Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Транзистор КТ602А
#16535
|
28784 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,85 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 2,8 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 150 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 120 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 75 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 70 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 4 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 4 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. | 3 | — | КТЮ-3-9 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 2.8Вт | 100шт. | 100В | 500мА | 150МГц | 80 | — | — | |||||||
| 28850 | VISHAY | — |
4 грн.
|
|
— | 0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 250V | — | |||||||||
| 28883 | VISHAY | — |
9 грн.
|
|
— | 1.5KW series transient voltage supressors | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | — | Захисний | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | 440V | — | ||||||||
Діод Д220А
#16627
|
28865 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода Д220А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 70 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 0,5 А; • Сд - Загальна ємність: 15 пФ при Uoбp 5; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 1 мкА при Uoбp 70 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 70V | 50mA | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
Транзистор КТ816Г
#16628
|
28866 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзистор КТ816Г кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 25Вт | 200шт. | 100В | 3А | 3МГц | 25 | — | — | |||||||
Мікросхема ATECC608A-SSHDA-T
#16736
|
28983 | MICROCHIP TECHNOLOGY | — |
45 грн.
|
|
— | 0.25 | SOIC-8 | — | — | SMD | — | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 4000шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 29101 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
42 грн.
|
|
— | 0.11 | SOT23-5 | — | — | SMD | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Тиристор 2У101А (=КУ101А)
#16883
|
29129 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | Тиристори кремнієві 2У101А, дифузійно-сплавні, p-типу, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора 2У101А: • Максимальна постійна зворотна напруга: 10 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. | 1.8 | — | — | — | DIP | — | 50V | — | 1A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор 1Т311Д (=ГТ311Д)
#16887
|
29134 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Біполярний германієвий транзистор 1Т311Д, npn, малої потужності, надвисокої частоти. | 1.2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 12В | 50мА | 300МГц | 180 | — | — | |||||||
Транзистор 2Т608Б (=КТ608Б)
#16891
|
29138 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 160 | — | — | |||||||
Транзистор 2Т608А (=КТ608А)
#16892
|
29139 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора 2Т608А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 400 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 800 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (60В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 25...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2,5 Ом | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 100шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 80 | — | — | |||||||
Транзистор 1Т403Г (=ГТ403Г)
#16925
|
29172 | СНГ | — |
25 грн.
|
|
— | Транзистор 1Т403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. | 3 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 4Вт | 100шт. | 45В | 1,25А | — | 150 | — | — | |||||||
Транзистор П303А
#16927
|
29174 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори П303А кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. | 9.2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 50шт. | 65В | 500мА | 0,1МГц | — | — | — | |||||||
Транзистор П608А
#16948
|
29195 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 90 МГц. | 9.2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 1.5Вт | 50шт. | 30В | 600мА | 90МГц | 240 | — | — | |||||||
Діодний міст DB207
#17053
|
29303 | SEP | — |
4 грн.
|
|
— | Діодний міст 1000V, 2A. | 0.4 | — | — | — | SMD | — | 1000V | 2A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема STM32L431CCU6TR
#17115
|
29364 | ST MICROELECTRONICS | — |
140 грн.
|
|
— | 0.39 | UFQFN-48 | — | — | SMD | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — |
