Транзистори вітчизняні
Параметри фільтра:
|
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
|
Транзистор МП11
#10828
|
23024 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистор МП11 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму на частоті 1 кГц. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 2МГц | 55 | |||||||
|
Транзистор МП16А
#10831
|
23027 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор МП16А германієвий низькочастотний малопотужний сплавний перемикач pnp. Призначений для застосування в схема перемикання та формування імпульсів. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 15В | 100мА | 1МГц | 50 | |||||||
|
Транзистор МП16Б
#10832
|
23028 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор МП16Б германієвий низькочастотний малопотужний сплавний pnp перемикач. Призначений для застосування в схема перемикання та формування імпульсів. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 15В | 100мА | 1МГц | 100 | |||||||
|
Транзистор МП39Б
#10835
|
23032 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистор германієвий сплавний pnp низькочастотний підсилювальний з нормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 30мА | 0,5МГц | 60 | |||||||
|
Транзистор МП41А
#10836
|
23033 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор МП41А сплавний германієвий pnp підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 30мА | 1МГц | 100 | |||||||
|
Транзистор МП38А
#10837
|
23034 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор сплавний германієвий npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 2МГц | 100 | |||||||
|
Транзистор МП39
#10838
|
23035 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор германієвий сплавний pnp низькочастотний підсилювальний з ненормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 30мА | 0,5МГц | 12 | |||||||
|
Транзистор ГТ403Д
#10841
|
23038 | СНГ | — |
17 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ403Д германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. | 3 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 45В | 1,25А | — | 150 | |||||||
|
Транзистор ГТ403Е
#10842
|
23039 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ403Е германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. | 3 | — | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 45В | 1,25А | — | 30 | |||||||
|
Транзистор П403
#10844
|
23041 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистор П403 – германієвий, підсилювальний малопотужний, високочастотний, структури – pnp. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 20мА | 120МГц | 100 | |||||||
|
Транзистор МП35
#10845
|
23042 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистор германієвий сплавний npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 0,5МГц | 125 | |||||||
|
Транзистор ГТ404А
#10848
|
23045 | СНГ | — |
42 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ404А германієвий сплавний структури npn підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. | 3.5 | — | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 600мВт | 50шт. | 25В | 500мА | 1МГц | 80 | |||||||
|
Транзистор ГТ404Б
#10849
|
23046 | СНГ | — |
42 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ404Б германієвий сплавний структури npn підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. | 3.5 | — | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 600мВт | 50шт. | 25В | 500мА | 1МГц | 150 | |||||||
|
Транзистор ГТ404Г
#10850
|
23047 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ404Г германієвий сплавний структури npn підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. | 3.5 | — | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 600мВт | 50шт. | 40В | 500мА | 1МГц | 150 | |||||||
|
Транзистор КТ3117А au
#10851
|
23048 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Транзистор КТ3117А кремнієвий епітаксійно-планарний структури npn імпульсний. Призначений для застосування в імпульсних та перемикаючих пристроях. | 0.5 | КТ-1 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 300мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 200 | |||||||
| 23049 | СНГ | — |
30 грн.
|
|
— | Транзистор 2Т3108Б кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp підсилювальний з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначений для застосування у логарифмічних відеопідсилювачах та лінійних підсилювачах високої частоти. | 0.5 | КТ-1 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 300мВт | 100шт. | 45В | 200мА | 250МГц | 150 | ||||||||
|
Транзистор КТ117Б au
#10853
|
23050 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзистор КТ117Б кремнієвий епітаксійно-планарний одноперехідний з базою n-типу. Транзистор призначений для застосування у малопотужних генераторах. | 0.5 | КТ-1 | Біполярний | DIP | n-база | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
| 23321 | СНГ | — |
18 грн.
|
|
— | Транзистор 2Т208Б служить для посилення, генерації та перетворення електричних сигналів. | 0.3 | КТ-1 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 20В | 300мА | — | 120 | ||||||||
|
Транзистор КП302ВМ Au
#11198
|
23322 | СНГ | — |
24 грн.
|
|
— | Транзистор КП302ВМ кремнієвий планарний польовий із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Призначений для застосування в широкосмугових підсилювачах в діапазоні частот до 150 МГц, а також у пристроях, що перемикають і комутують. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП р-канальний | 20В | 30мА | 300мВт | 100шт. | — | — | 150МГц | — | |||||||
|
Транзистор КП959А
#11371
|
23480 | INTEGRAL | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КП959А кремнієві ключові епітаксійно-планарні з вертикальним каналом n-типу зі статичною індукцією призначені для застосування у схемах високочастотних джерел живлення та інших швидкодіючих ключових схемах радіоелектронної апаратури. | 0.6 | TO126 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 220В | 200мА | 7Вт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КП350В Аu
#11377
|
23488 | СНГ | — |
27 грн.
|
|
— | Транзистори КП350В кремнієві дифузно-планарні польові з двома ізольованими затворами та каналом n-типу. Призначені для застосування в підсилювачах, генераторах та перетворювачах надвисокої частоти до 700 МГц. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | — | — | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КП303Е Ni
#11408
|
23525 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КП307Е Au
#11409
|
23526 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзистори КП307Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. | 0.4 | КТ-1 | Польовий | DIP | МОП n-канальний | 27В | 25мА | 250мВт | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ502Б
#11433
|
23559 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Б кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 25В | 350мА | 5МГц | 240 | |||||||
|
Транзистор КТ502В
#11434
|
23560 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502В кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | |||||||
|
Транзистор КТ502Г
#11435
|
23561 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Г кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | |||||||
|
Транзистор КТ502Е
#11436
|
23562 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ502Е кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 80В | 350мА | 5МГц | 120 | |||||||
|
Транзистор КТ503В
#11438
|
23565 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 120 | |||||||
|
Транзистор КТ503Г
#11439
|
23566 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори КТ503Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних та диференціальних підсилювачах, перетворювачах, імпульсних пристроях. | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | NPN | — | — | 350мВт | 1000шт. | 40В | 350мА | 5МГц | 240 | |||||||
|
Транзистор КТ209Д
#11440
|
23567 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 60В | 350мА | — | 120 |