Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
|
Транзистор ГТ115Д
#14617
|
26833 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистори ГТ115Д сплавні германієві pnp малопотужні. | 0.4 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 50мВт | 100шт. | 20В | 30мА | 1МГц | 250 | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор КТ961А
#14620
|
26836 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ961А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 1 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 12,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 50 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1,5 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 2 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (60В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1 Ом. | 1 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 12.5Вт | 100шт. | 100В | 2А | 50МГц | 100 | — | — | — | |||||||||
| 26837 | СНГ | — |
16 грн.
|
— | Тиристор симетричний низькочастотний. Призначений для роботи в перетворювальних пристроях, а також у ланцюгах постійного та змінного струму різних силових установок. Максимально допустимий діючий струм - 10 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 500 В. | 2.1 | — | — | — | DIP | TO-220 | 500V | 10A | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
|
Транзистор 2N3055B
#14622
|
26838 | Inchange Semiconductor | — |
25 грн.
|
|
— | 10 | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 115Вт | 25шт. | 60В | 15А | — | 140 | — | — | — | ||||||||||
|
Діод КД103Б
#14625
|
26841 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода КД103Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • fд – робоча частота діода: 20 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,2 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 0,5 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 4 мкс; • Сд - Загальна ємність: 20 пФ при Uoбp 5 Ст. | 0.1 | — | — | — | DIP | КД-30 | 50V | 100mA | — | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Транзистор КТ501Г Au
#14627
|
26844 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ501Г: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 350 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 5 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 30 В (10кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 50 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1,3 Ом. | 0.6 | — | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 350мВт | 100шт. | 30В | 300мА | 5МГц | 60 | — | — | — | |||||||||
|
Діодний міст KBP310 (=RS307)
#14670
|
26888 | SEP | — |
5 грн.
|
|
— | Діодний міст KBP310 3A 1000V. | 2 | — | — | — | DIP | — | 1000V | 3.0A | — | — | — | — | — | 250шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Мікросхема КР145ІП7
#14943
|
27159 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | АЛУ з пам`яттю та пристроями управління. | 4.2 | — | — | — | SMD | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Діод 2Д106А
#15061
|
27276 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Діоди 2Д106А кремнієві, дифузійні, випрямляючі. Призначені для роботи у випрямлювальних та імпульсних пристроях апаратури спеціального призначення. Випускаються у металопластмасовому корпусі з гнучкими виводами. Металева основа з`єднана з позитивним електродом. Основні технічні характеристики діода 2Д106А: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 3 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 300 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 10 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,385 мкс; • Сд - Загальна ємність: 74...153 пФ при Uoбp 5 Ст. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | 100V | 300mA | 3A | — | Випрямний | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Індикатор ІВЛМ1-1/7
#15062
|
27277 | СНГ | — |
50 грн.
|
|
— | Індикатори ИВЛМ1-1/7 графічні люмінесцентні вакуумні, зеленого світіння. Призначені для відображення інформації у вигляді букв, цифр, символів, спеціальних знаків у засобах відображення інформації. Корпус циліндричний скляний, гнучкі висновки. Основні технічні характеристики Індикатори ІВЛМ1-1/7: • Напруга напруження ...... 2,4 В • Струм розжарення ...... 35 ±5 мА • Напруга анода-сегменту ...... 20 В • Струм анодів-сегментів сумарний ...... не більше 10 мА • Мінімальне напрацювання ...... 20000 год. | 5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Радіолампа 6Н16Б-І
#15063
|
27278 | СНГ | — |
60 грн.
|
|
— | 6Н16Б-І, тріод подвійний для посилення напруги низької частоти, генерування коливань високої частоти та для роботи в релаксаційних схемах. Оформлення – у скляній оболонці, надмініатюрне. | 3.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Оптопара TLP291-4GB
#15073
|
27288 | TOSHIBA | — |
37 грн.
|
|
— | 0.5 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Транзистор ГТ403Г
#15473
|
27712 | СНГ | — |
17 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. | 3 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 4Вт | 100шт. | 45В | 1,25А | — | 150 | — | — | — | |||||||||
|
Транзистор П29
#15474
|
27713 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Транзистори П29 сплавні германієві транзистори малої потужності, середньочастотні, провідність pnp. Призначені для роботи в радіотехнічній апаратурі в перемикаючих та імпульсних режимах. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30мВт | 100шт. | 12В | 6mA | 5МГц | 50 | — | — | — | |||||||||
|
Діод Д101
#15475
|
27714 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д101 кремнієві, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 75V | 30mA | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Фоторезистор ФСД-Г1
#15479
|
27719 | СНГ | — |
25 грн.
|
— | Основні технічні параметри фоторезистора ФСД-Г1: • Робоча напруга - постійна напруга, за якої забезпечені номінальні значення його параметрів: 20 В; • Світловий струм - струм, що протікає через фоторезистор при робочій напрузі та вплив потоку випромінювання заданих інтенсивності та спектрального розподілу: не менше 1500 мкА; • Темновий струм - струм, що протікає через фоторезистор при робочій напрузі без потоку випромінювання в діапазоні спектральної чутливості: не більше 10 мкА; • Темновий опір - опір фоторезистора без падіння на нього випромінювання в діапазоні його спектральної чутливості: не менше 2 мОм; • Кратність зміни опору - відношення опору фоторезистора при впливі потоку випромінювання: не менше 150; • Постійна часу спаду струму - час, протягом якого світловий струм зменшується до значення 37% від максимуму при затемненні фоторезистора: не більше 50 мс; • Постійна часу наростання струму - час, протягом якого світловий струм збільшується до значення 63% від максимуму при прямокутній формі одиничного імпульсу світла: не більше 80 мс; • Максимум спектрального розподілу – довжина хвилі, що відповідає максимуму, спектральної чутливості фоторезистора: 0,77 мкм. | 6 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Мікросхема К2ПП241
#15481
|
27721 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Маломощний (4 мА) стабілізатор напруги живлення базових ланцюгів транзисторів. | 2.5 | SIP-9 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Стабілітрон КС620А
#15483
|
27723 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабілітрона КС620А: • Номінальна напруга стабілізації: 120 В при Іст 50 мА; • Розкид напруги стабілізації: 103... 132 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,2 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 150 Ом при Іст 50 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 5 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 42 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт. | 1.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 120V | ks620 | — | |||||||||
|
Діод КД226Г
#15529
|
27768 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода КД226Г: • Uoбp max – Максимальна постійна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1,7 А; • fд – робоча частота діода: 50 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,4 В при Inp 1,7 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 600 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,25 мкс. | 1 | — | — | — | DIP | — | 600V | 1.7A | — | — | Випрямний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Мікросхема КР580ВГ18
#15787
|
28023 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Контролер шин на 16 входів (арбітр загальної шини). | 4 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Діодне складання КДС523АР
#15847
|
28080 | СНГ | — |
2 грн.
|
|
— | Діодне складання, що складається з двох кремнієвих, планарно-епітаксіальних імпульсних діодів, з окремими висновками. | 1 | — | — | — | DIP | — | 50V | 20mA | — | — | Імпульсний | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | складання | |||||||||
|
Мікросхема КР565РУ5Б
#15899
|
28131 | СНГ | — |
18 грн.
|
|
— | Динамічне оперативне запам`ятовуючий пристрій ємністю 64 кбіт (64к х 1) зі схемами керування. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 28135 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Асинхронний двійково-десятковий лічильник із попередньою установкою. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Діод Д229Е
#15976
|
28210 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | Діоди Д229Е кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1 кГц. | 3.5 | — | — | — | Гвинт | — | 400V | 400mA | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Транзистор МП11А
#16002
|
28237 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора МП11А: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 45...100; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 50шт. | 15В | 150мА | 2МГц | 100 | — | — | — | |||||||||
|
Діод 1N5407
#16088
|
28328 | MIC | — |
3 грн.
|
|
— | 1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 800V | 3.0A | — | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Діод 1N5402
#16102
|
28342 | MIC | — |
3 грн.
|
|
— | 1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 200V | 3.0A | — | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Діод 1N5400
#16103
|
28343 | MIC | — |
3 грн.
|
|
— | 1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 50V | 3.0A | — | — | Випрямний | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
|
Діод Д233
#16143
|
28383 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики діода Д233: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 500 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 500 В. | 11 | — | — | — | Гвинт | КДЮ-11 | 500V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Діод Д312А
#16155
|
28398 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Призначені для застосування у імпульсних пристроях. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 75V | 50mA | — | — | Імпульсний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний |