Діоди вітчизняні
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне
Бренд «СНГ»
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип виводів | Тип корпусу | Робоча напруга,В | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Ємність | Точність |
|---|
Мікросхема К145ІК1914
#14426
|
26635 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Керуючий мікропроцесор. | 3.2 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ326БМ
#14421
|
26630 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Транзистори КТ326БМ кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні, високочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. | 0.3 | — | — | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 1000шт. | 15В | 50мА | 250МГц | 160 | — | — | |||||||
Транзистор КТ859А
#14420
|
26629 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ859А кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | — | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 40Вт | 100шт. | 800В | 3А | 10МГц | 10 | — | — | |||||||
Транзистор 1Т901А
#14419
|
26628 | СНГ | — |
30 грн.
|
|
— | Транзистори германієві дифузійно-сплавні pnp перемикальні високочастотні потужні. | 25 | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 15Вт | 20шт. | 50В | 10А | 30МГц | 60 | — | — | |||||||
Транзистор КТ850А
#14418
|
26627 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзистори КТ850А мезапланарні кремнієві структури npn підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах потужності, що перемикають пристрої. | 2.5 | — | — | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 25Вт | 100шт. | 200В | 2А | 20МГц | 200 | — | — | |||||||
Транзистор КТ854А
#14417
|
26626 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори КТ854А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах. | 2.5 | — | — | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 100шт. | 500В | 10А | — | 20 | — | — | |||||||
Транзистор КТ865А
#14416
|
26625 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | Транзистор КТ865А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp імпульсний. Призначений для застосування в джерелах вторинного електроживлення, перетворювачах, каскадах кінцевих підсилювачів звукової частоти, стабілізаторах напруги. | 16 | — | — | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 100Вт | 20шт. | 200В | 10А | 15МГц | 200 | — | — | |||||||
Транзистор КТ829А
#14414
|
26622 | СНГ | — |
18 грн.
|
|
— | Транзистори КТ829А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, що перемикають пристрої. | 2.5 | — | — | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 200шт. | 100В | 8А | 4МГц | 750 | — | — | |||||||
Транзистор КТ855А
#14413
|
26621 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Транзистори КТ855А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах напруги. | 2.5 | — | — | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 40Вт | 100шт. | 200В | 5А | 5МГц | 20 | — | — | |||||||
Транзистор КТ605АМ
#14412
|
26620 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Транзистор кремнієві мезапланарні структури npn. Призначений для застосування в підсилювачах, імпульсних та перемикаючих високочастотних пристроях. | 0.7 | — | — | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 400мВт | 200шт. | 250В | 100мА | 40МГц | 40 | — | — | |||||||
Транзистор КТ819Б
#14409
|
26617 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | — | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 100шт. | 50В | 10А | 3МГц | 20 | — | — | |||||||
| 26610 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | К71-7 конденсатори полістирольні металізовані одношарові. Випускаються у прямокутних корпусах із дротяними висновками. Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах. | 4 | Гнучкі виводи | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 46nF (0.046µF) | 0,5 % | |||||||||
| 26606 | СНГ | — |
6 грн.
|
— | К71-7 конденсатори полістирольні металізовані одношарові. Випускаються у прямокутних корпусах із дротяними висновками. Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах. | 2 | Гнучкі виводи | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 12.7nF ((0.0127µF) | 1 % | |||||||||
| 26602 | СНГ | — |
6 грн.
|
— | К71-7 конденсатори полістирольні металізовані одношарові. Випускаються у прямокутних корпусах із дротяними висновками. Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах. | 1.5 | Гнучкі виводи | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | 1.2nF (1200pF) | 1 % | |||||||||
| 26599 | СНГ | — |
7 грн.
|
— | К71-7В конденсатори полістирольні металізовані одношарові. Випускаються у прямокутних корпусах із дротяними висновками. Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах. | 3 | Гнучкі виводи | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 16.05nF (0.01605µF) | 0,5 % | |||||||||
| 26592 | СНГ | — |
6 грн.
|
— | К71-7 конденсатори полістирольні металізовані одношарові. Випускаються у прямокутних корпусах із дротяними висновками. Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах. | 4 | Гнучкі виводи | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 46.8nF (0.0468µF) | 5 % | |||||||||
| 26582 | СНГ | — |
25 грн.
|
— | К71-7В конденсатори полістирольні металізовані одношарові. Випускаються у прямокутних корпусах із дротяними висновками. Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах. | 10 | Гнучкі виводи | — | 250 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | 230nF (0.23µF) | 1 % | |||||||||
Діодний міст КЦ402В
#14369
|
26579 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402В: • Uoбp і max – Максимальна імпульсна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбр 400 В. | 5.7 | — | — | — | — | — | DIP | 400V | 1A | — | Діодний міст | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діодний міст КЦ405В
#14364
|
26576 | СНГ | — |
7 грн.
|
— | Основні технічні характеристики діода КЦ405В: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбр 400 В. | 5.2 | — | — | — | — | — | DIP | 400V | 1A | — | Діодний міст | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К118УП1А
#14358
|
26570 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Відеопідсилювач із великим коефіцієнтом посилення. | 1 | — | DIP14 | — | — | — | DIP | — | — | Відео | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 26569 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Чотири логічні елементи 2І-НЕ з високою здатністю навантаження. | 1 | — | DIP16 | — | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР198НТ11
#14353
|
26563 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Мікросхема містить 4 кремнієві транзистори структури NPN. Мікросхема використовується у регуляторах частоти обертання малопотужних електродвигунів постійного струму. | 1 | — | DIP14 | — | — | — | DIP | — | — | Транзисторне складання | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема К174ПС4
#14352
|
26561 | СНГ | — |
68 грн.
|
|
— | Мікросхема К174ПС4 є подвійним балансним змішувачем. Призначена для використання як змішувач частоти в діапазоні частот до 1000 МГц, модулятора, підсилювача в блоках селекторів каналів телевізорів дециметрового діапазону. Відрізняється від змішувачів на дискретних приладах відсутністю або ослабленням спектру вихідного сигналу складових з частотами сигналу і гетеродина і гарною розв'язкою між ланцюгом гетеродина і входом. Просочування напруги гетеродина на вхід приймача становить 40-50 дБ. | 1 | — | DIP14 | — | — | — | DIP | — | — | TV | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 26548 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Швидкий помножувач 2х4. | 7 | — | DIP24 | — | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26545 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | 3 логічні елементи 3АБО-НЕ. | 1 | — | DIP14 | — | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26544 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Реверсивний регістр зсуву. | 1.2 | — | DIP16 | — | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К555ТМ2
#14333
|
26540 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Два D-тригери. | 1 | — | DIP14 | — | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР1100СК2
#14331
|
26539 | СНГ | — |
26 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР1100СК2 являють собою пристрій вибірки та зберігання аналогового сигналу, яке, запам`ятовуючи по команді, що надходить на логічний вхід, миттєве значення вхідного аналогового сигналу протягом певного часу з високою точністю підтримує рівну йому постійну напругу на виході. До складу КР1100СК2 входять вхідний операційний підсилювач, вихідний операційний підсилювач та схема управління аналоговими ключами. | 0.5 | — | DIP8 | — | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР544УД1Б
#14330
|
26538 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР544УД2Б є широкосмуговими операційними диференціальними підсилювачами з високим вхідним опором і підвищеною швидкодією. Застосовуються для створення підсилювачів, імпульсних підсилювачів, підсилювачів фотоприймачів, генераторів високочастотних коливань. | 0.5 | — | DIP8 | — | — | — | DIP | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР198НТ3Б
#14329
|
26533 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Мікросхема КР198НТ3Б є матрицею npn транзисторів. | 1 | — | DIP14 | — | — | — | DIP | — | — | Транзисторне складання | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — |
