Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму |
|---|
Мікросхема К561ПУ4А
#14319
|
26522 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Шість перетворювачів рівня. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | |||||||
| 26525 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Чотирьох операційний підсилювач з керованим струмом споживання. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР156ИЕ20
#14324
|
26528 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Дванадцятирозрядний двійковий лічильник. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР504НТ2А
#14326
|
26530 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | КР504НТ2А Виготовлена на основі польових транзисторів з pn переходом та р-каналом. Мікросхеми КР504НТ2А є слаботочною узгодженою парою польових транзисторів, призначених для застосування у вхідних каскадах підсилювачів постійного струму, в диференціальних і операційних підсилювачах і комутаторах. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | Транзисторне складання | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР504НТ3Б
#14327
|
26531 | СНГ | — |
7 грн.
|
|
— | КР504НТ3Б Виготовлена на основі польових транзисторів з pn переходом та р-каналом. Мікросхеми КР504НТ3Б є сильноточною узгодженою парою польових транзисторів з pn переходом і р-каналом, призначених для застосування у вхідних каскадах підсилювачів постійного струму, в диференціальних і операційних підсилювачах і комутаторах. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | Транзисторне складання | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР1561АГ1
#14328
|
26532 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Два моностабільні мультивібратори. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР198НТ3Б
#14329
|
26533 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Мікросхема КР198НТ3Б є матрицею npn транзисторів. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | Транзисторне складання | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР544УД1Б
#14330
|
26538 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР544УД2Б є широкосмуговими операційними диференціальними підсилювачами з високим вхідним опором і підвищеною швидкодією. Застосовуються для створення підсилювачів, імпульсних підсилювачів, підсилювачів фотоприймачів, генераторів високочастотних коливань. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР1100СК2
#14331
|
26539 | СНГ | — |
26 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР1100СК2 являють собою пристрій вибірки та зберігання аналогового сигналу, яке, запам`ятовуючи по команді, що надходить на логічний вхід, миттєве значення вхідного аналогового сигналу протягом певного часу з високою точністю підтримує рівну йому постійну напругу на виході. До складу КР1100СК2 входять вхідний операційний підсилювач, вихідний операційний підсилювач та схема управління аналоговими ключами. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема К555ТМ2
#14333
|
26540 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Два D-тригери. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
| 26544 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Реверсивний регістр зсуву. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | ||||||||
| 26545 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | 3 логічні елементи 3АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема LM7812
#14339
|
26547 | HTC | — |
17 грн.
|
|
— | 2.5 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | ||||||||
| 26548 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Швидкий помножувач 2х4. | 7 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К174ПС4
#14352
|
26561 | СНГ | — |
68 грн.
|
|
— | Мікросхема К174ПС4 є подвійним балансним змішувачем. Призначена для використання як змішувач частоти в діапазоні частот до 1000 МГц, модулятора, підсилювача в блоках селекторів каналів телевізорів дециметрового діапазону. Відрізняється від змішувачів на дискретних приладах відсутністю або ослабленням спектру вихідного сигналу складових з частотами сигналу і гетеродина і гарною розв'язкою між ланцюгом гетеродина і входом. Просочування напруги гетеродина на вхід приймача становить 40-50 дБ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | TV | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР198НТ11
#14353
|
26563 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Мікросхема містить 4 кремнієві транзистори структури NPN. Мікросхема використовується у регуляторах частоти обертання малопотужних електродвигунів постійного струму. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | Транзисторне складання | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
| 26569 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Чотири логічні елементи 2І-НЕ з високою здатністю навантаження. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | Логіка | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К118УП1А
#14358
|
26570 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Відеопідсилювач із великим коефіцієнтом посилення. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | Відео | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | |||||||
Діодний міст КЦ405В
#14364
|
26576 | СНГ | — |
7 грн.
|
— | Основні технічні характеристики діода КЦ405В: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбр 400 В. | 5.2 | — | — | — | DIP | 400V | 1A | — | Діодний міст | — | — | 500шт. | — | — | — | — | ||||||||
Діодний міст КЦ402В
#14369
|
26579 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402В: • Uoбp і max – Максимальна імпульсна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбр 400 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | 400V | 1A | — | Діодний міст | — | — | 100шт. | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ819Б
#14409
|
26617 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Транзистор кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 100шт. | 50В | 10А | 3МГц | 20 | |||||||
Транзистор КТ605АМ
#14412
|
26620 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Транзистор кремнієві мезапланарні структури npn. Призначений для застосування в підсилювачах, імпульсних та перемикаючих високочастотних пристроях. | 0.7 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 400мВт | 200шт. | 250В | 100мА | 40МГц | 40 | |||||||
Транзистор КТ855А
#14413
|
26621 | СНГ | — |
16 грн.
|
|
— | Транзистори КТ855А кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах напруги. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 40Вт | 100шт. | 200В | 5А | 5МГц | 20 | |||||||
Транзистор КТ829А
#14414
|
26622 | СНГ | — |
18 грн.
|
|
— | Транзистори КТ829А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, що перемикають пристрої. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 200шт. | 100В | 8А | 4МГц | 750 | |||||||
Транзистор КТ865А
#14416
|
26625 | СНГ | — |
80 грн.
|
|
— | Транзистор КТ865А кремнієвий епітаксійно-планарний структури pnp імпульсний. Призначений для застосування в джерелах вторинного електроживлення, перетворювачах, каскадах кінцевих підсилювачів звукової частоти, стабілізаторах напруги. | 16 | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 100Вт | 20шт. | 200В | 10А | 15МГц | 200 | |||||||
Транзистор КТ854А
#14417
|
26626 | СНГ | — |
20 грн.
|
|
— | Транзистори КТ854А кремнієві епітаксійно-планарні структури npn підсилювальні. Призначені для застосування у перетворювачах, лінійних стабілізаторах. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 60Вт | 100шт. | 500В | 10А | — | 20 | |||||||
Транзистор КТ850А
#14418
|
26627 | СНГ | — |
22 грн.
|
|
— | Транзистори КТ850А мезапланарні кремнієві структури npn підсилювальні. Призначені для застосування в підсилювачах потужності, що перемикають пристрої. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 25Вт | 100шт. | 200В | 2А | 20МГц | 200 | |||||||
Транзистор 1Т901А
#14419
|
26628 | СНГ | — |
30 грн.
|
|
— | Транзистори германієві дифузійно-сплавні pnp перемикальні високочастотні потужні. | 25 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 15Вт | 20шт. | 50В | 10А | 30МГц | 60 | |||||||
Транзистор КТ859А
#14420
|
26629 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистор КТ859А кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | NPN | 40Вт | 100шт. | 800В | 3А | 10МГц | 10 | |||||||
Транзистор КТ326БМ
#14421
|
26630 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Транзистори КТ326БМ кремнієві епітаксійно-планарні структури pnp підсилювальні, високочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах високої та надвисокої частот та перемикаючих пристроїв. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 1000шт. | 15В | 50мА | 250МГц | 160 |
