Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
26833 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори ГТ115Д сплавні германієві pnp малопотужні. 0.4 Біполярний DIP PNP 50мВт 100шт. 20В 30мА 1МГц 250
26836 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ961А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 1 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 12,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 50 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1,5 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 2 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (60В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1 Ом. 1 TO126 Біполярний DIP NPN 12.5Вт 100шт. 100В 50МГц 100
26837 СНГ
16 грн.
Тиристор симетричний низькочастотний. Призначений для роботи в перетворювальних пристроях, а також у ланцюгах постійного та змінного струму різних силових установок. Максимально допустимий діючий струм - 10 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 500 В. 2.1 DIP TO-220 500V 10A 50шт.
26838 Inchange Semiconductor
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
500+17,50 грн.
10 TO3 Біполярний DIP NPN 115Вт 25шт. 60В 15А 140
26841 СНГ
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Основні технічні характеристики діода КД103Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • fд – робоча частота діода: 20 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,2 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 0,5 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 4 мкс; • Сд - Загальна ємність: 20 пФ при Uoбp 5 Ст. 0.1 DIP КД-30 50V 100mA Випрямний 500шт. одиночний
26844 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ501Г: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 350 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (10кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 50 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,3 Ом. 0.6 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP 350мВт 100шт. 30В 300мА 5МГц 60
26888 SEP
5 грн.
10+4,50 грн.
50+4 грн.
100+3,75 грн.
Діодний міст KBP310 3A 1000V. 2 DIP 1000V 3.0A 250шт.
27159 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
АЛУ з пам`яттю та пристроями управління. 4.2 SMD Мікроконтролери 70шт.
27276 СНГ
7 грн.
50+6,30 грн.
200+5,60 грн.
500+4,90 грн.
Діоди 2Д106А кремнієві, дифузійні, випрямляючі. Призначені для роботи у випрямлювальних та імпульсних пристроях апаратури спеціального призначення. Випускаються у металопластмасовому корпусі з гнучкими виводами. Металева основа з`єднана з позитивним електродом. Основні технічні характеристики діода 2Д106А: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 3 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 10 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,385 мкс; • Сд - Загальна ємність: 74...153 пФ при Uoбp 5 Ст. 0.4 DIP 100V 300mA 3A Випрямний 200шт. одиночний
27277 СНГ
50 грн.
10+45 грн.
20+42,50 грн.
50+40 грн.
Індикатори ИВЛМ1-1/7 графічні люмінесцентні вакуумні, зеленого світіння. Призначені для відображення інформації у вигляді букв, цифр, символів, спеціальних знаків у засобах відображення інформації. Корпус циліндричний скляний, гнучкі висновки. Основні технічні характеристики Індикатори ІВЛМ1-1/7: • Напруга напруження ...... 2,4 В • Струм розжарення ...... 35 ±5 мА • Напруга анода-сегменту ...... 20 В • Струм анодів-сегментів сумарний ...... не більше 10 мА • Мінімальне напрацювання ...... 20000 год. 5 DIP 20шт.
27278 СНГ
60 грн.
10+54 грн.
20+51 грн.
50+48 грн.
6Н16Б-І, тріод подвійний для посилення напруги низької частоти, генерування коливань високої частоти та для роботи в релаксаційних схемах. Оформлення – у скляній оболонці, надмініатюрне. 3.2 DIP 20шт.
27288 TOSHIBA
37 грн.
10+33,30 грн.
50+29,60 грн.
0.5 SO16 SMD 2000шт.
27712 СНГ
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор ГТ403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 45В 1,25А 150
27713 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистори П29 сплавні германієві транзистори малої потужності, середньочастотні, провідність pnp. Призначені для роботи в радіотехнічній апаратурі в перемикаючих та імпульсних режимах. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 30мВт 100шт. 12В 6mA 5МГц 50
27714 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Діоди Д101 кремнієві, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. 0.3 DIP D104 75V 30mA Випрямний 100шт. одиночний
27719 СНГ
25 грн.
Основні технічні параметри фоторезистора ФСД-Г1: • Робоча напруга - постійна напруга, за якої забезпечені номінальні значення його параметрів: 20 В; • Світловий струм - струм, що протікає через фоторезистор при робочій напрузі та вплив потоку випромінювання заданих інтенсивності та спектрального розподілу: не менше 1500 мкА; • Темновий струм - струм, що протікає через фоторезистор при робочій напрузі без потоку випромінювання в діапазоні спектральної чутливості: не більше 10 мкА; • Темновий опір - опір фоторезистора без падіння на нього випромінювання в діапазоні його спектральної чутливості: не менше 2 мОм; • Кратність зміни опору - відношення опору фоторезистора при впливі потоку випромінювання: не менше 150; • Постійна часу спаду струму - час, протягом якого світловий струм зменшується до значення 37% від максимуму при затемненні фоторезистора: не більше 50 мс; • Постійна часу наростання струму - час, протягом якого світловий струм збільшується до значення 63% від максимуму при прямокутній формі одиничного імпульсу світла: не більше 80 мс; • Максимум спектрального розподілу – довжина хвилі, що відповідає максимуму, спектральної чутливості фоторезистора: 0,77 мкм. 6 DIP 20шт.
27721 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Маломощний (4 мА) стабілізатор напруги живлення базових ланцюгів транзисторів. 2.5 SIP-9 DIP живлення 50шт.
27723 СНГ
10 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
250+7,50 грн.
Основні технічні параметри стабілітрона КС620А: • Номінальна напруга стабілізації: 120 В при Іст 50 мА; • Розкид напруги стабілізації: 103... 132 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,2 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 150 Ом при Іст 50 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 42 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт. 1.5 Гвинт 5Вт 100шт. 120V ks620
27768 СНГ
7 грн.
50+6,30 грн.
200+5,60 грн.
500+4,90 грн.
Основні технічні характеристики діода КД226Г: • Uoбp max – Максимальна постійна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1,7 А; • fд – робоча частота діода: 50 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,4 В при Inp 1,7 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 600 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,25 мкс. 1 DIP 600V 1.7A Випрямний 1000шт. одиночний
28023 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Контролер шин на 16 входів (арбітр загальної шини). 4 DIP28 DIP Логіка 36шт.
28080 СНГ
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Діодне складання, що складається з двох кремнієвих, планарно-епітаксіальних імпульсних діодів, з окремими висновками. 1 DIP 50V 20mA Імпульсний 50шт. складання
28131 СНГ
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Динамічне оперативне запам`ятовуючий пристрій ємністю 64 кбіт (64к х 1) зі схемами керування. 1.1 DIP16 DIP Пам'ять 90шт.
28135 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Асинхронний двійково-десятковий лічильник із попередньою установкою. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
28210 СНГ
7 грн.
50+6,30 грн.
200+5,60 грн.
500+4,90 грн.
Діоди Д229Е кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1 кГц. 3.5 Гвинт 400V 400mA Випрямний 100шт. одиночний
28237 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Основні технічні характеристики транзистора МП11А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 45...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 150мВт 50шт. 15В 150мА 2МГц 100
28328 MIC
3 грн.
100+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
1 DIP DO-201AD 800V 3.0A Випрямний 500шт.
28342 MIC
3 грн.
100+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
1 DIP DO-201AD 200V 3.0A Випрямний 500шт.
28343 MIC
3 грн.
100+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
1 DIP DO-201AD 50V 3.0A Випрямний 500шт.
28383 СНГ
40 грн.
50+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
Основні технічні характеристики діода Д233: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 500 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 500 В. 11 Гвинт КДЮ-11 500V 10A Випрямний 40шт. одиночний
28398 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Призначені для застосування у імпульсних пристроях. 0.3 DIP D104 75V 50mA Імпульсний 100шт. одиночний