Діоди вітчизняні
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне

Бренд «СНГ»

Результатів: 4144

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип виводів Тип корпусу Робоча напруга,В Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Призначення Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Ємність Точність Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Вилка або розетка Кількість контактів Механічний монтаж Тип
23566 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23565 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23562 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Е кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
23561 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Г кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23560 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23559 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 240
23543 СНГ
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
Стабілітрон кремнієвий, планарний, середньої потужності. Основні технічні параметри стабілітрону КС407Г: • Номінальна напруга стабілізації: 5,1 при Iст 20 мА; • Розкид напруги стабілізації: 4,8...5,4 В; • Диференціальний опір стабілітрону: 17 Ом при Іст 20 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 59 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -40...+85 °С. 0.1 DIP 500мВт 400шт. 5V1 kd2
23537 СНГ
12 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
250+9 грн.
Стабілітрони КС630А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 130 В діапазоні струмів стабілізації 5...38 мА. 3 Гвинт 5Вт 100шт. 130V ks620
23536 СНГ
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Стабілітрони кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності, прецизійні. 0.8 DIP 720мВт 80шт. 82V
23535 СНГ
1,50 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
250+1,12 грн.
• Номінальна напруга стабілізації: 0.7 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,3%/°; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.2 DIP 125мВт 300шт. 0.7V kd2
23533 СНГ
3 грн.
Конденсатор поліетилентерефталатний. Призначений для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах. 2.5 Гнучкі виводи 630 DIP 100шт. 100nF (0.1µF) 5 %
23530 СНГ
75 грн.
10+71,25 грн.
50+67,50 грн.
100+60 грн.
Біполярна ОЗУ виконана на основі інтегрально-інжекційної логіки. Мікросхеми 541РТ1 являють собою одноразово програмований постійний пристрій ємністю 1 кбіт (256 х 4). Сумісні по входу та виходу з ТТЛ-схемами. Функціональна схема включає в себе вхідні схеми адреси, дешифратор, мультиплексор, схеми управління, вихідні схеми та накопичувач 32 х 32. 0.9 SO16 SMD Пам`ять 25шт.
23526 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистори КП307Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 27В 25мА 250мВт 100шт.
23525 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт.
23524 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
2 чотиривходові схеми І-НЕ з відкритим колекторним виходом та підвищеною здатністю навантаження (елементи індикації). 0.3 SO14 SMD Логіка 100шт.
23513 СНГ
7 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
250+5,25 грн.
Стабілітрони 2С920А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 120 В діапазоні струмів стабілізації 5...42 мА. 4.2 Гвинт 5Вт 100шт. 120V ks620
23511 СНГ
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Стабілітрони 2С510А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 10 В діапазоні струмів стабілізації 1...79 мА. 0.8 DIP 1Вт 100шт. 10V kd-8
23510 СНГ
15 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
250+11,25 грн.
Основні технічні параметри стабістора 2С119А: • Номінальна напруга стабілізації: 1,9 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,42...-0,2%/°С; • Диференціальний опір: 15 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється: 0,18 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 DIP 180мВт 100шт. 1V9 kd-8
23509 СНГ
162 грн.
10+153,90 грн.
50+145,80 грн.
100+129,60 грн.
Мікросхема КМ1816ВЕ48 є однокристальною 8-розрядною мікро-ЕОМ з ППЗУ з УФ стиранням інформації ємністю 8 кбіт (1024x8). 5.7 DIP40 DIP Процесори 5 штук.
23508 СНГ
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
ФНЧ 2-го порядку за класичною схемою на емітерному повторювачі. 7.5 DIP Фільтри 10 шт.
23498 СНГ
1,50 грн.
50+1,35 грн.
100+1,20 грн.
250+1,12 грн.
Стабілітрони Д814Г1 кремнієві, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 100-120 В. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. 0.2 DIP 340мВт 500шт. 11V kd2
23488 СНГ
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
Транзистори КП350В кремнієві дифузно-планарні польові з двома ізольованими затворами та каналом n-типу. Призначені для застосування в підсилювачах, генераторах та перетворювачах надвисокої частоти до 700 МГц. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 200мВт 100шт.
23477 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
8-розрядний регістр на D-тригерах із загальним входом скидання. 1.3 DIP20 DIP Логіка 70шт.
23473 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Мікросхеми КР142ЕН18Б є регульованими стабілізаторами напруги негативної полярності з вихідною напругою 1,2-6,5 В і струмом навантаження до 1,5 А. 2.5 TO-220 DIP живлення 100шт.
23471 СНГ
54 грн.
Подвоєне двонаправлене високовольтне МОП-реле, корпус DIP8. 0.5 DIP 100шт.
22311 СНГ
54 грн.
Подвоєне двонаправлене високовольтне МОП-реле, корпус DIP8. 0.5 DIP 100шт.
23436 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
20+14,40 грн.
50+13,60 грн.
100+12,80 грн.
З'єднувач РП10-15 низькочастотний, прямокутний, внутрішнього монтажу призначений для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного частотою до 3 МГц та імпульсного струму напругою до 1550 В. 19 DIP 20шт. Вилка 15 У корпус РП
23433 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
20+10,80 грн.
50+10,20 грн.
100+9,60 грн.
Призначений для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного частотою до 3 МГц та імпульсного струму напругою до 1550 В. 7.5 DIP 80шт. Розетка 7 У корпус РП
23432 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
20+14,40 грн.
50+13,60 грн.
100+12,80 грн.
Призначений для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного частотою до 3 МГц та імпульсного струму напругою до 1550 В. 19 DIP 50шт. Вилка 15 У корпус РП
23431 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
20+14,40 грн.
50+13,60 грн.
100+12,80 грн.
Призначений для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного частотою до 3 МГц та імпульсного струму напругою до 1550 В. 14 DIP 50шт. Вилка 11 У корпус РП