Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КТ859А
Транзистор КТ859А
#14420
 26629 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистор КТ859А кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 40Вт 100шт. 800В 3А 10МГц 10
Транзистор КТ326БМ
Транзистор КТ326БМ
#14421
 26630 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — Транзистори КТ326БМ кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні, високочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 1000шт. 15В 50мА 250МГц 160
Транзистор ГТ320Б
Транзистор ГТ320Б
#14474
 26685 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори ГТ320Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 11В 150мА 80МГц 120
Транзистор ГТ308А
Транзистор ГТ308А
#14475
 26686 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
 — Транзистори ГТ308А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 15В 50мА 100МГц 75
Транзистор П401
Транзистор П401
#14476
 26687 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистори П401 – германієві, підсилювальні малопотужні, високочастотні, структури – pnp. Призначені для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах короткохвильових та ультракороткохвильових радіопередаючих пристроїв. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 30МГц 300
Транзистор П403ВП
Транзистор П403ВП
#14477
 26688 СНГ —
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
 — Транзистор П403ВП – германієвий, підсилювальний малопотужний, високочастотний, структури – pnp. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100
Транзистор П403А
Транзистор П403А
#14478
 26689 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистор П403А – германієвий, підсилювальний малопотужний, високочастотний, структури – pnp. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 200
Транзистор П423
Транзистор П423
#14479
 26690 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Германієві транзистори, дифузійно-сплавні, pnp, підсилювальні, малопотужні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1,6 МГц. Призначені для роботи в підсилювальних та генераторних каскадах каскадах ВЧ. 1.5 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100
Транзистор КТ3120АМ
Транзистор КТ3120АМ
#14484
 26696 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистори КТ3120АМ кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів надвисоких частот. Основні технічні характеристики транзистора КТ3120АМ: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 1800 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 40; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 2 пФ; • tк - Постійна часу ланцюга зворотний зв`язок на високій частоті: трохи більше 8 пс. 0.2 КТ-14 Біполярний SMD NPN — — 100мВт 20шт. 15В 20мА — 40
Транзистор 1Т906А (=ГТ906А)
Транзистор 1Т906А (=ГТ906А)
#14615
 26831 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
 — Транзистори 1Т906А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в перетворювачах напруги, що перемикають та імпульсних підсилювальних каскадах радіоелектронних пристроїв. Основні технічні характеристики транзистора 1Т906А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 1,4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...150; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс. 3.5 — Біполярний DIP PNP — — 15Вт 100шт. 75В 10А 30МГц 150
Транзистор ГТ115Д
Транзистор ГТ115Д
#14617
 26833 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистори ГТ115Д сплавні германієві pnp малопотужні. 0.4 — Біполярний DIP PNP — — 50мВт 100шт. 20В 30мА 1МГц 250
Транзистор КТ961А
Транзистор КТ961А
#14620
 26836 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ961А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 1 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 12,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 50 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1,5 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 2 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (60В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1 Ом. 1 TO126 Біполярний DIP NPN — — 12.5Вт 100шт. 100В 2А 50МГц 100
Транзистор КТ501Г Au
Транзистор КТ501Г Au
#14627
 26844 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ501Г: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 350 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (10кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 50 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,3 Ом. 0.6 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP — — 350мВт 100шт. 30В 300мА 5МГц 60
Транзистор ГТ403Г
Транзистор ГТ403Г
#15473
 27712 СНГ —
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
 — Транзистор ГТ403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 — Біполярний DIP PNP — — 4Вт 100шт. 45В 1,25А — 150
Транзистор П29
Транзистор П29
#15474
 27713 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистори П29 сплавні германієві транзистори малої потужності, середньочастотні, провідність pnp. Призначені для роботи в радіотехнічній апаратурі в перемикаючих та імпульсних режимах. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 30мВт 100шт. 12В 6mA 5МГц 50
Транзистор МП11А
Транзистор МП11А
#16002
 28237 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора МП11А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 45...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 50шт. 15В 150мА 2МГц 100
Транзистор П203Е
Транзистор П203Е
#16184
 28428 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Характеристики транзистора П203Е: Структура PNP Uк-е.макс. 55В Uк-б.макс. 70В Iк.макс. (постійний) 2А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 200КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C. 10 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 50шт. 55В 2А 0,2МГц 100
Транзистор КП934Б
Транзистор КП934Б
#16244
 28490 СНГ —
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
 — Транзистор КП934Б кремниевый планарный полевой со статической индукцией и каналом n-типа. 17 TO3 Польовий DIP МОП n-канальний 300В 10А 40Вт 10 шт. — — — —
Транзистор ГТ906А
Транзистор ГТ906А
#16252
 28499 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистори ГТ906А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в перетворювачах напруги, що перемикають та імпульсних підсилювальних каскадах радіоелектронних пристроїв. Основні технічні характеристики транзистора ГТ906А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 1,4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...150; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв’язку на високій частоті: не більше 5000 пс. 3.5 — Біполярний DIP PNP — — 15Вт 100шт. 75В 10А 30МГц 150
Транзистор КТ827Б
Транзистор КТ827Б
#16253
 28500 СНГ —
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ827Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 125 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 80 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 40 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (100В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 750...18000; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 400 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. 15 TO3 Біполярний DIP NPN — — — 40шт. 80В 20А 4МГц 750
Транзистор КТ817Г
Транзистор КТ817Г
#16465
 28712 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Транзистор КТ817Г кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN — — 25Вт 200шт. 100В 3А 3МГц 40
Транзистор ГТ321Д
Транзистор ГТ321Д
#16470
 28720 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистори ГТ321Д германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 45В 200мА 60МГц 120
Транзистор ГТ321Е
Транзистор ГТ321Е
#16471
 28721 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистори ГТ321Е германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 45В 200мА 60МГц 200
Транзистор ГТ321Г
Транзистор ГТ321Г
#16472
 28722 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистори ГТ321Г германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 45В 200мА 60МГц 60
Транзистор КТ321В
Транзистор КТ321В
#16476
 28725 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистори КТ321В кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 210мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 200
Транзистор КТ834Б
Транзистор КТ834Б
#16517
 28765 СНГ —
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
 — Транзистори КТ834А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в регуляторах струму і напруги, у пристроях, що перемикають. 15 TO3 Біполярний DIP NPN — — 100Вт 20шт. 450В 20А 4МГц 3000
Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)
Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)
#16518
 28766 СНГ —
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 300 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 4; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 15 TO3 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 40шт. 300В 10А 3МГц —
Транзистор КТ602А
Транзистор КТ602А
#16535
 28784 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,85 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 2,8 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 150 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 120 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 75 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 70 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 4 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 4 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. 3 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN — — 2.8Вт 100шт. 100В 500мА 150МГц 80
Транзистор КТ816Г
Транзистор КТ816Г
#16628
 28866 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистор КТ816Г кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP — — 25Вт 200шт. 100В 3А 3МГц 25
Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)
Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)
#16887
 29134 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Біполярний германієвий транзистор 1Т311Д, npn, малої потужності, надвисокої частоти. 1.2 — Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 180