Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
21,40 грн.
Корпус: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 30 Rds(on), Ohm: 0.0016 Ciss, pF/Qg, nC: 3700/29
47,40 грн.
Корпус: TO-247 Uds,V: 800 Idd,A: 9 Rds(on), Ohm: 0,9
ST MICROELECTRONICS
54,60 грн.
10+51,87 грн.
50+49,14 грн.
100+43,68 грн.
скачать datasheet STW12NK90Z pdf,491 КБ 7.5 TO247 Полевой DIP МОП n-канальный 900В 11А 230Вт 30шт.
47,40 грн.
Корпус: TO-247 Uds,V: 800 Idd,A: 12 Rds(on), Ohm: 0.65 Ciss, pF/Qg, nC: 3480/115
ST MICROELECTRONICS
37 грн.
10+35,15 грн.
50+33,30 грн.
100+29,60 грн.
скачать datasheet STW14NK50Z pdf,633 КБ 7.5 TO247 Полевой DIP МОП n-канальный 500В 14А 150Вт 30шт.
96 грн.
Корпус: TO-247 Uds,V: 900 Idd,A: 15 Rds(on), Ohm: 0.4 Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190
INFINEON TECHNOLOGIES
16 грн.
скачать datasheet 50N03 pdf,271 КБ 0.7 TO252 Полевой SMD МОП n-канальный 30В 50А 136Вт 75шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
20,80 грн.
10+19,76 грн.
50+18,72 грн.
100+16,64 грн.
скачать datasheet VN2406L-G pdf,559 КБ 0.25 TO92 Полевой DIP МОП n-канальный 240В 1.7А 1Вт 1000шт.
29,60 грн.
Корпус: SOT23-6 Uds,V: 250 V, N-channel enhancement mode MOSFET Rds(on), Ohm: 0,23
СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура P-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 10 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0.007 Крутизна характеристики S,мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 Полевой DIP 125мВт 200шт.
23590 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450
22330 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. 5 Биполярный DIP PNP 6Вт 50шт. 65В 30МГц 100
23553 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350
23029 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор П416Б германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200
25861 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 45…100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
77,79 г.
23011 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП15А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
24617 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП41 германиевый сплавный p-n-p усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60
26623 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Транзисторы КТ808АМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. 13 TO3 Биполярный DIP NPN 70Вт 20шт. 130В 10А 8МГц 125
23004 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор КП327Б кремниевые планарный с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа 0.3 КТ-29 Полевой SMD МОП n-канальный 14В 30мА 200мВт 100шт.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,90 г.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
87 г.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,83 г.
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Структура: N-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: - Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт: - Крутизна характеристики S,мА/В: 90
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
89 г.
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
91 г.
25678 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15…30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30
25662 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15…30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 50
23002 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП20А германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 20В 50мА 2МГц 150
20303 Anachip Corporation
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
0.3 SO8 Полевой SMD МОП n+p-канал 30В 8.5А 2.1Вт 95шт.