Діоди вітчизняні
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне
Бренд «СНГ»
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип виводів | Тип корпусу | Робоча напруга,В | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Призначення | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Ємність | Точність | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Вилка або розетка | Кількість контактів | Механічний монтаж | Тип |
|---|
|
Транзистор КТ503Г
#11439
|
23566 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | — | — | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ503В
#11438
|
23565 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | — | — | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ502Е
#11436
|
23562 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Е кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | — | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 80В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ502Г
#11435
|
23561 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Г кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | — | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ502В
#11434
|
23560 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | — | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ502Б
#11433
|
23559 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | — | — | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон КС407Г
#11426
|
23543 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Стабілітрон кремнієвий, планарний, середньої потужності. Основні технічні параметри стабілітрону КС407Г: • Номінальна напруга стабілізації: 5,1 при Iст 20 мА; • Розкид напруги стабілізації: 4,8...5,4 В; • Диференціальний опір стабілітрону: 17 Ом при Іст 20 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 59 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -40...+85 °С. | 0.1 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | — | — | 5V1 | kd2 | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон КС630А
#11420
|
23537 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Стабілітрони КС630А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 130 В діапазоні струмів стабілізації 5...38 мА. | 3 | — | — | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | 130V | ks620 | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон КС582Г
#11419
|
23536 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабілітрони кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності, прецизійні. | 0.8 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 720мВт | 80шт. | — | — | — | — | — | — | 82V | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон КС107А стек.
#11418
|
23535 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | • Номінальна напруга стабілізації: 0.7 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,3%/°; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.2 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 125мВт | 300шт. | — | — | — | — | — | — | 0.7V | kd2 | — | — | — | — | |||||||||
| 23533 | СНГ | — |
3 грн.
|
— | Конденсатор поліетилентерефталатний. Призначений для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів та імпульсних режимах. | 2.5 | Гнучкі виводи | — | 630 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 100nF (0.1µF) | 5 % | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Мікросхема 541РТ1 Ni
#11413
|
23530 | СНГ | — |
75 грн.
|
|
— | Біполярна ОЗУ виконана на основі інтегрально-інжекційної логіки. Мікросхеми 541РТ1 являють собою одноразово програмований постійний пристрій ємністю 1 кбіт (256 х 4). Сумісні по входу та виходу з ТТЛ-схемами. Функціональна схема включає в себе вхідні схеми адреси, дешифратор, мультиплексор, схеми управління, вихідні схеми та накопичувач 32 х 32. | 0.9 | — | SO16 | — | — | — | SMD | Пам`ять | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КП307Е Au
#11409
|
23526 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзистори КП307Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | — | — | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | МОП n-канальний | 27В | 25мА | 250мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КП303Е Ni
#11408
|
23525 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | — | — | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема КМ133ЛА7
#11407
|
23524 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | 2 чотиривходові схеми І-НЕ з відкритим колекторним виходом та підвищеною здатністю навантаження (елементи індикації). | 0.3 | — | SO14 | — | — | — | SMD | Логіка | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон 2С920А (=КС920А)
#11402
|
23513 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С920А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 120 В діапазоні струмів стабілізації 5...42 мА. | 4.2 | — | — | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | 120V | ks620 | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон 2С510А (=КС510А)
#11400
|
23511 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С510А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 10 В діапазоні струмів стабілізації 1...79 мА. | 0.8 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | 10V | kd-8 | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон 2С119А (=КС119А)
#11399
|
23510 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабістора 2С119А: • Номінальна напруга стабілізації: 1,9 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,42...-0,2%/°С; • Диференціальний опір: 15 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється: 0,18 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 180мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | 1V9 | kd-8 | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема КМ1816ВЕ48 Au
#11398
|
23509 | СНГ | — |
162 грн.
|
|
— | Мікросхема КМ1816ВЕ48 є однокристальною 8-розрядною мікро-ЕОМ з ППЗУ з УФ стиранням інформації ємністю 8 кбіт (1024x8). | 5.7 | — | DIP40 | — | — | — | DIP | Процесори | — | — | — | — | 5 штук. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема 298ФН13
#11397
|
23508 | СНГ | — |
64 грн.
|
|
— | ФНЧ 2-го порядку за класичною схемою на емітерному повторювачі. | 7.5 | — | — | — | — | — | DIP | Фільтри | — | — | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон Д814Г1
#11387
|
23498 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | Стабілітрони Д814Г1 кремнієві, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 100-120 В. Випускаються у скляному корпусі з гнучкими висновками. | 0.2 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 340мВт | 500шт. | — | — | — | — | — | — | 11V | kd2 | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КП350В Аu
#11377
|
23488 | СНГ | — |
27 грн.
|
|
— | Транзистори КП350В кремнієві дифузно-планарні польові з двома ізольованими затворами та каналом n-типу. Призначені для застосування в підсилювачах, генераторах та перетворювачах надвисокої частоти до 700 МГц. | 0.4 | — | — | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | МОП n-канальний | — | — | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема ЕКР1533ІР35
#11369
|
23477 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | 8-розрядний регістр на D-тригерах із загальним входом скидання. | 1.3 | — | DIP20 | — | — | — | DIP | Логіка | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23473 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР142ЕН18Б є регульованими стабілізаторами напруги негативної полярності з вихідною напругою 1,2-6,5 В і струмом навантаження до 1,5 А. | 2.5 | — | TO-220 | — | — | — | DIP | живлення | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 23471 | СНГ | — |
54 грн.
|
— | Подвоєне двонаправлене високовольтне МОП-реле, корпус DIP8. | 0.5 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 22311 | СНГ | — |
54 грн.
|
— | Подвоєне двонаправлене високовольтне МОП-реле, корпус DIP8. | 0.5 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23436 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | З'єднувач РП10-15 низькочастотний, прямокутний, внутрішнього монтажу призначений для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного частотою до 3 МГц та імпульсного струму напругою до 1550 В. | 19 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | Вилка | 15 | У корпус | РП | ||||||||||
|
Роз'єм РП10-7Л (розетка)
#11328
|
23433 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Призначений для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного частотою до 3 МГц та імпульсного струму напругою до 1550 В. | 7.5 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | Розетка | 7 | У корпус | РП | |||||||||
| 23432 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Призначений для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного частотою до 3 МГц та імпульсного струму напругою до 1550 В. | 19 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | Вилка | 15 | У корпус | РП | ||||||||||
| 23431 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Призначений для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного частотою до 3 МГц та імпульсного струму напругою до 1550 В. | 14 | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | Вилка | 11 | У корпус | РП |