Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
26142 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Діоди Д2І германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2І: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. 0.7 DIP КД-4 100V 16mA Детекторний 100шт. одиночний
26143 СНГ
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Основні технічні параметри стабілітрона КС133А: • Номінальна напруга стабілізації: 3,3 при Iст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,11%/°; • Постійна пряма напруга: 1 при Iпр 50 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 65 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 81 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С 0.8 DIP 300мВт 100шт. 3V3 kd-8
26146 СНГ
15 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
250+11,25 грн.
Основні технічні параметри стабілітрону КС515А: • Номінальна напруга стабілізації: 15 В при Іст 5 мА; • Розкид напруги стабілізації: 13,5...16,5 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,1%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 200 Ом при Іст 1 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 53 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С 0.8 DIP 1Вт 200шт. 15V kd-8
26186 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Шість D-тригерів. 1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
26221 ST MICROELECTRONICS
78 грн.
10+74,10 грн.
50+70,20 грн.
100+62,40 грн.
9.2 FLEXIWATT25 DIP Підсилювачі 17шт.
26291 СНГ
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
Стабілітрони КС213Б кремнієві, сплавні, двоанодні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 13 В діапазоні струмів стабілізації 3...10 мА і двостороннього обмеження напруги. Основні технічні параметри стабілітрона КС213Б: • Номінальна напруга стабілізації: 13 В при Іст 5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,08%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 25 Ом при Іст 5 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 10 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,15 Вт. 0.3 DIP 150мВт 200шт. 13V
26304 Silan Semiconductor
76 грн.
10+72,20 грн.
50+68,40 грн.
100+60,80 грн.
5.7 TO247 IGBT DIP 321Вт 30шт. 600В 60А
26310 СНГ
800 грн.
10+720 грн.
20+680 грн.
50+640 грн.
Генераторний зошит ГУ-70Б у металокерамічному оформленні з оксидним катодом непрямого розжарення та зовнішнім анодом з примусовим повітряним охолодженням призначений для посилення односмугового сигналу з вихідною потужністю до 250 Вт, а також для посилення потужності на частотах до 255 МГц стаціонарних та пересувних радіотехнічних пристроях виробничо-технічного призначення. 135 Панель 1 шт.
26316 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Два чотирирозрядні лічильники. 1.1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
26321 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Чотирьохканальний однополярний підсилювач відтворення. 1 DIP14 DIP Підсилювачі 100шт.
26326 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Двійково-десятковий лічильник. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
26331 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Логічний елемент (2-3-3-2) І-АБО-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
26342 SDK
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
0.5 DIP8 DIP живлення 50шт.
26453 СНГ
4 грн.
10+3,60 грн.
20+3,40 грн.
50+3,20 грн.
Лампа надмініатюрна СМН-6.3-20-2 використовується в радіо- та електронній техніці, авіації, ракетній техніці, медицині, в різних приладах та пристроях як індикаторні, канальні та освітлювальні елементи, до габаритів яких пред'являють вимогу бути пропорційними з малими габаритами. та пристроїв. Номінальна напруга - 6,3 В Номінальна сила електричного струму – 20 мА. Світловий потік: 0,26 лм Середня тривалість горіння: не менше 600 год. Діаметр: 3,2 мм Довжина: 9мм. 0.12 DIP 100шт.
26455 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 30мВт 100шт. 6mA 1МГц 60
26456 СНГ
4 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
250+3 грн.
Стабистори Д220С кремнієві, мікросплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації постійної та імпульсної напруги та обмеження імпульсів напруги. Основні технічні параметри стабістора Д220С: • Номінальна напруга стабілізації при Іст 1 мА: 0,59; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 50 мА; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С. 0.4 DIP 100шт. 0.59V
26459 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ349Б: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В (10кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 40...160; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 30 Ом. 0.5 КТ-1-7 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 40мА 300МГц 160
26460 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ603Г: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. 1.5 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 15В 300мА 200МГц 60
26463 СНГ
75 грн.
50+67,50 грн.
200+60 грн.
500+52,50 грн.
В25-9 Діод кремнієвий дифузійний. Призначений для роботи в ланцюгах статичних перетворювачів електроенергії постійного та змінного струмів на частотах до 2 кГц. Випускаються в металостеклянному корпусі з гнучким виводом. Середній прямий струм - 25А Повторювана імпульсна зворотна напруга - 900 В Охолодження повітря природне або примусове. 90 Гвинт 900V 25A Випрямний 1 шт. одиночний
26465 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистори П215 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Основні технічні характеристики транзистора П215: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 80 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 9.2 Біполярний DIP PNP 10Вт 40шт. 70В 0,15МГц 150
26502 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Шість неінвертуючих магістральних підсилювачів із трьома станами на вході та виході. 1.2 DIP16 DIP Інтерфейси 90шт.
26503 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Шість інвертуючих магістральних підсилювачів з трьома станами на вході та виході. 1.2 DIP16 DIP Інтерфейси 90шт.
26504 СНГ
6 грн.
Основні технічні параметри тиристора КУ103А1: • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 150 В; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 0,001 А; • Імпульсна напруга у відкритому стані: не більше 3 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: 0,001 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: 1 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: 40 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 0,4... 2 В. 0.5 DIP 150V 200шт.
26509 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Тригер Шмітта з максимальною частотою проходження імпульсів 1 МГц. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
26511 СНГ
19 грн.
10+17,10 грн.
50+15,20 грн.
Симистор кремнієвий, планарний, структури pnpn, тріодний, незапираний, симетричний. 11 Гвинт 100V 5A 40шт.
26513 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Мікросхеми К1401СА1 являють собою чотиривірковий (чотирьохканальний) компаратор напруги середньої точності. 1.8 DIP14 DIP Компаратори 100шт.
26515 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Диференціальний підсилювач постійного струму. 1 DIP14 DIP Підсилювачі 100шт.
26516 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
3 логічних елемента 3(І-АБО). 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
26519 СНГ
28 грн.
10+26,60 грн.
50+25,20 грн.
100+22,40 грн.
Пристрій вибірки та зберігання аналогового сигналу. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
26520 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Надоперативний пристрій ємністю 16 біт зі схемами управління. 1.5 DIP16 DIP Пам`ять 90шт.