Радіокомпоненти/ Радіокомпоненти активні/ Транзистори/ Транзистори вітчизняні

Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |

Колонки таблиці

Фіксовані колонки: MPN, артикул, бренд, наявність, ціна, знижки, кількість, опис.

Вага г.
Тип корпусу транзистора
Тип транзистора
Тип монтажу
Структура
Напруга сток-витік
Струм стоку
Потужність
Заводська упаковка
Напруга колектор-емітер
Струм колектора
Частота
Коефіцієнт посилення струму

Фільтри

від до

МОП р-канальний МОП n-канальний PNP NPN PNP x2 n-база

Польовий Біполярний Фото

SOT23 TO126 TO220 TO3 TO39 TO92 kt-282 kt-9 КТЮ-3-9 КТ-1 КТ-14 КТ-13 КТ-22 КТЮ-3-3 КТ-4-2 КТ-29 КТ-21 КТЮ-3-6 КТЮ-3-20 КТЮ-3-1 КТ-1-7

1мА 15мА 20мА 25мА 30мА 40мА 200мА 700мА 7А 10А

20мВт 30мВт 50мВт 60мВт 75мВт 100мВт 125мВт 150мВт 200мВт 210мВт 225мВт 250мВт 300мВт 350мВт 400мВт 500мВт 600мВт 625мВт 1Вт 1.2Вт 1.5Вт 2.5Вт 2.8Вт 3Вт 4Вт 5Вт 6Вт 7Вт 10Вт 11,5Вт 12.5Вт 15Вт 24Вт 25Вт 30Вт 35Вт 40Вт 45Вт 50Вт 60Вт 70Вт 100Вт 125Вт

5В 6В 10В 11В 12В 15В 20В 25В 30В 35В 40В 45В 50В 55В 60В 65В 70В 75В 80В 90В 100В 120В 130В 150В 180В 200В 250В 300В 350В 400В 450В 500В 700В 800В

20мА 25мА 30мА 50мА 60мА 100мА 120мА 150мА 200мА 300мА 350мА 400мА 500мА 600мА 800мА 1А 1.5А 2А 3А 5А 6А 7А 8А 10А 12А 15А 20А 40А 8,5мА 7,5A 1,25А 10мА 75мА 6mA 40мА

	MPN	Артикул	Бренд	На складі	Ціна	Знижки	Кількість	Опис	Вага г.	Тип корпусу транзистора	Тип транзистора	Тип монтажу	Структура	Напруга сток-витік	Струм стоку	Потужність	Заводська упаковка	Напруга колектор-емітер	Струм колектора	Частота	Коефіцієнт посилення струму

Транзистор КТ209М

#11441

23568

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Біполярний

DIP

PNP

—

350мВт

1000шт.

60В

350мА

—

120

Транзистор КТ209А

#11442

23569

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Біполярний

DIP

PNP

—

350мВт

1000шт.

25В

350мА

—

120

Транзистор КТ209Ж

#11444

23572

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Біполярний

DIP

PNP

—

350мВт

1000шт.

45В

350мА

—

Транзистор КТ3102ГМ

#11445

23573

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Біполярний

DIP

NPN

—

250мВт

1000шт.

20В

200мА

—

1000

Транзистор КТ209Г

#11447

23575

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Біполярний

DIP

PNP

—

350мВт

1000шт.

30В

350мА

—

Транзистор КП303Д Ni

#11617

23848

СНГ

—

11 грн.

10+	10,45 грн.
50+	9,90 грн.
100+	8,80 грн.

—

Транзистори КП303Д кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу.

0.4

КТ-1

Польовий

DIP

МОП n-канальний

25В

20мА

200мВт

100шт.

—

Транзистор КП303В Ni

#11618

23849

СНГ

—

11 грн.

10+	10,45 грн.
50+	9,90 грн.
100+	8,80 грн.

—

Транзистори КП303В кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу.

0.4

КТ-1

Польовий

DIP

МОП n-канальний

25В

20мА

200мВт

100шт.

—

Транзистор КТ3107В

#11685

23914

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Біполярний

DIP

PNP

—

300мВт

1000шт.

25В

200мА

200МГц

140

Транзистор 2Т625АМ-2

#11805

24034

СНГ

—

28 грн.

10+	26,60 грн.
50+	25,20 грн.
100+	22,40 грн.

—

Транзистори 2Т625АМ-2 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у імпульсних пристроях герметизованої апаратури. Безкорпусні із захисним покриттям та гнучкими висновками.

1.6

—

Біполярний

SMD

NPN

—

1Вт

100шт.

40В

1А

200МГц

120

Транзистор 2Т331В-1

#11807

24036

СНГ

—

38 грн.

10+	36,10 грн.
50+	34,20 грн.
100+	30,40 грн.

—

Кремнієві епітаксійно-планарні npn безкорпусні високочастотні транзистори.

1.6

—

Біполярний

—

NPN

—

50шт.

—

180

Транзистор П701

#11874

24126

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Транзистори П701 кремнієві сплавно-дифузійні структури npn низькочастотні підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв.

—

Біполярний

DIP

NPN

—

10Вт

20шт.

40В

500мА

20МГц

Транзистор КТ3107Г

#11876

24129

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Біполярний

DIP

PNP

—

300мВт

1000шт.

25В

200мА

200МГц

220

Транзистор КТ3107Л

#11877

24130

СНГ

—

3 грн.

10+	2,85 грн.
50+	2,70 грн.
100+	2,40 грн.

—

0.3

TO92

Біполярний

DIP

PNP

—

300мВт

1000шт.

20В

200мА

200МГц

800

Транзистор П702

#11878

24131

СНГ

—

50 грн.

10+	47,50 грн.
50+	45 грн.
100+	40 грн.

—

Транзистори П702 кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перемикаючих пристроях, перетворювачах та стабілізаторах постійної напруги.

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

NPN

—

40Вт

20шт.

60В

2А

4МГц

Транзистор П308

#11954

24243

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

Транзистори П308 кремнієві планарні npn перемикальні малочастотні малопотужні. Призначені для застосування у схемах перемикання та перетворювачів постійної напруги.

1.5

КТЮ-3-6

Біполярний

DIP

NPN

—

250мВт

100шт.

120В

30мА

20МГц

Транзистор 2Т602Б (=КТ602Б)

#11955

24244

СНГ

—

25 грн.

10+	23,75 грн.
50+	22,50 грн.
100+	20 грн.

—

КТ602Б Транзистори кремнієві планарні структури npn. Призначені для генерування та посилення сигналів.

3.2

КТЮ-3-9

Біполярний

DIP

NPN

—

2.8Вт

100шт.

100В

75мА

150МГц

220

Транзистор КТ608Б

#11956

24245

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Транзистори КТ608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях.

1.5

КТЮ-3-6

Біполярний

DIP

NPN

—

500мВт

100шт.

60В

400мА

200МГц

160

Транзистор КТ604АМ

#11957

24246

СНГ

—

4 грн.

10+	3,80 грн.
50+	3,60 грн.
100+	3,20 грн.

—

КТ604АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn.

TO126

Біполярний

DIP

NPN

—

3Вт

200шт.

250В

200мА

40МГц

Транзистор КТ639Д

#11958

24247

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, підсилювачах потужності, відеопідсилювачах, автомобільних електронних пристроях, імпульсних та перемикаючих пристроях, в кінцевих пристроях ЕОМ.

TO126

Біполярний

DIP

PNP

—

1Вт

100шт.

60В

1.5А

80МГц

160

Транзистор КТ611АМ

#11959

24248

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

КТ611АМ Транзистори кремнієві мезапланарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах.

TO126

Біполярний

DIP

NPN

—

3Вт

100шт.

180В

100мА

60МГц

Транзистор 2Т607А-4

#11960

24249

СНГ

—

160 грн.

10+	152 грн.
50+	144 грн.
100+	128 грн.

—

Транзистори 2Т607А-4 кремнієві епітаксійно-планарні структури npn генераторні. Призначені для застосування в генераторах та підсилювачах у герметизованій апаратурі.

0.4

—

Біполярний

SMD

NPN

—

1.5Вт

8шт.

35В

150мА

0,7МГц

—

Транзистор 2П903В (=КП903В)

#11966

24255

СНГ

—

35 грн.

10+	33,25 грн.
50+	31,50 грн.
100+	28 грн.

—

Транзистори 2П903В кремнієві епітаксійно-планарні польові з каналом n-типу і затвором у вигляді зміщеного назад pn переходу високочастотні універсальні.

4.5

КТ-4-2

Польовий

Гвинт

МОП n-канальний

20В

700мА

6Вт

20шт.

—

Транзистор КП327А (=BF961)

#12172

24464

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзистор КП327А кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу

0.3

КТ-29

Польовий

SMD

МОП n-канальний

14В

30мА

200мВт

100шт.

—

Транзистор 2Т809А (=КТ809А)

#12230

24609

СНГ

—

60 грн.

10+	57 грн.
50+	54 грн.
100+	48 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора 2Т809А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 40 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5,1 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 400 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 3 А; • Iк і max – максимально допустимий імпульсний струм колектора: 5 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400 В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 15...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 270 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом.

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

NPN

—

40Вт

20шт.

400В

5А

—

100

Транзистор П210А

#12231

24610

СНГ

—

60 грн.

10+	57 грн.
50+	54 грн.
100+	48 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора П210А: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,1 МГц; • Uкео проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та розімкнутого ланцюга бази: 65 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 12 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е – Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: більше 15.

—

Біполярний

DIP

PNP

—

60Вт

10 шт.

65В

12А

—

Транзистор КТ816В

#12237

24616

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзистор КТ816В кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний.

0.7

TO126

Біполярний

DIP

PNP

—

25Вт

200шт.

60В

3А

3МГц

Транзистор КТ812В

#12261

24643

СНГ

—

50 грн.

10+	47,50 грн.
50+	45 грн.
100+	40 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора КТ812В: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 200 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом.

kt-9

Біполярний

DIP

NPN

—

50Вт

20шт.

200В

8А

3МГц

Транзистор КТ940Б

#12264

24646

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Кремнієвий епітаксійно-планарний біполярний структури npn підсилювальний.

0.7

TO126

Біполярний

DIP

NPN

—

10Вт

200шт.

250В

100мА

90МГц

Транзистор КТ817А

#12265

24647

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзистор КТ817А кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний.

0.7

TO126

Біполярний

DIP

NPN

—

25Вт

200шт.

40В

3А

3МГц

Транзистор КТ817В

#12266

24648

СНГ

—

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

—

Транзистор КТ817В кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний.

0.7

TO126

Біполярний

DIP

NPN

—

25Вт

200шт.

60В

3А

3МГц

Порівняти відмічені товари (0)