transistors

Results: 3670

Filter layout: |
Filters
MPN Article Brand In stock Price Discounts Quantity Description Weight g. Transistor case type Transistor type Mounting type Structure Drain-source voltage Drain current Power Factory packaging Collector-emitter voltage Collector current Frequency Current gain
INTERNATIONAL RECTIFIER
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
download datasheet IRF3710Z pdf,279 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 59А 160Вт 50pcs
INTERNATIONAL RECTIFIER
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
download datasheet IRF3711 pdf,276 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 20В 110А 120Вт 50pcs
INTERNATIONAL RECTIFIER
40.80 грн.
10+38,76 грн.
50+36,72 грн.
100+32,64 грн.
download datasheet IRF3805 pdf,398 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 55В 210А 300Вт 50pcs
INTERNATIONAL RECTIFIER
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
download datasheet IRF4104 pdf,333 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 40В 120А 140Вт 50pcs
INTERNATIONAL RECTIFIER
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
download datasheet IRF520N pdf,124 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 9.7А 48Вт 50pcs
21475 INTERNATIONAL RECTIFIER
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 17А 70Вт 50pcs
VISHAY
13 грн.
10+12,35 грн.
50+11,70 грн.
100+10,40 грн.
download datasheet IRF530 pdf,156 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 14А 88Вт 50pcs
INTERNATIONAL RECTIFIER
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
download datasheet IRF540NL pdf,284 KB 2.5 TO262 Field DIP MOS n-channel 100В 33А 130Вт 50pcs
21474 INTERNATIONAL RECTIFIER
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 100В 33А 130Вт 50pcs
VISHAY
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
download datasheet IRF610 pdf,157 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 200В 3.3А 36Вт 50pcs
VISHAY
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
download datasheet IRF620 pdf,157 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 200В 5.2А 50Вт 50pcs
VISHAY
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
download datasheet IRF634 pdf,156 KB 2.8 TO220AB Field DIP MOS n-channel 250В 8.1А 75Вт 50pcs
60005
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60006
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60007
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
60008
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
60009
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
25680 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Transistors GT313A germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in high and ultra high frequency amplifiers and switching devices. 1.2 Bipolar DIP PNP 100мВт 100 pieces. 15В 30мА 300МГц 230
28783 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Transistors GT313B germanium diffusion-alloy structures pnp universal. Designed for use in high and ultra high frequency amplifiers and switching devices. 1.2 Bipolar DIP PNP 100мВт 100 pieces. 15В 30мА 450МГц 75
60013
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
60014
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
60015
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
24128 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Bipolar DIP PNP 300мВт 1000pcs 50В 200мА 200МГц 220
24238 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Transistor KT3157A silicon epitaxial-planar structure pnp switching. Designed for use in switching and pulse devices. 0.4 TO92 Bipolar DIP PNP 200мВт 200pcs 250В 20мА 60МГц 50
23570 INTEGRAL
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Bipolar DIP PNP 200мВт 1000pcs 45В 300мА 120
23563 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Transistors KT502D silicon epitaxial-planar structures pnp universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational, differential and pulse amplifiers, converters 0.3 TO92 Bipolar DIP PNP 350мВт 1000pcs 60В 350мА 5МГц 120
24705 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Transistors KT503E silicon epitaxial-planar structures npn universal. Designed for use in low-frequency amplifiers, operational and differential amplifiers, converters, pulse devices. 0.3 TO92 Bipolar DIP NPN 350мВт 1000pcs 80В 350мА 5МГц 120
23556 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN 150мВт 800 pcs. 40В 100мА 250МГц 120
23554 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN 150мВт 800 pcs. 35В 100мА 250МГц 350
23558 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Transistors silicon epitaxial-planar structures npn amplifying. Designed for use in high, intermediate and low frequency amplifiers. 0.25 КТ-13 Bipolar DIP NPN 100мВт 800 pcs. 20В 50мА 250МГц 250