Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
|
Діод Д7Ж
#13950
|
26130 | СНГ | — |
9 грн.
|
|
— | Діоди германієві Д7Ж, сплавні. Основні технічні характеристики діода Д7Ж: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 2,4 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,5 В при Inp 300 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбр 400 В. | 1.6 | — | — | — | DIP | КД-8 | 300V | 300mA | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Діодний міст КЦ407А
#13951
|
26131 | СНГ | — |
30 грн.
|
— | КЦ407А Блок із кремнієвих, мезадифузійних діодів, з'єднаних за бруківкою. Випускається у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Основні технічні характеристики діода КЦ407А: • Uoбp і max – Максимальна імпульсна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 3 А; • fд – робоча частота діода: 20 кГц; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 5 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 5 мкс. | 0.5 | — | — | — | DIP | — | 400V | 500mA | 3A | — | Діодний міст | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Варикап КВ105Б
#13953
|
26133 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | 1.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Діод Д2В
#13957
|
26137 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2В германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2В: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 30 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 25 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 9 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 30 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 30V | 25mA | — | — | Детекторний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Діод Д2Г
#13958
|
26138 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2Г германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 50V | 16mA | — | — | Детекторний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Діод Д2Д
#13959
|
26139 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2Д германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 50V | 16mA | — | — | Детекторний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Діод Д2Е
#13960
|
26140 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2Е германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Е: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 100V | 16mA | — | — | Детекторний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Діод Д2І
#13962
|
26142 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2І германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2І: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 100V | 16mA | — | — | Детекторний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Стабілітрон КС133А мет.
#13963
|
26143 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабілітрона КС133А: • Номінальна напруга стабілізації: 3,3 при Iст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,11%/°; • Постійна пряма напруга: 1 при Iпр 50 мА; • Диференціальний опір стабілітрону: 65 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 81 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 3V3 | kd-8 | — | |||||||
|
Стабілітрон КС515А
#13966
|
26146 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри стабілітрону КС515А: • Номінальна напруга стабілізації: 15 В при Іст 5 мА; • Розкид напруги стабілізації: 13,5...16,5 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,1%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 200 Ом при Іст 1 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 53 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 200шт. | — | — | — | — | 15V | kd-8 | — | |||||||
|
Мікросхема КМ555ТМ9
#14007
|
26186 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Шість D-тригерів. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема TDA7381
#14042
|
26221 | ST MICROELECTRONICS | — |
78 грн.
|
|
— | 9.2 | FLEXIWATT25 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 17шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Стабілітрон КС213Б
#14113
|
26291 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Стабілітрони КС213Б кремнієві, сплавні, двоанодні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 13 В діапазоні струмів стабілізації 3...10 мА і двостороннього обмеження напруги. Основні технічні параметри стабілітрона КС213Б: • Номінальна напруга стабілізації: 13 В при Іст 5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,08%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 25 Ом при Іст 5 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 10 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,15 Вт. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 150мВт | 200шт. | — | — | — | — | 13V | — | — | |||||||
| 26304 | Silan Semiconductor | — |
76 грн.
|
|
— | 5.7 | — | TO247 | IGBT | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 321Вт | 30шт. | 600В | 60А | — | — | — | — | — | |||||||||
|
Лампа генераторна ГУ-70Б
#14129
|
26310 | СНГ | — |
800 грн.
|
|
— | Генераторний зошит ГУ-70Б у металокерамічному оформленні з оксидним катодом непрямого розжарення та зовнішнім анодом з примусовим повітряним охолодженням призначений для посилення односмугового сигналу з вихідною потужністю до 250 Вт, а також для посилення потужності на частотах до 255 МГц стаціонарних та пересувних радіотехнічних пристроях виробничо-технічного призначення. | 135 | — | — | — | Панель | — | — | — | — | — | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема К561ИЕ10А
#14133
|
26316 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Два чотирирозрядні лічильники. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема К170УЛ1
#14137
|
26321 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Чотирьохканальний однополярний підсилювач відтворення. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема К555ИЕ2
#14139
|
26326 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Двійково-десятковий лічильник. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема К555ЛР13
#14140
|
26331 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Логічний елемент (2-3-3-2) І-АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема DK124
#14150
|
26342 | SDK | — |
14 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Лампа СМН 6,3-20-2
#14254
|
26453 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Лампа надмініатюрна СМН-6.3-20-2 використовується в радіо- та електронній техніці, авіації, ракетній техніці, медицині, в різних приладах та пристроях як індикаторні, канальні та освітлювальні елементи, до габаритів яких пред'являють вимогу бути пропорційними з малими габаритами. та пристроїв. Номінальна напруга - 6,3 В Номінальна сила електричного струму – 20 мА. Світловий потік: 0,26 лм Середня тривалість горіння: не менше 600 год. Діаметр: 3,2 мм Довжина: 9мм. | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор П27А
#14256
|
26455 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Транзистори П27 германієві сплавні pnp низькочастотні підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30мВт | 100шт. | 5В | 6mA | 1МГц | 60 | — | — | — | |||||||
|
Стабістор Д220С
#14257
|
26456 | СНГ | — |
4 грн.
|
|
— | Стабистори Д220С кремнієві, мікросплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації постійної та імпульсної напруги та обмеження імпульсів напруги. Основні технічні параметри стабістора Д220С: • Номінальна напруга стабілізації при Іст 1 мА: 0,59; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 50 мА; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+120 °С. | 0.4 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | 0.59V | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ349Б
#14260
|
26459 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ349Б: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 200 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 300 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В (10кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 40...160; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 6 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 30 Ом. | 0.5 | — | КТ-1-7 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 15В | 40мА | 300МГц | 160 | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ603Г
#14261
|
26460 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора КТ603Г: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 15 В (1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 300 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 600 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 60; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 7 Ом. | 1.5 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 500мВт | 100шт. | 15В | 300мА | 200МГц | 60 | — | — | — | |||||||
|
Діод силовий В25-9
#14264
|
26463 | СНГ | — |
75 грн.
|
|
— | В25-9 Діод кремнієвий дифузійний. Призначений для роботи в ланцюгах статичних перетворювачів електроенергії постійного та змінного струмів на частотах до 2 кГц. Випускаються в металостеклянному корпусі з гнучким виводом. Середній прямий струм - 25А Повторювана імпульсна зворотна напруга - 900 В Охолодження повітря природне або примусове. | 90 | — | — | — | Гвинт | — | 900V | 25A | — | — | Випрямний | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Транзистор П215
#14266
|
26465 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Транзистори П215 германієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. Основні технічні характеристики транзистора П215: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 80 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,3 мА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 20...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 9.2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 40шт. | 70В | 5А | 0,15МГц | 150 | — | — | — | |||||||
|
Тиристор КУ103А1
#14304
|
26504 | СНГ | — |
6 грн.
|
— | Основні технічні параметри тиристора КУ103А1: • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 150 В; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 0,001 А; • Імпульсна напруга у відкритому стані: не більше 3 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: 0,001 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: 1 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: 40 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 0,4... 2 В. | 0.5 | — | — | — | DIP | — | 150V | — | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема К118ТЛ1Д
#14306
|
26509 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Тригер Шмітта з максимальною частотою проходження імпульсів 1 МГц. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Симистор КУ208А
#14308
|
26511 | СНГ | — |
19 грн.
|
|
— | Симистор кремнієвий, планарний, структури pnpn, тріодний, незапираний, симетричний. | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 100V | 5A | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — |