Транзистори вітчизняні

Результатів: 425

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
Транзистор КТ603Б
Транзистор КТ603Б
#13540
 25671 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ603Б: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 100шт. 30В 300мА 200МГц 60
Транзистор ГТ321А
Транзистор ГТ321А
#13541
 25672 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистори ГТ321А германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 50В 200мА 60МГц 60
Транзистор ГТ322Б
Транзистор ГТ322Б
#13544
 25675 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистори ГТ322Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначені для застосування в підсилювачах проміжної та високої частот. 0.5 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP — — 50мВт 100шт. 6В 10мА 80МГц 120
Транзистор ГТ322В
Транзистор ГТ322В
#13545
 25676 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистори ГТ322В германієві дифузійно-сплавні структури pnp підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму. Призначені для застосування в підсилювачах проміжної та високої частот. 0.5 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP — — 50мВт 100шт. 10В 10мА 50МГц 200
Транзистор 2Т316Г (= КТ316Г) нік.
Транзистор 2Т316Г (= КТ316Г) нік.
#13546
 25677 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn універсальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої частоти. 0.5 КТ-1-7 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 10В 50мА 600МГц 100
Транзистор МП36А
Транзистор МП36А
#13547
 25679 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистор германієвий сплавний npn низькочастотний підсилювач з ненормованим і нормованим на частоті 1 кГц коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 15В 20мА 1МГц 45
Транзистор МП20
Транзистор МП20
#13549
 25682 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистор МП20 германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 150мВт 100шт. 30В 50мА 2МГц 150
Транзистор ГТ402Д
Транзистор ГТ402Д
#13679
 25838 СНГ —
42 грн.
10+39,90 грн.
50+37,80 грн.
100+33,60 грн.
 — Транзистор ГТ402Д германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. 3.5 — Біполярний DIP PNP — — 600мВт 50шт. 25В 500мА 1МГц 80
Транзистор ГТ402І
Транзистор ГТ402І
#13680
 25839 СНГ —
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
 — Транзистор ГТ402І германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. 3.5 — Біполярний DIP PNP — — 600мВт 50шт. 40В 500мА 1МГц 150
Транзистор МП10Б
Транзистор МП10Б
#13699
 25859 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
 — Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10Б: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 50 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 50
Транзистор МП42
Транзистор МП42
#13701
 25862 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 20 ... 35 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 35
Транзистор КТ848А
Транзистор КТ848А
#13752
 25920 СНГ —
90 грн.
10+85,50 грн.
50+81 грн.
100+72 грн.
 — Транзистори КТ848А кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у електронних схемах запалювання автомобільної радіоелектронної апаратури. Основні технічні характеристики транзистора КТ848А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 35 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. 15 TO3 Біполярний DIP NPN — — 35Вт 40шт. 400В 15А 3МГц 20
Транзистор 2Т803А (=КТ803А)
Транзистор 2Т803А (=КТ803А)
#13841
 26847 СНГ —
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
 — Транзистори 2Т803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. 19 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50
Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)
Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)
#13842
 26019 СНГ —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
 — 1Т806А Транзистори германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Транзистори 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В призначені для застосування в імпульсних пристроях, перетворювачах та стабілізаторах струму та напруги. Основні технічні характеристики транзистора 1Т806А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 10 МГц; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • h21е - Коефіцієнт зворотний зв'язок з напрузі транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно: 10...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,04 Ом. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 30Вт 20шт. 40В 20А 10МГц 100
Транзистор 2Т808А (=КТ808А)
Транзистор 2Т808А (=КТ808А)
#13843
 26020 СНГ —
150 грн.
10+142,50 грн.
50+135 грн.
100+120 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. 30 КТЮ-3-20 Біполярний DIP NPN — — 50Вт 10 шт. 120В 10А — 50
Транзистор КТ805БМ
Транзистор КТ805БМ
#13925
 26104 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 30Вт 100шт. 60В 5А 20МГц 15
Транзистор КП302БМ Au
Транзистор КП302БМ Au
#13932
 26111 СНГ —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
 — Транзистор КП302БМ кремнієвий планарний польовий із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Призначений для застосування в широкосмугових підсилювачах в діапазоні частот до 150 МГц, а також у пристроях, що перемикають і комутують. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП р-канальний 20В 40мА 300мВт 100шт. — — 150МГц —
Транзистор КТ837К
Транзистор КТ837К
#13948
 26127 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Транзистори КТ837К кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ837К: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 1 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 2 TO220 Біполярний DIP PNP — — — 200шт. 40В 7,5A 1МГц 150
Транзистор П27А
Транзистор П27А
#14256
 26455 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
 — Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP — — 30мВт 100шт. 5В 6mA 1МГц 60
Транзистор КТ349Б
Транзистор КТ349Б
#14260
 26459 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ349Б: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В (10кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 40...160; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 30 Ом. 0.5 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP — — 200мВт 100шт. 15В 40мА 300МГц 160
Транзистор КТ603Г
Транзистор КТ603Г
#14261
 26460 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
 — Основні технічні характеристики транзистора КТ603Г: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN — — 500мВт 100шт. 15В 300мА 200МГц 60
Транзистор П215
Транзистор П215
#14266
 26465 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
 — Транзистори П215 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Основні технічні характеристики транзистора П215: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 80 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 9.2 — Біполярний DIP PNP — — 10Вт 40шт. 70В 5А 0,15МГц 150
Транзистор КТ819Б
Транзистор КТ819Б
#14409
 26617 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 100шт. 50В 10А 3МГц 20
Транзистор КТ605АМ
Транзистор КТ605АМ
#14412
 26620 СНГ —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — Транзистор кремнієві мезапланарні структури npn. Призначений для застосування в підсилювачах, імпульсних та перемикаючих високочастотних пристроях. 0.7 TO126 Біполярний DIP NPN — — 400мВт 200шт. 250В 100мА 40МГц 40
Транзистор КТ855А
Транзистор КТ855А
#14413
 26621 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — Транзистори КТ855А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах напруги. 2.5 TO220 Біполярний DIP PNP — — 40Вт 100шт. 200В 5А 5МГц 20
Транзистор КТ829А
Транзистор КТ829А
#14414
 26622 СНГ —
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
 — Транзистори КТ829А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, що перемикають пристрої. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 200шт. 100В 8А 4МГц 750
Транзистор КТ865А
Транзистор КТ865А
#14416
 26625 СНГ —
80 грн.
10+76 грн.
50+72 грн.
100+64 грн.
 — Транзистор КТ865А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp імпульсний. Призначений для застосування в джерелах вторинного електроживлення, перетворювачах, каскадах кінцевих підсилювачів звукової частоти, стабілізаторах напруги. 16 TO3 Біполярний DIP PNP — — 100Вт 20шт. 200В 10А 15МГц 200
Транзистор КТ854А
Транзистор КТ854А
#14417
 26626 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
 — Транзистори КТ854А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 60Вт 100шт. 500В 10А — 20
Транзистор КТ850А
Транзистор КТ850А
#14418
 26627 СНГ —
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
 — Транзистори КТ850А мезапланарні кремнієві структури npn підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах потужності, що перемикають пристрої. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN — — 25Вт 100шт. 200В 2А 20МГц 200
Транзистор 1Т901А
Транзистор 1Т901А
#14419
 26628 СНГ —
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
 — Транзистори германієві дифузійно-сплавні pnp перемикальні високочастотні потужні. 25 — Біполярний DIP PNP — — 15Вт 20шт. 50В 10А 30МГц 60