Зверніть увагу: з технічних причин обробка, видача та відправка замовлень, оформлених у четвер (15.10), розпочнуться в п’ятницю (16.10). Дякуємо за терпіння та розуміння!

Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Конструкція діода
26635 СНГ —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
— Керуючий мікропроцесор. 3.2 — — — DIP — — — Мікроконтролери — — — 32шт. — — — — —
26636 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Контролер сполучення обчислювальних засобів із датчиками контрольно-вимірювального комплексу. 3.2 — — — DIP — — — Мікроконтролери — — — 32шт. — — — — —
26637 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Управління принтером. 3.2 — — — DIP — — — Мікроконтролери — — — 32шт. — — — — —
26639 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Арифметичний процесор. 3.7 — — — DIP — — — Мікроконтролери — — — 32шт. — — — — —
26641 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Влаштування введення 8-молодших розрядів. 4 — — — DIP — — — Інтерфейси — — — 32шт. — — — — —
26642 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Таймер-програматор. 4 — — — DIP — — — Таймери — — — 100шт. — — — — —
26649 СНГ —
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
— Мікроконтролер призначений для керування периферійними пристроями. 4 — — — DIP — — — Мікроконтролери — — — 40шт. — — — — —
26656 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Два логічні елементи 4І-НЕ, один, що розширюється по АБО. 0.5 SO14 — — SMD — — — Логіка — — — 40шт. — — — — —
26657 PHILIPS —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
— Коректор колірної чіткості. 1.5 DIP18 — — DIP — — — TV — — — 70шт. — — — — —
26658 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Подвійний JK-тригер. 1.1 DIP16 — — DIP — — — Логіка — — — 100шт. — — — — —
26659 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Підсилювач низької частоти для застосування в апаратурі низового радіозв`язку як УНЧ з автоматичним регулюванням посилення, а також як генератор синусоїдальних коливань зі стабільною амплітудою. 1 ZIP-9 — — DIP — — — Підсилювачі — — — 20шт. — — — — —
26674 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
— Виготовлена на основі польових транзисторів з pn переходом та р-каналом. Є слаботочною узгодженою парою польових транзисторів, призначених для застосування у вхідних каскадах підсилювачів постійного струму, в диференційних та операційних підсилювачах і комутаторах. 0.5 DIP8 — — DIP — — — Транзисторне складання — — — 200шт. — — — — —
26685 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистори ГТ320Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 1.8 — КТЮ-3-6 Біполярний DIP — — — — — PNP 200мВт 100шт. 11В 150мА 80МГц 120 —
26686 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
— Транзистори ГТ308А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — PNP 150мВт 100шт. 15В 50мА 100МГц 75 —
26687 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Транзистори П401 – германієві, підсилювальні малопотужні, високочастотні, структури – pnp. Призначені для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах короткохвильових та ультракороткохвильових радіопередаючих пристроїв. 1.8 — КТЮ-3-6 Біполярний DIP — — — — — PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 30МГц 300 —
26688 СНГ —
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
— Транзистор П403ВП – германієвий, підсилювальний малопотужний, високочастотний, структури – pnp. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100 —
26689 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— Транзистор П403А – германієвий, підсилювальний малопотужний, високочастотний, структури – pnp. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 200 —
26690 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
— Германієві транзистори, дифузійно-сплавні, pnp, підсилювальні, малопотужні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1,6 МГц. Призначені для роботи в підсилювальних та генераторних каскадах каскадах ВЧ. 1.5 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100 —
26695 ST MICROELECTRONICS —
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
500+44,80 грн.
— 5.3 — TO247 Біполярний DIP — — — — — NPN 125Вт 25шт. 700В 8А — — —
26696 СНГ —
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
— Транзистори КТ3120АМ кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів надвисоких частот. Основні технічні характеристики транзистора КТ3120АМ: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 1800 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 40; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 2 пФ; • tк - Постійна часу ланцюга зворотний зв`язок на високій частоті: трохи більше 8 пс. 0.2 — КТ-14 Біполярний SMD — — — — — NPN 100мВт 20шт. 15В 20мА — 40 —
26702 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
— Два D-тригера синхронних з додатковими входами та незалежною установкою в стан лог.0 (R1, R2) та лог.1 (S1, S2). 1 DIP14 — — DIP — — — Логіка — — — 100шт. — — — — —
26705 СНГ —
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
— Діоди КД243Б кремнієві, дифузійні, випрямляючі. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 70 кГц. Основні технічні характеристики діода КД243Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1 А; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 6 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,1 В при Inp 1 А; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 10 мкА при Uoбр 100 В. 0.4 — — — DIP КД-4 100V 1A — Випрямний — — 1000шт. — — — — одиночний
26714 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Діоди Д2Д германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. 0.3 — — — DIP КД-4 50V 16mA — Детекторний — — 200шт. — — — — одиночний
26742 СНГ —
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
— Діод кремнієвий, сплавний, імпульсний. Основні технічні характеристики діода Д220Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 0,5 А; • Сд - Загальна ємність: 15 пФ при Uoбp 5; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 при Inp 50 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 1 мкА при Uoбр 100 В. 0.3 — — — DIP D104 100V 50mA — Випрямний — — 100шт. — — — — одиночний
26831 СНГ —
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
— Транзистори 1Т906А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в перетворювачах напруги, що перемикають та імпульсних підсилювальних каскадах радіоелектронних пристроїв. Основні технічні характеристики транзистора 1Т906А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 1,4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...150; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс. 3.5 — — Біполярний DIP — — — — — PNP 15Вт 100шт. 75В 10А 30МГц 150 —
26833 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Транзистори ГТ115Д сплавні германієві pnp малопотужні. 0.4 — — Біполярний DIP — — — — — PNP 50мВт 100шт. 20В 30мА 1МГц 250 —
26836 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Основні технічні характеристики транзистора КТ961А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 1 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 12,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 50 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 100 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1,5 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 2 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (60В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 40...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 1 Ом. 1 — TO126 Біполярний DIP — — — — — NPN 12.5Вт 100шт. 100В 2А 50МГц 100 —
26837 СНГ —
16 грн.
— Тиристор симетричний низькочастотний. Призначений для роботи в перетворювальних пристроях, а також у ланцюгах постійного та змінного струму різних силових установок. Максимально допустимий діючий струм - 10 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 500 В. 2.1 — — — DIP TO-220 500V 10A — — — — 50шт. — — — — —
26838 Inchange Semiconductor —
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
500+17,50 грн.
— 10 — TO3 Біполярний DIP — — — — — NPN 115Вт 25шт. 60В 15А — 140 —
26841 СНГ —
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
— Основні технічні характеристики діода КД103Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • fд – робоча частота діода: 20 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,2 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 0,5 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 4 мкс; • Сд - Загальна ємність: 20 пФ при Uoбp 5 Ст. 0.1 — — — DIP КД-30 50V 100mA — Випрямний — — 500шт. — — — — одиночний