Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КП303Е Au
Транзистор КП303Е Au
#12267
 24649 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзистори КП303Е кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП n-канальний 25В 20мА 200мВт 100шт. — — — —
Транзистор КТ3102А
Транзистор КТ3102А
#12269
 24651 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ3102А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 250 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 50 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 100 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,05 мкА (50В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером: 100...250; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 10 дБ на частоті 1 кГц • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 100 пс. 0.34 КТ-1 — DIP NPN — — 250мВт 100шт. 50В 200мА 300МГц 250
Транзистор П27
Транзистор П27
#12270
 24652 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 30мВт 100шт. 5В 6mA 1МГц 100
Транзистор П28
Транзистор П28
#12271
 24653 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистори П28 – германієві, підсилювальні, малої потужності низькочастотні, з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1КГц, структури – pnp. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 30мВт 100шт. 5В 6mA 5МГц 200
Транзистор МП37
Транзистор МП37
#12272
 24654 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистори МП37 германієві сплавні npn низькочастотні підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 30
Транзистор КТ601А Au
Транзистор КТ601А Au
#12273
 24655 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ601А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,25 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 40 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 30 мА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 16; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 600 пс. 2 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 100шт. 100В 30мА 40МГц 25
Транзистор КТ603Б Au
Транзистор КТ603Б Au
#12274
 24656 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 100шт. 30В 300мА 200МГц 60
Транзистор КТ808А з кріпленням
Транзистор КТ808А з кріпленням
#12276
 24658 СНГ —
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. 30 КТЮ-3-20 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 10 шт. 120В 10А — 50
Транзистор П422
Транзистор П422
#12280
 24662 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Германієві транзистори, дифузійно-сплавні, pnp, підсилювальні, малопотужні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1,6 МГц. Призначені для роботи в підсилювальних та генераторних каскадах каскадах ВЧ. 1.5 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 50МГц 100
Транзистор КТ837Ф
Транзистор КТ837Ф
#12332
 24682 INTEGRAL —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 100шт. 40В 7,5A 1МГц 150
Транзистор ГТ328В Au
Транзистор ГТ328В Au
#12334
 24684 СНГ —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора ГТ328В: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 50 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 300 МГц; • Uкеr проб - Пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В при 5кОм; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 0,25 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА при 15 В; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 10...50 при 5В, 3мА; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 1,5 пФ при 5В; • Кш – Коефіцієнт шуму транзистора: не більше 7 дБ на частоті 180 МГц; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 10 пс. 0.5 КТ-1 Біполярний DIP PNP — — 50мВт 100шт. 15В 10мА 300МГц 50
Транзистор КТ603Д Au
Транзистор КТ603Д Au
#12336
 24686 СНГ —
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
 — Транзистори КТ603Д кремнієві епітаксійно-планарні структури npn. Призначені для застосування в імпульсних і високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 100шт. 10В 300мА 200МГц 80
Транзистор КТ3102ВМ
Транзистор КТ3102ВМ
#12368
 24703 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 30В 200мА — 500
Транзистор КТ3102БМ
Транзистор КТ3102БМ
#12369
 24704 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Біполярний DIP NPN — — 250мВт 1000шт. 50В 200мА — 500
Транзистор КТ209Л
Транзистор КТ209Л
#12370
 24706 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 350мВт 1000шт. 60В 350мА — 60
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
Транзистор 2Т312В (=КТ312В)
#12642
 24998 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистори 2Т312В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 250
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
Транзистор 2Т312А (=КТ312А)
#12643
 24999 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори 2Т312А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 80МГц 100
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
Транзистор 2Т312Б (=КТ312Б)
#12644
 25000 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Транзистори 2Т312Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, підсилювачах і генераторах. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 225мВт 200шт. 30В 30мА 120МГц 100
Транзистор 2Т608А (=КТ608А) Au
Транзистор 2Т608А (=КТ608А) Au
#12645
 25001 СНГ —
52 грн.
10+49,40 грн.
50+46,80 грн.
100+41,60 грн.
 — Транзистори 2Т608А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
Транзистор 2Т313А (=КТ313А)
#12646
 25002 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори 2Т313А кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 0.4 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP — — 300мВт 100шт. 50В 350мА 200МГц 120
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
Транзистор 1Т311Б (=ГТ311Б)
#12648
 25003 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Біполярний германієвий транзистор ГТ311Б, npn, малої потужності, надвисокої частоти. 1.2 — Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 30
Фототранзистор ФТ-1К гр.
Фототранзистор ФТ-1К гр.
#12650
 25005 СНГ —
11 грн.
10+10,45 грн.
50+9,90 грн.
100+8,80 грн.
 — Основні технічні параметри фототранзистора ФТ-1К гр. • Розмір фоточутливого елемента діаметр 1,8 мм; • Область спектральної фоточутливості: 0,5...1,12 мкм; • Довжина хвилі максимуму спектрального розподілу фоточутливості: 0,8...0,9 мкм; • Номінальна робоча напруга: 5 В; • Темновий струм: трохи більше 3 мкА; • Токова фоточутливість: не менше 0,4 мкА/лк. 0.3 — Фото DIP — — — — 100шт. — — — —
Транзистор П605А із гнучкими виводами
Транзистор П605А із гнучкими виводами
#12773
 25130 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. 10 — Біполярний DIP PNP — — 3Вт 40шт. 40В 1.5А 30МГц 120
Транзистор ГТ701А
Транзистор ГТ701А
#12774
 25131 СНГ —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — Транзистор ГТ701А германієвий сплавний структури pnp універсальний. Призначений для застосування в системах запалювання двигунів внутрішнього згоряння, а також у перетворювачах напруги. 22 — Біполярний DIP PNP — — 50Вт 20шт. 100В 12А — 75
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
Транзистор 2Т908А (=КТ908А)
#12953
 25224 СНГ —
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
 — Транзистори 2Т908А мезапланарні кремнієві структури npn перемикальні. Призначені для застосування у стабілізаторах та перетворювачах напруги, імпульсних модуляторах. Корпус металевий із скляними ізоляторами та жорсткими висновками. 22 КТЮ-3-20 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 10 шт. 100В 10А 50МГц 60
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
Транзистор 1Т305Б (=ГТ305Б)
#12954
 25225 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистори 1Т305Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. 0.4 — Біполярний DIP PNP — — 75мВт 100шт. 15В 6mA 20МГц 180
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
Транзистор 2Т306А (=КТ306А)
#12958
 25229 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистори 2Т306А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 60
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
Транзистор 2Т306Б (=КТ306Б)
#12959
 25230 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори 2Т306Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 120
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
Транзистор 2Т306В (=КТ306В)
#12960
 25231 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори 2Т306В кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 300МГц 100
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
Транзистор 2Т306Г (=КТ306Г)
#12961
 25232 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистори 2Т306Г кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні та підсилювальні з ненормованим коефіцієнтом шуму. 0.6 КТЮ-3-1 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 30мА 500МГц 200