Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

	MPN	Артикул	Бренд	На складі	Ціна	Знижки	Кількість	Опис	Вага г.	Тип корпусу	Тип корпусу транзистора	Тип транзистора	Тип монтажу	Тип корпусу	Uзв. max, В	Iпр. max.	Призначення	Тип діода	Структура	Напруга сток-витік	Струм стоку	Потужність	Заводська упаковка	Напруга колектор-емітер	Струм колектора	Частота	Коефіцієнт посилення струму	Напруга стабілізації	Тип корпусу стабілітрона	Конструкція діода

Діод Д9І

#16176

28420

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Основні технічні характеристики діода Д9І: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 30 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 30 мА; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 120 мкА при Uoбр 100 В.

0.3

—

DIP

—

100V

30mA

—

Детекторний

—

200шт.

—

одиночний

Діод Д9Ж

#16177

28451

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Основні технічні характеристики діода Д9Ж: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 15 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 мА; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбр 50 В.

0.3

—

DIP

—

50V

15mA

—

Детекторний

—

200шт.

—

одиночний

Діод BY550-400

#16180

28454

DIOTEC SEMICONDUCTOR

—

5 грн.

100+	4,50 грн.
200+	4 грн.
500+	3,50 грн.

—

0.6

—

DIP

DO-201AD

400V

—

Швидкий

—

1000шт.

—

одиночний

Діод BY550-600

#16181

28455

DIOTEC SEMICONDUCTOR

—

6 грн.

100+	5,40 грн.
200+	4,80 грн.
500+	4,20 грн.

—

0.6

—

DIP

DO-201AD

600V

—

Швидкий

—

1000шт.

—

одиночний

Транзистор П203Е

#16184

28428

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Характеристики транзистора П203Е: Структура PNP Uк-е.макс. 55В Uк-б.макс. 70В Iк.макс. (постійний) 2А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 200КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C.

—

Біполярний

DIP

—

PNP

—

10Вт

50шт.

55В

2А

0,2МГц

100

—

Діод КД202Р

#16185

28430

СНГ

—

9 грн.

50+	8,10 грн.
200+	7,20 грн.
500+	6,30 грн.

—

Діоди КД202Р кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. Тип діода та схема з`єднання електродів з виводами наводяться на корпусі. Маса діода трохи більше 5,2 р, з комплектуючими деталями трохи більше 7 р. Тип корпусу: КДЮ-11-2. Технічні умови: УЖ3.362.035 ТУ. Основні технічні характеристики діода КД202Р: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,2 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 800 мкА при Uoбp 600 В

5.2

—

Гвинт

КД-11

600V

—

Випрямний

—

100шт.

—

одиночний

Діод Д243

#16187

28432

СНГ

—

35 грн.

50+	31,50 грн.
200+	28 грн.
500+	24,50 грн.

—

Основні технічні характеристики діода Д243: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбр 200 В.

—

Гвинт

—

200V

10A

—

Випрямний

—

50шт.

—

одиночний

Діод 2Д206А

#16194

28440

СНГ

—

25 грн.

50+	22,50 грн.
200+	20 грн.
500+	17,50 грн.

—

Основні технічні характеристики діода 2Д206А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,2 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 700 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр - Час зворотного відновлення: 10 мкс.

5.7

—

Гвинт

КД-11

400V

—

Випрямний

—

100шт.

—

одиночний

Діод лавинний ДЛ112-25-12

#16202

28448

СНГ

—

90 грн.

50+	81 грн.
200+	72 грн.
500+	63 грн.

—

Охолоджувач

—

1200V

25A

—

Лавинний

—

Стабілітрон КС191С

#16204

28450

СНГ

—

14 грн.

50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.
250+	10,50 грн.

—

Стабілітрони КС191С кремнієві, епітаксійні, малої потужності, прецизійні, класу 0,02. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9,1 В діапазоні струмів стабілізації 3...20 мА з високими вимогами до стабільності напруги. Основні технічні параметри стабілітрону КС191С: • Номінальна напруга стабілізації: 9,1 при Iст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 8,65...9,55 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,005%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±0,02 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 20 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,2 Вт.

0.8

—

DIP

—

200мВт

100шт.

—

9V1

kd-8

—

Діод Д226В

#16206

28422

СНГ

—

4 грн.

50+	3,60 грн.
200+	3,20 грн.
500+	2,80 грн.

—

Основні технічні характеристики діода Д226В: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 300 В.

—

DIP

КД-8

300V

300mA

—

Випрямний

—

200шт.

—

одиночний

Діод 1602А (=Д7Г)

#16208

28424

СНГ

—

7 грн.

50+	6,30 грн.
200+	5,60 грн.
500+	4,90 грн.

—

Основні технічні характеристики діода 1602А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 2,4 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,5 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбp 200 В.

—

DIP

КД-8

200V

300mA

—

Випрямний

—

200шт.

—

одиночний

Мікросхема К531ИР20П (=Am25S09)

#16240

28485

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

4-розрядний двовходовий регістр.

1.2

DIP16

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Транзистор КП934Б

#16244

28490

СНГ

—

36 грн.

10+	34,20 грн.
50+	32,40 грн.
100+	28,80 грн.

—

Транзистор КП934Б кремниевый планарный полевой со статической индукцией и каналом n-типа.

—

TO3

Польовий

DIP

—

МОП n-канальний

300В

10А

40Вт

10 шт.

—

Транзистор ГТ906А

#16252

28499

СНГ

—

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

—

Транзистори ГТ906А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в перетворювачах напруги, що перемикають та імпульсних підсилювальних каскадах радіоелектронних пристроїв. Основні технічні характеристики транзистора ГТ906А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 1,4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...150; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв’язку на високій частоті: не більше 5000 пс.

3.5

—

Біполярний

DIP

—

PNP

—

15Вт

100шт.

75В

10А

30МГц

150

—

Транзистор КТ827Б

#16253

28500

СНГ

—

100 грн.

10+	95 грн.
50+	90 грн.
100+	80 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора КТ827Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 125 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 4 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 80 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 40 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (100В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 750...18000; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 400 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом.

—

TO3

Біполярний

DIP

—

NPN

—

40шт.

80В

20А

4МГц

750

—

Тиристор КУ202Н

#16257

28504

СНГ

—

30 грн.

—

Тиристори кремнієві КУ202Н планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками.

—

Гвинт

—

400V

10A

—

25шт.

—

Мікросхема К547КП1Б

#16288

28535

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Чотириканальний перемикач.

DIP14

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Мікросхема К547КП1Г

#16289

28536

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Чотириканальний перемикач.

DIP14

—

DIP

—

Логіка

—

100шт.

—

Мікросхема К157ХА1Б

#16290

28537

СНГ

—

8 грн.

10+	7,60 грн.
50+	7,20 грн.
100+	6,40 грн.

—

Підсилювач високої частоти із перетворювачем.

DIP14

—

DIP

—

Радіоприйом

—

100шт.

—

Мікросхема КМ573РФ2

#16291

28538

СНГ

—

50 грн.

10+	47,50 грн.
50+	45 грн.
100+	40 грн.

—

Запам`ятовуючий пристрій ємністю 16 кбіт (2к х 8) з ультрафіолетовим стиранням та електричним записом інформації.

6.5

DIP24

—

DIP

—

Пам'ять

—

36шт.

—

Транзистор КТ817Г

#16465

28712

СНГ

—

14 грн.

10+	13,30 грн.
50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.

—

Транзистор КТ817Г кремнієвий меза-епітаксіально-планарний структури npn підсилювальний.

0.7

—

TO126

Біполярний

DIP

—

NPN

—

25Вт

200шт.

100В

3А

3МГц

—

Транзистор ГТ321Д

#16470

28720

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзистори ГТ321Д германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

—

150мВт

100шт.

45В

200мА

60МГц

120

—

Транзистор ГТ321Е

#16471

28721

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзистори ГТ321Е германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

—

150мВт

100шт.

45В

200мА

60МГц

200

—

Транзистор ГТ321Г

#16472

28722

СНГ

—

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

—

Транзистори ГТ321Г германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають.

1.8

—

КТЮ-3-3

Біполярний

DIP

—

PNP

—

150мВт

100шт.

45В

200мА

60МГц

—

Транзистор КТ321В

#16476

28725

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзистори КТ321В кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають.

1.5

—

КТЮ-3-6

Біполярний

DIP

—

PNP

—

210мВт

100шт.

50В

200мА

60МГц

200

—

Оптотиристор ТО125-12,5-10

#16481

28730

СНГ

—

170 грн.

—

Тиристор ТО125-12.5-10 оптронний, низькочастотний, кремнієвий, дифузійний, структури pnpn, фланцевого виконання. Призначений для роботи в ланцюгах постійного та змінного струму частотою до 500 Гц та силою струму не більше 12,5 А. Складається з кремнієвого фототиристора і арсенід-галієвого випромінюючого діода і зв`язок ланцюга управління з силовим ланцюгом тільки за допомогою світлового променя за відсутності гальванічного з`язку.

—

DIP

—

1000V

12.5А

—

20шт.

—

Транзистор КТ834Б

#16517

28765

СНГ

—

200 грн.

10+	190 грн.
50+	180 грн.
100+	160 грн.

—

Транзистори КТ834А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в регуляторах струму і напруги, у пристроях, що перемикають.

—

TO3

Біполярний

DIP

—

NPN

—

100Вт

20шт.

450В

20А

4МГц

3000

—

Транзистор 2Т812Б (=КТ812Б)

#16518

28766

СНГ

—

70 грн.

10+	66,50 грн.
50+	63 грн.
100+	56 грн.

—

Основні технічні характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 300 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 4; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом.

—

TO3

Біполярний

DIP

—

NPN

—

50Вт

40шт.

300В

10А

3МГц

—

Діод Д226Е

#16519

28767

СНГ

—

4 грн.

50+	3,60 грн.
200+	3,20 грн.
500+	2,80 грн.

—

Основні технічні характеристики діода Д226Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 200 В.

—

DIP

КД-8

200V

300mA

—

Випрямний

—

200шт.

—

одиночний