Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
28436 СНГ
20 грн.
12 DIP 100V 10A 50шт.
23307 СНГ
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 180В Основні технічні параметри стабілітрона КС680А: • Номінальна напруга стабілізації: 180 В при Іст 25 мА; • Розкид напруги стабілізації: 162... 198 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,2 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 330 Ом при Іст 30 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 2,5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 28 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С 1.5 Гвинт 5Вт 100шт. 180V ks620
28429 СНГ
5 грн.
50+4,50 грн.
200+4 грн.
500+3,50 грн.
Макс. допустима зворотна напруга, В: 100 Максимальний постійний прямий струм, ма: 300 Максимальна робоча частота, кГц: 1 Час відновлення, мкс: 0,385 0.4 DIP 100V 300mA Випрямний 200шт. одиночний
22958 СНГ
15 грн.
50+13,50 грн.
200+12 грн.
500+10,50 грн.
• Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1 А; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 1 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 45 пФ при Uoбp 100 В 1.5 КД-16 200V 1A Випрямний 200шт. одиночний
160 грн.
10+144 грн.
50+128 грн.
92 г.
6 грн.
10+5,40 грн.
50+4,80 грн.
100+4,50 грн.
Корпус: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP Uобр: 400 I пр: 1 Мост однофазный
20557 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
5 грн.
10+4,50 грн.
50+4 грн.
100+3,75 грн.
1 SMD 400V 1.5A 50A Випрямний 1000шт.
24947 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
1 SMD 100V 1.5A 1000шт.
6,40 грн.
10+5,76 грн.
50+5,12 грн.
100+4,80 грн.
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 800 I пр: 1,5 Мост однофазный
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
Корпус: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1,5 Мост однофазный
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 10 Мост однофазный
21628 SEP
14 грн.
10+12,60 грн.
50+11,20 грн.
100+10,50 грн.
3.7 DIP GBJ 1000V 15A Випрямний 250шт.
12 грн.
10+10,80 грн.
50+9,60 грн.
100+9 грн.
Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 20 Мост однофазный
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 6 Мост однофазный
10,40 грн.
10+9,36 грн.
50+8,32 грн.
100+7,80 грн.
Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 8 Мост однофазный
7,80 грн.
10+7,02 грн.
50+6,24 грн.
100+5,85 грн.
Корпус: GBL Uобр: 1000 I пр: 4 Мост однофазный
СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 10 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.007 Крутизна характеристики S, мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 Польовий DIP 125мВт 200шт.
23590 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450
22330 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзистори ГТ905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. 5 Біполярний DIP PNP 6Вт 50шт. 65В 30МГц 100
23553 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. 0.25 КТ-13 Біполярний DIP NPN 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350
23029 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор П416Б германієвий сплавний pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах в діапазоні від довгих до коротких та ультракоротких хвиль, а також імпульсних каскадах радіоелектронних пристроїв. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200
25861 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 45…100 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
77,79 г.
23011 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП15А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
24617 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП41 сплавний германієвий pnp підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60
26623 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Транзистори КТ808АМ кремнієві мезапланарні структури npn високовольтні, перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, генераторах малої розгортки, електронних регуляторах напруги. 13 TO3 Біполярний DIP NPN 70Вт 20шт. 130В 10А 8МГц 125
23004 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор КП327Б кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу 0.3 КТ-29 Польовий SMD МОП n-канальний 14В 30мА 200мВт 100шт.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,90 г.