Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
ST MICROELECTRONICS
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.3 TO92 Полевой DIP МОП n-канальный 600В 300мА 3Вт 1000шт.
WEITRON
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
2.5 TO220F Полевой DIP МОП n-канальный 600В 44Вт 50шт.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
0.7 DPAK Полевой SMD МОП n-канальный 1кВ 1.6А 50Вт 75шт.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
2.5 TO220F Полевой DIP МОП n-канальный 600В 34Вт 50шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
2.8 TO220 Полевой DIP МОП n-канальный 600В 3.2А 38Вт 50шт.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
2.5 TO220F Полевой DIP МОП n-канальный 900В 2.1А 43Вт 50шт.
ST MICROELECTRONICS
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
2.8 TO220 Полевой DIP МОП n-канальный 600В 3.3А 80Вт 50шт.
ST MICROELECTRONICS
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
2.5 TO220FP Полевой DIP МОП n-канальный 600В 2.2А 35Вт 50шт.
20573 INTERNATIONAL RECTIFIER
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
0.7 DPAK IGBT SMD 78Вт 1000шт. 330В 40А
20628 INFINEON TECHNOLOGIES
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
2.5 D2PAK IGBT SMD 138Вт 50шт. 600В 15А
21462 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
500+18,90 грн.
7 TO3 Биполярный DIP NPN 130Вт 30шт. 400В 12А 4МГц 30
21470 ST MICROELECTRONICS
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
7 TO247 IGBT DIP 250Вт 30шт. 600В 45А
20786 NXP
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
500+19,60 грн.
5.7 TO3P Биполярный DIP NPN 50Вт 30шт. 1.5кВ
20787 ST MICROELECTRONICS
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
500+19,60 грн.
5.7 TO3P Биполярный DIP NPN 50Вт 30шт. 1.5кВ
20793 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
2.8 TO220 Биполярный DIP NPN 80Вт 50шт. 700В 30
20798 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
2.5 TO220F Полевой DIP МОП n-канальный 600В 4.5А 33Вт 50шт.
20810 Stanson Technology
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
0.3 SO8 Полевой SMD МОП n+p-канал 30В 6.5А 2Вт 2500шт.
20857 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
500+9,80 грн.
2.8 TO220 Биполярный DIP NPN 100Вт 50шт. 400В 12А 4МГц 30
20877 CHINA
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
500+17,50 грн.
7 TO3 Биполярный DIP NPN 45Вт 30шт. 500В
20925 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
62 грн.
10+58,90 грн.
50+55,80 грн.
100+49,60 грн.
7 TO247 IGBT DIP 290Вт 30шт. 600В 40А
20933 RENESAS
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
7 TO247A IGBT DIP 330Вт 30шт. 600В 50А
21016 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
500+9,80 грн.
2.8 TO220 Биполярный DIP NPN 100Вт 50шт. 700В 12А 4МГц 40
21024 ANPEC
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
0.3 SO8 Полевой SMD МОП p-канал x2 30В 4.9А 2.5Вт 2500шт.
21706 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Основные технические характеристики транзистора П214Г: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: не нормируется; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 Биполярный DIP PNP 10Вт 20шт. 55В
21850 INTEGRAL
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
1 TO126 Биполярный DIP NPN 2.5Вт 500шт. 40В 250МГц 150
22268 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура P-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 17 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0.12 Крутизна характеристики S,мА/В 1.3…4.4 Корпус КТ-17 0.7 Полевой DIP 125мВт 200шт.
22390 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. 2 Полевой DIP МОП n-канальный 25В 50мВт 40шт.
22460 SMG
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 50Вт 50шт. 60В 1000
22467 ST MICROELECTRONICS
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
2.5 TO220 Биполярный DIP NPN 70Вт 50шт. 60В 1000
22477 ST MICROELECTRONICS
31 грн.
10+29,45 грн.
50+27,90 грн.
100+24,80 грн.
500+21,70 грн.
7.5 TO247 Биполярный DIP PNP 80Вт 30шт. 100В 10А 100