Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Конструкція діода
26626 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори КТ854А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 60Вт 100шт. 500В 10А 20
26627 СНГ
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Транзистори КТ850А мезапланарні кремнієві структури npn підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах потужності, що перемикають пристрої. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 25Вт 100шт. 200В 20МГц 200
26628 СНГ
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
Транзистори германієві дифузійно-сплавні pnp перемикальні високочастотні потужні. 25 Біполярний DIP PNP 15Вт 20шт. 50В 10А 30МГц 60
26629 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистор КТ859А кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 40Вт 100шт. 800В 10МГц 10
26630 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
Транзистори КТ326БМ кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні, високочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. 0.3 TO92 Біполярний DIP PNP 200мВт 1000шт. 15В 50мА 250МГц 160
26635 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Керуючий мікропроцесор. 3.2 DIP Мікроконтролери 32шт.
26636 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Контролер сполучення обчислювальних засобів із датчиками контрольно-вимірювального комплексу. 3.2 DIP Мікроконтролери 32шт.
26637 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Управління принтером. 3.2 DIP Мікроконтролери 32шт.
26639 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Арифметичний процесор. 3.7 DIP Мікроконтролери 32шт.
26641 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Влаштування введення 8-молодших розрядів. 4 DIP Інтерфейси 32шт.
26642 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Таймер-програматор. 4 DIP Таймери 100шт.
26649 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Мікроконтролер призначений для керування периферійними пристроями. 4 DIP Мікроконтролери 40шт.
26656 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Два логічні елементи 4І-НЕ, один, що розширюється по АБО. 0.5 SO14 SMD Логіка 40шт.
26657 PHILIPS
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Коректор колірної чіткості. 1.5 DIP18 DIP TV 70шт.
26658 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Подвійний JK-тригер. 1.1 DIP16 DIP Логіка 100шт.
26659 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Підсилювач низької частоти для застосування в апаратурі низового радіозв`язку як УНЧ з автоматичним регулюванням посилення, а також як генератор синусоїдальних коливань зі стабільною амплітудою. 1 ZIP-9 DIP Підсилювачі 20шт.
26674 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Виготовлена на основі польових транзисторів з pn переходом та р-каналом. Є слаботочною узгодженою парою польових транзисторів, призначених для застосування у вхідних каскадах підсилювачів постійного струму, в диференційних та операційних підсилювачах і комутаторах. 0.5 DIP8 DIP Транзисторне складання 200шт.
26685 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори ГТ320Б германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 11В 150мА 80МГц 120
26686 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Транзистори ГТ308А германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 50мА 100МГц 75
26687 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистори П401 – германієві, підсилювальні малопотужні, високочастотні, структури – pnp. Призначені для застосування в підсилювальних та генераторних каскадах короткохвильових та ультракороткохвильових радіопередаючих пристроїв. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 30МГц 300
26688 СНГ
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
Транзистор П403ВП – германієвий, підсилювальний малопотужний, високочастотний, структури – pnp. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100
26689 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор П403А – германієвий, підсилювальний малопотужний, високочастотний, структури – pnp. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 200
26690 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Германієві транзистори, дифузійно-сплавні, pnp, підсилювальні, малопотужні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1,6 МГц. Призначені для роботи в підсилювальних та генераторних каскадах каскадах ВЧ. 1.5 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 100мВт 100шт. 10В 20мА 120МГц 100
26695 ST MICROELECTRONICS
64 грн.
10+60,80 грн.
50+57,60 грн.
100+51,20 грн.
500+44,80 грн.
5.3 TO247 Біполярний DIP NPN 125Вт 25шт. 700В
26696 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори КТ3120АМ кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 400 МГц. Призначені для застосування у вхідних та наступних каскадах підсилювачів надвисоких частот. Основні технічні характеристики транзистора КТ3120АМ: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 100 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 1800 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,5 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером: більше 40; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 2 пФ; • tк - Постійна часу ланцюга зворотний зв`язок на високій частоті: трохи більше 8 пс. 0.2 КТ-14 Біполярний SMD NPN 100мВт 20шт. 15В 20мА 40
26702 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Два D-тригера синхронних з додатковими входами та незалежною установкою в стан лог.0 (R1, R2) та лог.1 (S1, S2). 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
26705 СНГ
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Діоди КД243Б кремнієві, дифузійні, випрямляючі. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 70 кГц. Основні технічні характеристики діода КД243Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1 А; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 6 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,1 В при Inp 1 А; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 10 мкА при Uoбр 100 В. 0.4 DIP КД-4 100V 1A Випрямний 1000шт. одиночний
26714 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Діоди Д2Д германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. 0.3 DIP КД-4 50V 16mA Детекторний 200шт. одиночний
26742 СНГ
2 грн.
50+1,80 грн.
200+1,60 грн.
500+1,40 грн.
Діод кремнієвий, сплавний, імпульсний. Основні технічні характеристики діода Д220Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 0,5 А; • Сд - Загальна ємність: 15 пФ при Uoбp 5; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 при Inp 50 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 1 мкА при Uoбр 100 В. 0.3 DIP D104 100V 50mA Випрямний 100шт. одиночний
26831 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Транзистори 1Т906А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в перетворювачах напруги, що перемикають та імпульсних підсилювальних каскадах радіоелектронних пристроїв. Основні технічні характеристики транзистора 1Т906А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 75 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 1,4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 8 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 30...150; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 5000 пс. 3.5 Біполярний DIP PNP 15Вт 100шт. 75В 10А 30МГц 150