Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
|
Тиристор Д235Б
#3404
|
28436 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | 12 | — | — | DIP | — | 100V | — | 10A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон КС680А
#3405
|
23307 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Стабілітрон кремнієвий середньої потужності, 180В Основні технічні параметри стабілітрона КС680А: • Номінальна напруга стабілізації: 180 В при Іст 25 мА; • Розкид напруги стабілізації: 162... 198 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,2 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 330 Ом при Іст 30 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 2,5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 28 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 1.5 | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 180V | ks620 | — | |||||||
|
Діод КД106А
#3410
|
28429 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Макс. допустима зворотна напруга, В: 100 Максимальний постійний прямий струм, ма: 300 Максимальна робоча частота, кГц: 1 Час відновлення, мкс: 0,385 | 0.4 | — | — | DIP | — | 100V | 300mA | — | Випрямний | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Діод 2Д212А (=КД212А)
#3411
|
22958 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1 А; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 1 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 45 пФ при Uoбp 100 В | 1.5 | — | — | — | КД-16 | 200V | 1A | — | Випрямний | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
ТС122-25-4
#3412
|
— | — | — |
160 грн.
|
|
— | 92 г. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
DF04M (TSC)
#3418
|
— | — | — |
6 грн.
|
|
— | Корпус: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP Uобр: 400 I пр: 1 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Діодний міст DF04S
#3419
|
20557 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
5 грн.
|
|
— | 1 | — | — | SMD | — | 400V | 1.5A | 50A | Випрямний | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Діодний міст DF01S
#3420
|
24947 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
3 грн.
|
|
— | 1 | — | — | SMD | — | 100V | 1.5A | — | — | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
DF08S
#3421
|
— | — | — |
6,40 грн.
|
|
— | Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 800 I пр: 1,5 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
DF10M
#3422
|
— | — | — |
3 грн.
|
|
— | Корпус: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
DF10S
#3423
|
— | — | — |
3 грн.
|
|
— | Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
DF1510S
#3424
|
— | — | — |
3 грн.
|
|
— | Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1,5 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
GBJ1010
#3425
|
— | — | — |
10 грн.
|
|
— | Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 10 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Діодний міст GBJ1510
#3426
|
21628 | SEP | — |
14 грн.
|
|
— | 3.7 | — | — | DIP | GBJ | 1000V | 15A | — | Випрямний | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
GBJ2010
#3427
|
— | — | — |
12 грн.
|
|
— | Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 20 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
GBJ610
#3428
|
— | — | — |
10 грн.
|
|
— | Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 6 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
GBJ810
#3429
|
— | — | — |
10,40 грн.
|
|
— | Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 8 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
GBL10
#3430
|
— | — | — |
7,80 грн.
|
|
— | Корпус: GBL Uобр: 1000 I пр: 4 Мост однофазный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КП103Е
#3433
|
— | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Структура P-FET Максимальна напруга сток-витік Uсі, 10 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., 10 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс., Вт 0.007 Крутизна характеристики S, мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 | 0.7 | — | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 125мВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ3107І
#3434
|
23590 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | 0.3 | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 1000шт. | 50В | 200мА | 200МГц | 450 | — | — | — | ||||||||
|
Транзистор ГТ905А
#3435
|
22330 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ905А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування у перемикаючих та імпульсних підсилювальних пристроях, у вихідних каскадах підсилювачів потужності низької частоти. | 5 | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 6Вт | 50шт. | 65В | 7А | 30МГц | 100 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ315Б
#3437
|
23553 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Транзистори кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у підсилювачах високої, проміжної та низької частоти. | 0.25 | КТ-13 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 150мВт | 800 шт. | 20В | 100мА | 250МГц | 350 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор П416Б
#3438
|
23029 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Транзистор П416Б германієвий сплавний pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах в діапазоні від довгих до коротких та ультракоротких хвиль, а також імпульсних каскадах радіоелектронних пристроїв. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 100мВт | 100шт. | 12В | 25мА | 80МГц | 200 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор МП42Б
#3439
|
25861 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 45…100 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 | 1.6 | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 100 | — | — | — | |||||||
|
2Т603Б нікель
#3442
|
— | — | — |
4 грн.
|
|
— | 77,79 г. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор МП15А
#3443
|
23011 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор МП15А германієвий сплавний pnp універсальний низькочастотний малопотужний. Призначений для посилення малих сигналів низької частоти, посилення, перемикання, формування імпульсів | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 2МГц | 100 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор МП41
#3444
|
24617 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистор МП41 сплавний германієвий pnp підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. | 1.8 | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 30мА | 1МГц | 60 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ808АМ
#3445
|
26623 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Транзистори КТ808АМ кремнієві мезапланарні структури npn високовольтні, перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, генераторах малої розгортки, електронних регуляторах напруги. | 13 | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 70Вт | 20шт. | 130В | 10А | 8МГц | 125 | — | — | — | |||||||
| 23004 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистор КП327Б кремнієвий планарний з двома ізольованими затворами, захищеними діодами, та каналом n-типу | 0.3 | КТ-29 | Польовий | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 14В | 30мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
2П903А
#3464
|
— | — | — |
30 грн.
|
|
— | 89,90 г. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |