Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
— ST MICROELECTRONICS —
37 грн.
10+35,15 грн.
50+33,30 грн.
100+29,60 грн.
— скачать datasheet STW14NK50Z pdf,633 КБ 7.5 TO247 Полевой DIP МОП n-канальный 500В 14А 150Вт 30шт. — — — —
— — —
96 грн.
— Корпус: TO-247 Uds,V: 900 Idd,A: 15 Rds(on), Ohm: 0.4 Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190 — — — — — — — — — — — — —
— INFINEON TECHNOLOGIES —
16 грн.
— скачать datasheet 50N03 pdf,271 КБ 0.7 TO252 Полевой SMD МОП n-канальный 30В 50А 136Вт 75шт. — — — —
— MICROCHIP TECHNOLOGY —
20,80 грн.
10+19,76 грн.
50+18,72 грн.
100+16,64 грн.
— скачать datasheet VN2406L-G pdf,559 КБ 0.25 TO92 Полевой DIP МОП n-канальный 240В 1.7А 1Вт 1000шт. — — — —
— — —
29,60 грн.
— Корпус: SOT23-6 Uds,V: 250 V, N-channel enhancement mode MOSFET Rds(on), Ohm: 0,23 — — — — — — — — — — — — —
— СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Структура P-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 10 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0.007 Крутизна характеристики S,мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 — Полевой DIP — — — 125мВт 200шт. — — — —
23590 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
— 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP — — 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450
22330 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
— Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. 5 — Биполярный DIP PNP — — 6Вт 50шт. 65В 7А 30МГц 100
23553 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
— Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350
23029 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— Транзистор П416Б германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200
25861 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
— Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 45…100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100
— — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
— 77,79 г. — — — — — — — — — — — — —
23011 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор МП15А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
24617 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор МП41 германиевый сплавный p-n-p усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60
26623 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
— Транзисторы КТ808АМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. 13 TO3 Биполярный DIP NPN — — 70Вт 20шт. 130В 10А 8МГц 125
23004 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Транзистор КП327Б кремниевые планарный с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа 0.3 КТ-29 Полевой SMD МОП n-канальный 14В 30мА 200мВт 100шт. — — — —
— — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
— 89,90 г. — — — — — — — — — — — — —
— — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
— 87 г. — — — — — — — — — — — — —
— — —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
— 89,83 г. — — — — — — — — — — — — —
— — —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
— Структура: N-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: - Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт: - Крутизна характеристики S,мА/В: 90 — — — — — — — — — — — — —
— — —
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
— 89 г. — — — — — — — — — — — — —
— — —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
— 91 г. — — — — — — — — — — — — —
25678 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15…30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30
25662 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15…30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 50
23002 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистор МП20А германиевый сплавный p-n-p переключательный низкочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах переключения. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP — — 150мВт 100шт. 20В 50мА 2МГц 150
20303 Anachip Corporation —
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
— 0.3 SO8 Полевой SMD МОП n+p-канал 30В 8.5А 2.1Вт 95шт. — — — —
20093 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— 0.5 SO8 Полевой SMD МОП n+p-канал 30В 6А 2Вт 95шт. — — — —
20095 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— 0.4 SO8 Полевой SMD МОП n+p-канал 40В 6А 2Вт 1000шт. — — — —
20119 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
— скачать datasheet AO4805 pdf,211 КБ 0.5 SO8 Полевой SMD МОП n+p-канал 30В 8А 2Вт 95шт. — — — —
20088 ALPHA OMEGA SEMICONDUCTOR —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
— скачать datasheet AOP605 pdf,198 КБ 0.7 DIP8 Полевой DIP МОП n+p-канал 30В 7.5А 2.5Вт 100шт. — — — —