Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
23024 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор МП11 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 55
23027 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП16А германієвий низькочастотний малопотужний сплавний перемикач pnp. Призначений для застосування в схема перемикання та формування імпульсів. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 100мА 1МГц 50
23028 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП16Б германієвий низькочастотний малопотужний сплавний pnp перемикач. Призначений для застосування в схема перемикання та формування імпульсів. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 100мА 1МГц 100
23032 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор германієвий сплавний pnp низькочастотний підсилювальний з нормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 0,5МГц 60
23033 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП41А сплавний германієвий pnp підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 100
23034 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор сплавний германієвий npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
23035 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор германієвий сплавний pnp низькочастотний підсилювальний з ненормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 0,5МГц 12
23038 СНГ
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор ГТ403Д германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 45В 1,25А 150
23039 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистор ГТ403Е германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 45В 1,25А 30
23041 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор П403 – германієвий, підсилювальний малопотужний, високочастотний, структури – pnp. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100
23042 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор германієвий сплавний npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 15В 20мА 0,5МГц 125
23045 СНГ
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
Транзистор ГТ404А германієвий сплавний структури npn підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. 3.5 Біполярний DIP NPN 600мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 80
23046 СНГ
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
Транзистор ГТ404Б германієвий сплавний структури npn підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. 3.5 Біполярний DIP NPN 600мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 150
23047 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Транзистор ГТ404Г германієвий сплавний структури npn підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. 3.5 Біполярний DIP NPN 600мВт 50шт. 40В 500мА 1МГц 150
23048 СНГ
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
Транзистор КТ3117А кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn імпульсний. Призначений для застосування в імпульсних та перемикаючих пристроях. 0.5 КТ-1 Біполярний DIP NPN 300мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 200
23049 СНГ
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Транзистор 2Т3108Б кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp підсилювальний з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначений для застосування у логарифмічних відеопідсилювачах та лінійних підсилювачах високої частоти. 0.5 КТ-1 Біполярний DIP PNP 300мВт 100шт. 45В 200мА 250МГц 150
23050 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистор КТ117Б кремнієвий епітаксійно-планарний одноперехідний з базою n-типу. Транзистор призначений для застосування у малопотужних генераторах. 0.5 КТ-1 Біполярний DIP n-база 300мВт 100шт.
23321 СНГ
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Транзистор 2Т208Б служить для посилення, генерації та перетворення електричних сигналів. 0.3 КТ-1 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 20В 300мА 120
23322 СНГ
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Транзистор КП302ВМ кремнієвий планарний польовий із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Призначений для застосування в широкосмугових підсилювачах в діапазоні частот до 150 МГц, а також у пристроях, що перемикають і комутують. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП р-канальний 20В 30мА 300мВт 100шт. 150МГц
23480 INTEGRAL
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КП959А кремнієві ключові епітаксійно-планарні з вертикальним каналом n-типу зі статичною індукцією призначені для застосування у схемах високочастотних джерел живлення та інших швидкодіючих ключових схемах радіоелектронної апаратури. 0.6 TO126 Польовий DIP МОП n-канальний 220В 200мА 7Вт 100шт.
23488 СНГ
27 грн.
10+25,65 грн.
50+24,30 грн.
100+21,60 грн.
Транзистори КП350В кремнієві дифузно-планарні польові з двома ізольованими затворами та каналом n-типу. Призначені для застосування в підсилювачах, генераторах та перетворювачах надвисокої частоти до 700 МГц. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 200мВт 100шт.
23525 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт.
23526 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистори КП307Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 27В 25мА 250мВт 100шт.
23559 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 25В 350мА 5МГц 240
23560 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23561 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Г кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23562 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ502Е кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 80В 350мА 5МГц 120
23565 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 120
23566 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори КТ503Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN 350мВт 1000шт. 40В 350мА 5МГц 240
23567 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 350мВт 1000шт. 60В 350мА 120