.
100+	3,20 грн.
250+	3 грн.

Стабилитроны КС433А кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 3...191 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС433А: • Номинальное напряжение стабилизации: 3,3 В при Iст 30 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 2,97... 3,63 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,1 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1,5 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 25 Ом при Iст 30 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 191 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 1 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +100 °С

0.7

—

DIP

—

1Вт

500шт.

—

3V3

kd-8

—

Микросхема К561ИД1

#7360

21326

СНГ

555 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Двоично-десятичный дешифратор.

1.1

DIP16

—

DIP

—

Логика

—

90шт.

—