Діоди вітчизняні
Діодні мости вітчизняні
Симистори
Тиристори вітчизняні
Стабілітрони вітчизняні
Мікросхеми імпортні
Мікросхеми вітчизняні
Транзистори вітчизняні
Оптрони вітчизняні
Датчики
Варикапи
Радіолампи
Конденсатори електролітичні вітчизняні
Конденсатори високовольтні керамічні
Конденсатори керамічні
Конденсатори плівкові вітчизняні
Конденсатори метало-паперові
Конденсатори підстроювальні
Запобіжники скляні
Запобіжники керамічні
Утримувачі запобіжників
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 – 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Змінні
Терморезистори
Резисторні зборки
HC49
HC6U
УБ-УЄ
К1-4
Фільтри
Контактори
Реле вітчизняні
Вітчизняні
Перемикачі, кнопки
Трансформатори, дроселі
Шунти
Варістори
Розрядники
Світлодіоди
Світлодіодні та РКІ індикатори
Світильники
Звук
Електродвигуни
Сердечники, магніти
Radio-Kits
Корпуси
Готові вироби
Прилади
Кріплення
Різне

Бренд «СНГ»

Результатів: 4144

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип виводів Номінальна ємність, мкФ Робоча напруга,В Допуск номінальної ємності, % Робоча температура,С Діаметр корпусу D, мм Довжина корпусу L, мм Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Ємність Опір Потужність резистора Точність Тип корпусу резистора Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Робочий струм,А Матеріал Вилка або розетка Кількість контактів Механічний монтаж Тип Конструкція діода
29195 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 90 МГц. 9.2 Біполярний DIP PNP 1.5Вт 50шт. 30В 600мА 90МГц 240
29174 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори П303А кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 9.2 Біполярний DIP PNP 10Вт 50шт. 65В 500мА 0,1МГц
29172 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 45В 1,25А 150
29139 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т608А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 400 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 800 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (60В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 25...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2,5 Ом 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
29138 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистори 2Т608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160
29134 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Біполярний германієвий транзистор 1Т311Д, npn, малої потужності, надвисокої частоти. 1.2 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 180
29129 СНГ
10 грн.
Тиристори кремнієві 2У101А, дифузійно-сплавні, p-типу, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора 2У101А: • Максимальна постійна зворотна напруга: 10 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. 1.8 DIP 50V 1A 100шт.
29083 СНГ
4 грн.
100+3,20 грн.
500+2,40 грн.
1000+2 грн.
Резистор С2-29В-0,25 100 кОм (+/-0,25%). Габарити: 11x4 mm, Dвив = 0,8 mm. 0.5 Гнучкі виводи 4 11 DIP 60шт. 100 кОм 0,25 Вт 0,2 % металоплівковий
29075 СНГ
4 грн.
100+3,20 грн.
500+2,40 грн.
1000+2 грн.
Резистор С2-29В-0,25 12 Ом (+/-0,25%). Габарити: 11x4 mm, Dвив = 0,8 mm. 0.5 Гнучкі виводи 4 11 DIP 60шт. 12 Ом 0,25 Вт 0,2 % металоплівковий
28891 СНГ
80 грн.
10+76 грн.
20+72 грн.
50+68 грн.
100+64 грн.
З`єднувачі об`ємного монтажу РГ1Н-1-3 призначені для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного (частотою до 3 МГц) та імпульсного струму напругою до 400 В. 3.7 DIP 50шт. Розетка 8 У корпус РГ
28919 СНГ
30 грн.
10+28,50 грн.
20+27 грн.
50+25,50 грн.
100+24 грн.
З`єднувачі об`ємного монтажу РГ1Н-1-5 призначені для роботи в електричних ланцюгах постійного, змінного (частотою до 3 МГц) та імпульсного струму напругою до 400 В. 6.5 DIP 50шт. Розетка 16 У корпус РГ
28870 СНГ
6 грн.
50+5,40 грн.
200+4,80 грн.
Конденсатори К53-7В оксидно-напівпровідникові неполярні танталові. Випускаються в циліндричних металевих герметизованих корпусах з різноспрямованими дротяними висновками. Призначені для роботи як вбудовані елементи внутрішнього монтажу апаратури в ланцюгах постійного, пульсуючого струмів та в імпульсному режимі. Застосовуються у виробах спеціального призначення, бортової та наземної апаратури зв`язку, приладах, що потребують підвищеної стабільності електричних параметрів. 1 Гнучкі виводи 0,1 32 30 -60...+85 3.5 18 DIP 400шт.
28866 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор КТ816Г кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP 25Вт 200шт. 100В 3МГц 25
28865 СНГ
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Основні технічні характеристики діода Д220А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 70 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 0,5 А; • Сд - Загальна ємність: 15 пФ при Uoбp 5; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 1 мкА при Uoбp 70 В. 0.3 DIP D104 70V 50mA Випрямний 100шт. одиночний
28859 СНГ
5 грн.
К73-17 поліетилентерефталатні захищені конденсатори. Призначені для роботи вбудованих елементів усередині комплектних виробів у ланцюгах постійного, змінного струму та в імпульсному режимі. 7 Гнучкі виводи 160 DIP 25шт. 1.5µF 20 %
28784 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,85 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 2,8 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 150 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 120 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 75 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 70 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 4 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 4 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. 3 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN 2.8Вт 100шт. 100В 500мА 150МГц 80
28777 СНГ
12 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
250+9 грн.
Основні технічні параметри стабілітрона 2С107А: • Номінальна напруга стабілізації: 0.7 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,34%/°С; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 120 мА; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 1V3 kd-8
28776 СНГ
6 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
250+4,50 грн.
Основні технічні параметри стабістора 2С113А: • Номінальна напруга стабілізації: 1,3 при Iст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 1,17...1,43 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,42...-0,2%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±3,5 %; • Диференціальний опір: 15 Ом при Іст 7,5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється: 0,16 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 DIP 160 мВт 100шт. 1V3 kd-8
28774 СНГ
6 грн.
20+5,40 грн.
50+4,80 грн.
100+4,50 грн.
200+4,20 грн.
Запобіжники (плавкі вставки) призначені для розриву електричного ланцюга у разі, якщо струм у ланцюгу перевищує заданий. 3.2 600 8 50 DIP 100шт. 3.15 Скло
28772 СНГ
5 грн.
20+4,50 грн.
50+4 грн.
100+3,75 грн.
200+3,50 грн.
Запобіжники (плавкі вставки) призначені для розриву електричного ланцюга у разі, якщо струм у ланцюгу перевищує заданий. 2 250 7 30 DIP 1000шт. 20 Скло
28770 СНГ
10 грн.
50+9 грн.
200+8 грн.
Ніобієві оксидно-напівпровідникові конденсатори К53-4АВ, полярні, герметичні у металевому корпусі. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та пульсуючого струму. Особливості конденсаторів серії К53-4: малі та стабільні струми витоку, великі значення питомої ємності, покращені температурно-частотні характеристики ємності та тангенс кута діелектричних втрат. 3.5 Гнучкі виводи 47 20 20 -60..+85 7 16 DIP 100шт.
28767 СНГ
4 грн.
50+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
Основні технічні характеристики діода Д226Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 200 В. 2 DIP КД-8 200V 300mA Випрямний 200шт. одиночний
28766 СНГ
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 300 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 4; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 15 TO3 Біполярний DIP NPN 50Вт 40шт. 300В 10А 3МГц
28765 СНГ
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
Транзистори КТ834А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в регуляторах струму і напруги, у пристроях, що перемикають. 15 TO3 Біполярний DIP NPN 100Вт 20шт. 450В 20А 4МГц 3000
28738 СНГ
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
Резистор МЛТ-1 200 Ом (+/-10%). 1.2 Гнучкі виводи 6 12 DIP 500шт. 200 Ом 1 Вт 10 % металоплівковий
28730 СНГ
170 грн.
Тиристор ТО125-12.5-10 оптронний, низькочастотний, кремнієвий, дифузійний, структури pnpn, фланцевого виконання. Призначений для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму частотою до 500 Гц та силою струму не більше 12,5 А. Складається з кремнієвого фототиристора і арсенід-галієвого випромінюючого діода і зв`язок ланцюга управління з силовим ланцюгом тільки за допомогою світлового променя за відсутності гальванічного з`язку. 17 DIP 1000V 12.5А 20шт.
28729 СНГ
7 грн.
50+6,30 грн.
200+5,60 грн.
Ніобієві оксидно-напівпровідникові конденсатори К53-4АВ, полярні, герметичні у металевому корпусі. Призначені для роботи в ланцюгах постійного та пульсуючого струму. Особливості конденсаторів серії К53-4АВ: малі та стабільні струми витоку, великі значення питомої ємності, покращені температурно-частотні характеристики ємності та тангенс кута діелектричних втрат. 1.5 Гнучкі виводи 10 20 10 -60..+85 4 13 DIP 180шт.
28725 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори КТ321В кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200
28722 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321Г германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 45В 200мА 60МГц 60
28721 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ321Е германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 45В 200мА 60МГц 200