Діоди вітчизняні
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне
Бренд «СНГ»
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип виводів | Номінальна ємність, мкФ | Робоча напруга,В | Допуск номінальної ємності, % | Робоча температура,С | Діаметр корпусу D, мм | Довжина корпусу L, мм | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Ємність | Опір | Потужність резистора | Точність | Тип корпусу резистора | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Робочий струм,А | Матеріал | Вилка або розетка | Кількість контактів | Механічний монтаж | Тип | Конструкція діода |
|---|
|
Транзистор П608А
#16948
|
29195 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 90 МГц. | 9.2 | — | — | — | — | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 1.5Вт | 50шт. | 30В | 600мА | 90МГц | 240 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор П303А
#16927
|
29174 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори П303А кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 9.2 | — | — | — | — | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 50шт. | 65В | 500мА | 0,1МГц | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)
#16925
|
29172 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзистор 1Т403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. | 3 | — | — | — | — | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 4Вт | 100шт. | 45В | 1,25А | — | 150 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор 2Т608А (=КТ608А)
#16892
|
29139 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора 2Т608А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 400 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 800 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (60В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 25...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2,5 Ом | 1.8 | — | — | — | — | — | — | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 80 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор 2Т608Б (=КТ608Б)
#16891
|
29138 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. | 1.5 | — | — | — | — | — | — | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 160 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)
#16887
|
29134 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Біполярний германієвий транзистор 1Т311Д, npn, малої потужності, надвисокої частоти. | 1.2 | — | — | — | — | — | — | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 12В | 50мА | 300МГц | 180 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Тиристор 2У101А (=КУ101А)
#16883
|
29129 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | Тиристори кремнієві 2У101А, дифузійно-сплавні, p-типу, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора 2У101А: • Максимальна постійна зворотна напруга: 10 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. | 1.8 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DIP | — | 50V | — | 1A | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 29083 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Резистор С2-29В-0,25 100 кОм (+/-0,25%). Габарити: 11x4 mm, Dвив = 0,8 mm. | 0.5 | Гнучкі виводи | — | — | — | — | 4 | 11 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | 100 кОм | 0,25 Вт | 0,2 % | металоплівковий | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 29075 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Резистор С2-29В-0,25 12 Ом (+/-0,25%). Габарити: 11x4 mm, Dвив = 0,8 mm. | 0.5 | Гнучкі виводи | — | — | — | — | 4 | 11 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 60шт. | — | — | — | — | — | 12 Ом | 0,25 Вт | 0,2 % | металоплівковий | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Роз`єм РГ1Н-1-3
#16652
|
28891 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | З`єднувачі об`ємного монтажу РГ1Н-1-3 призначені для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного (частотою до 3 МГц) та імпульсного струму напругою до 400 В. | 3.7 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Розетка | 8 | У корпус | РГ | — | |||||||||
|
Роз`єм РГ1Н-1-5
#16650
|
28919 | СНГ | — |
30 грн.
|
|
— | З`єднувачі об`ємного монтажу РГ1Н-1-5 призначені для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного (частотою до 3 МГц) та імпульсного струму напругою до 400 В. | 6.5 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Розетка | 16 | У корпус | РГ | — | |||||||||
| 28870 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Конденсатори К53-7В оксидно-напівпровідникові неполярні танталові. Випускаються в циліндричних металевих герметизованих корпусах з різноспрямованими дротяними висновками. Призначені для роботи як вбудовані елементи внутрішнього монтажу апаратури в ланцюгах постійного, пульсуючого струмів та в імпульсному режимі. Застосовуються у виробах спеціального призначення, бортової та наземної апаратури зв`язку, приладах, що потребують підвищеної стабільності електричних параметрів. | 1 | Гнучкі виводи | 0,1 | 32 | 30 | -60...+85 | 3.5 | 18 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ816Г
#16628
|
28866 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзистор КТ816Г кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. | 0.7 | — | — | — | — | — | — | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 25Вт | 200шт. | 100В | 3А | 3МГц | 25 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Діод Д220А
#16627
|
28865 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода Д220А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 70 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 0,5 А; • Сд - Загальна ємність: 15 пФ при Uoбp 5; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 1 мкА при Uoбp 70 В. | 0.3 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DIP | D104 | 70V | 50mA | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
| 28859 | СНГ | — |
5 грн.
|
— | К73-17 поліетилентерефталатні захищені конденсатори. Призначені для роботи вбудованих елементів усередині комплектних виробів у ланцюгах постійного, змінного струму та в імпульсному режимі. | 7 | Гнучкі виводи | — | 160 | — | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | 1.5µF | — | — | 20 % | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор КТ602А
#16535
|
28784 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,85 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 2,8 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 150 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 120 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 75 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 70 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 4 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 4 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. | 3 | — | — | — | — | — | — | — | КТЮ-3-9 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 2.8Вт | 100шт. | 100В | 500мА | 150МГц | 80 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон 2С107А ОС
#16529
|
28777 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабілітрона 2С107А: • Номінальна напруга стабілізації: 0.7 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,34%/°С; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 120 мА; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1V3 | kd-8 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон 2С113А ОС
#16528
|
28776 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабістора 2С113А: • Номінальна напруга стабілізації: 1,3 при Iст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 1,17...1,43 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,42...-0,2%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±3,5 %; • Диференціальний опір: 15 Ом при Іст 7,5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється: 0,16 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | 160 мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1V3 | kd-8 | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 28774 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Запобіжники (плавкі вставки) призначені для розриву електричного ланцюга у разі, якщо струм у ланцюгу перевищує заданий. | 3.2 | — | — | 600 | — | — | 8 | 50 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 3.15 | Скло | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 28772 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Запобіжники (плавкі вставки) призначені для розриву електричного ланцюга у разі, якщо струм у ланцюгу перевищує заданий. | 2 | — | — | 250 | — | — | 7 | 30 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 20 | Скло | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 28770 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Ніобієві оксидно-напівпровідникові конденсатори К53-4АВ, полярні, герметичні у металевому корпусі. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та пульсуючого струму. Особливості конденсаторів серії К53-4: малі та стабільні струми витоку, великі значення питомої ємності, покращені температурно-частотні характеристики ємності та тангенс кута діелектричних втрат. | 3.5 | Гнучкі виводи | 47 | 20 | 20 | -60..+85 | 7 | 16 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Діод Д226Е
#16519
|
28767 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода Д226Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 200 В. | 2 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DIP | КД-8 | 200V | 300mA | — | Випрямний | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)
#16518
|
28766 | СНГ | — |
70 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 300 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 4; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 15 | — | — | — | — | — | — | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 50Вт | 40шт. | 300В | 10А | 3МГц | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ834Б
#16517
|
28765 | СНГ | — |
200 грн.
|
|
— | Транзистори КТ834А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в регуляторах струму і напруги, у пристроях, що перемикають. | 15 | — | — | — | — | — | — | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 100Вт | 20шт. | 450В | 20А | 4МГц | 3000 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 28738 | СНГ | — |
1,50 грн.
|
|
— | Резистор МЛТ-1 200 Ом (+/-10%). | 1.2 | Гнучкі виводи | — | — | — | — | 6 | 12 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | 200 Ом | 1 Вт | 10 % | металоплівковий | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Оптотиристор ТО125-12,5-10
#16481
|
28730 | СНГ | — |
170 грн.
|
— | Тиристор ТО125-12.5-10 оптронний, низькочастотний, кремнієвий, дифузійний, структури pnpn, фланцевого виконання. Призначений для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму частотою до 500 Гц та силою струму не більше 12,5 А. Складається з кремнієвого фототиристора і арсенід-галієвого випромінюючого діода і зв`язок ланцюга управління з силовим ланцюгом тільки за допомогою світлового променя за відсутності гальванічного з`язку. | 17 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | DIP | — | 1000V | 12.5А | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 28729 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Ніобієві оксидно-напівпровідникові конденсатори К53-4АВ, полярні, герметичні у металевому корпусі. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та пульсуючого струму. Особливості конденсаторів серії К53-4АВ: малі та стабільні струми витоку, великі значення питомої ємності, покращені температурно-частотні характеристики ємності та тангенс кута діелектричних втрат. | 1.5 | Гнучкі виводи | 10 | 20 | 10 | -60..+85 | 4 | 13 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 180шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор КТ321В
#16476
|
28725 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистори КТ321В кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 1.5 | — | — | — | — | — | — | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 210мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор ГТ321Г
#16472
|
28722 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ321Г германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. | 1.8 | — | — | — | — | — | — | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 45В | 200мА | 60МГц | 60 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор ГТ321Е
#16471
|
28721 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ321Е германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. | 1.8 | — | — | — | — | — | — | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 45В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |