Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
— INFINEON TECHNOLOGIES —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
— 2.8 TO220 Полевой DIP МОП n-канальный 600В 3.2А 38Вт 50шт. — — — —
— FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— 2.5 TO220F Полевой DIP МОП n-канальный 900В 2.1А 43Вт 50шт. — — — —
— ST MICROELECTRONICS —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
— 2.8 TO220 Полевой DIP МОП n-канальный 600В 3.3А 80Вт 50шт. — — — —
— ST MICROELECTRONICS —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
— 2.5 TO220FP Полевой DIP МОП n-канальный 600В 2.2А 35Вт 50шт. — — — —
20573 INTERNATIONAL RECTIFIER —
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
— 0.7 DPAK IGBT SMD — — — 78Вт 1000шт. 330В 40А — —
20628 INFINEON TECHNOLOGIES —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
— 2.5 D2PAK IGBT SMD — — — 138Вт 50шт. 600В 15А — —
21462 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
500+18,90 грн.
— 7 TO3 Биполярный DIP NPN — — 130Вт 30шт. 400В 12А 4МГц 30
21470 ST MICROELECTRONICS —
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
— 7 TO247 IGBT DIP — — — 250Вт 30шт. 600В 45А — —
20786 NXP —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
500+19,60 грн.
— 5.7 TO3P Биполярный DIP NPN — — 50Вт 30шт. 1.5кВ 8А — —
20787 ST MICROELECTRONICS —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
500+19,60 грн.
— 5.7 TO3P Биполярный DIP NPN — — 50Вт 30шт. 1.5кВ 8А — —
20793 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
500+5,60 грн.
— 2.8 TO220 Биполярный DIP NPN — — 80Вт 50шт. 700В 8А — 30
20798 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
— 2.5 TO220F Полевой DIP МОП n-канальный 600В 4.5А 33Вт 50шт. — — — —
20810 Stanson Technology —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— 0.3 SO8 Полевой SMD МОП n+p-канал 30В 6.5А 2Вт 2500шт. — — — —
20857 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
500+9,80 грн.
— 2.8 TO220 Биполярный DIP NPN — — 100Вт 50шт. 400В 12А 4МГц 30
20877 CHINA —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
500+17,50 грн.
— 7 TO3 Биполярный DIP NPN — — 45Вт 30шт. 500В 7А — —
20925 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
62 грн.
10+58,90 грн.
50+55,80 грн.
100+49,60 грн.
— 7 TO247 IGBT DIP — — — 290Вт 30шт. 600В 40А — —
20933 RENESAS —
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
— 7 TO247A IGBT DIP — — — 330Вт 30шт. 600В 50А — —
21016 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
500+9,80 грн.
— 2.8 TO220 Биполярный DIP NPN — — 100Вт 50шт. 700В 12А 4МГц 40
21024 ANPEC —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— 0.3 SO8 Полевой SMD МОП p-канал x2 30В 4.9А 2.5Вт 2500шт. — — — —
21706 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
— Основные технические характеристики транзистора П214Г: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: не нормируется; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. 10 — Биполярный DIP PNP — — 10Вт 20шт. 55В 5А — —
21850 INTEGRAL —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 1 TO126 Биполярный DIP NPN — — 2.5Вт 500шт. 40В 1А 250МГц 150
22268 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Структура P-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 17 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0.12 Крутизна характеристики S,мА/В 1.3…4.4 Корпус КТ-17 0.7 — Полевой DIP — — — 125мВт 200шт. — — — —
22390 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
— Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. 2 — Полевой DIP МОП n-канальный 25В — 50мВт 40шт. — — — —
22460 SMG —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
500+4,90 грн.
— 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 50шт. 60В 2А — 1000
22467 ST MICROELECTRONICS —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
500+7 грн.
— 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 70Вт 50шт. 60В 8А — 1000
22477 ST MICROELECTRONICS —
31 грн.
10+29,45 грн.
50+27,90 грн.
100+24,80 грн.
500+21,70 грн.
— 7.5 TO247 Биполярный DIP PNP — — 80Вт 30шт. 100В 10А — 100
22494 SANKEN —
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
500+6,30 грн.
— 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 50Вт 50шт. 400В 7А 10МГц 30
22495 MOSPEC —
9,50 грн.
10+9,02 грн.
50+8,55 грн.
100+7,60 грн.
500+6,65 грн.
— 2.5 TO220 Биполярный DIP NPN — — 25Вт 50шт. 50В 3А 5МГц 320
22530 TOSHIBA —
2,50 грн.
10+2,37 грн.
50+2,25 грн.
100+2 грн.
500+1,75 грн.
— 0.5 TO92L Биполярный DIP NPN — — 900мВт 200шт. 300В 100мА 50МГц 150
22531 CDIL —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
500+1,40 грн.
— 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN — — 350мВт 200шт. 30В 100мА 280МГц 900