Транзисторы

Результатов: 3670

Параметры фильтра: |
Фильтры
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
INTERNATIONAL RECTIFIER
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
скачать datasheet IRF3710Z pdf,279 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 100В 59А 160Вт 50шт.
INTERNATIONAL RECTIFIER
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
скачать datasheet IRF3711 pdf,276 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 20В 110А 120Вт 50шт.
INTERNATIONAL RECTIFIER
40,80 грн.
10+38,76 грн.
50+36,72 грн.
100+32,64 грн.
скачать datasheet IRF3805 pdf,398 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 55В 210А 300Вт 50шт.
INTERNATIONAL RECTIFIER
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
скачать datasheet IRF4104 pdf,333 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 40В 120А 140Вт 50шт.
INTERNATIONAL RECTIFIER
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
скачать datasheet IRF520N pdf,124 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 100В 9.7А 48Вт 50шт.
21475 INTERNATIONAL RECTIFIER
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 100В 17А 70Вт 50шт.
VISHAY
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
скачать datasheet IRF530 pdf,156 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 100В 14А 88Вт 50шт.
INTERNATIONAL RECTIFIER
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
скачать datasheet IRF540NL pdf,284 КБ 2.5 TO262 Полевой DIP МОП n-канальный 100В 33А 130Вт 50шт.
21474 INTERNATIONAL RECTIFIER
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 100В 33А 130Вт 50шт.
VISHAY
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
скачать datasheet IRF610 pdf,157 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 200В 3.3А 36Вт 50шт.
VISHAY
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
скачать datasheet IRF620 pdf,157 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 200В 5.2А 50Вт 50шт.
VISHAY
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
скачать datasheet IRF634 pdf,156 КБ 2.8 TO220AB Полевой DIP МОП n-канальный 250В 8.1А 75Вт 50шт.
60005
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60006
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60007
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
60008
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
60009
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
25680 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы ГТ313А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 Биполярный DIP PNP 100мВт 100шт. 15В 30мА 300МГц 230
28783 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы ГТ313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 1.2 Биполярный DIP PNP 100мВт 100шт. 15В 30мА 450МГц 75
60013
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60014
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
60015
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
24128 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 220
24238 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Транзистор КТ3157А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный. Предназначен для применения в переключательных и импульсных устройствах. 0.4 TO92 Биполярный DIP PNP 200мВт 200шт. 250В 20мА 60МГц 50
23570 INTEGRAL
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 200мВт 1000шт. 45В 300мА 120
23563 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ502Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях 0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 350мВт 1000шт. 60В 350мА 5МГц 120
24705 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
23556 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 40В 100мА 250МГц 120
23554 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 35В 100мА 250МГц 350
23558 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 100мВт 800 шт. 20В 50мА 250МГц 250