Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
25984 WTE
2,50 грн.
100+2,25 грн.
200+2 грн.
500+1,75 грн.
0.4 SMD SMB 100V 3.0A Шотки 3000шт. одиночний
25985 MIC
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
0.6 DIP DO-15 60V 2A Шотки 500шт. одиночний
25986 ON SEMICONDUCTOR
4 грн.
100+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
0.8 DIP DO-201AD 600V Швидкий 1000шт. одиночний
25987 DIOTEC SEMICONDUCTOR
0,80 грн.
100+0,72 грн.
200+0,64 грн.
500+0,56 грн.
0.2 SMD DO-214AC, SMA 1000V 1A Випрямний 5000шт. одиночний
25989 СНГ
15 грн.
50+13,50 грн.
200+12 грн.
500+10,50 грн.
Стовпи з кремнієвих, дифузійних діодів, випрямляючі. Призначені для використання у високовольтних блоках джерел вторинного електроживлення з додатковою герметизацією. 1.6 DIP 6kV 50mA Високовольтний 100шт. одиночний
26015 СНГ
400 грн.
Т142-80-12 Тиристор низькочастотний штирьового виконання. Призначений для роботи в перетворювальних пристроях, ланцюгах постійного і змінного струму різних силових установок. Випускаються в металоскляному корпусі з жорстким виводом. Максимально допустимий середній прямий струм у відкритому стані – 80 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 1200 В Охолодження повітря природне або примусове. Позначення типономіналу та полярність висновків наводяться на корпусі. Габаритні розміри: - загальна довжина – 56 мм - Довжина шпильки - 16 мм - різьблення - М10 63 Гвинт 1200V 80A 20шт.
26016 СНГ
35 грн.
Тиристори кремнієві 2У202М планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 Гвинт 400V 10A 40шт.
26017 СНГ
22 грн.
Тиристори кремнієві 2У202Д планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 Гвинт 100V 10A 40шт.
26018 СНГ
25 грн.
Тиристори кремнієві 2У202И планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 Гвинт 200V 10A 40шт.
26847 СНГ
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
Транзистори 2Т803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. 19 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50
26019 СНГ
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
1Т806А Транзистори германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Транзистори 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В призначені для застосування в імпульсних пристроях, перетворювачах та стабілізаторах струму та напруги. Основні технічні характеристики транзистора 1Т806А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 10 МГц; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • h21е - Коефіцієнт зворотний зв'язок з напрузі транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно: 10...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,04 Ом. 22 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 30Вт 20шт. 40В 20А 10МГц 100
26020 СНГ
150 грн.
10+142,50 грн.
50+135 грн.
100+120 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. 30 КТЮ-3-20 Біполярний DIP NPN 50Вт 10 шт. 120В 10А 50
26028 TEXAS INSTRUMENTS
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
0.5 DIP8 DIP Підсилювачі 50шт.
26104 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. 2.5 TO220 Біполярний DIP NPN 30Вт 100шт. 60В 20МГц 15
26105 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Діод кремнієвий, дифузійний, швидкодіючий. 2 DIP КД-8 500V 2A Швидкий 200шт. одиночний
26106 TUNGSRAM
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
500+140 грн.
19 DIP 8Вт 2 шт.
26110 СНГ
40 грн.
50+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
Діоди КД203Д кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Основні технічні характеристики діода 2Д203Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 700 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 1000 В. 13 Гвинт 700V 10A Випрямний 25шт. одиночний
26111 СНГ
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
Транзистор КП302БМ кремнієвий планарний польовий із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Призначений для застосування в широкосмугових підсилювачах в діапазоні частот до 150 МГц, а також у пристроях, що перемикають і комутують. 0.4 КТ-1 Польовий DIP МОП р-канальний 20В 40мА 300мВт 100шт. 150МГц
26113 СНГ
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Діоди Д245А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д245А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 300 В. 13 Гвинт 300V 10A Випрямний 40шт. одиночний
26114 СНГ
30 грн.
50+27 грн.
200+24 грн.
500+21 грн.
Діоди Д246Б кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д246Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. 13 Гвинт 400V 5A Випрямний 40шт. одиночний
26115 СНГ
40 грн.
50+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
Діоди Д246А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д246А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. 13 DIP 400V 10A Випрямний 40шт. одиночний
26117 СНГ
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Діоди Д245 кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д245: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 300 В. 13 Гвинт 300V 10A Випрямний 40шт. одиночний
26118 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабілітрони КС191А кремнієві, сплавні, двоанодні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9,1 В діапазоні струмів стабілізації 3...15 мА і двостороннього обмеження напруги. Основні технічні параметри стабілітрона КС191А: • Номінальна напруга стабілізації: 9,1 при Iст 5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,06%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 5 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 15 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,15 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -55...+100 °С. 0.3 DIP 150мВт 200шт. 9V1
26120 СНГ
40 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
250+30 грн.
Стабілітрони КС191Ф кремнієві, епітаксійні, малої потужності, прецизійні, класу 0,02. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9,1 В діапазоні струмів стабілізації 3...20 мА з високими вимогами до стабільності напруги в діапазоні температур -60...+100 °С в цифрових вимірювальних приладах та іншій прецизійній апаратурі. Основні технічні параметри стабілітрону КС191Ф: • Номінальна напруга стабілізації: 9,1 при Iст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 8,65...9,55 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,0005 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±0,02 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 20 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,2 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С. 0.7 DIP 200мВт 100шт. 9V1 kd-8
26121 СНГ
12 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
250+9 грн.
Стабистори КС119А кремнієві, дифузійно-сплавні, малої потужності. Призначені для застосування в стабілізаторах напруги та як термокомпенсуючі елементи. Основні технічні параметри стабістора КС119А: • Номінальна напруга стабілізації: 1,9 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,4%/°; • Диференціальний опір: 15 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється: 0,18 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 DIP 180мВт 100шт. 1V9 kd-8
26122 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабілітрони КС168А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 6,8 В діапазоні струмів стабілізації 3...45 мА. Основні технічні параметри стабілітрону КС168А: • Номінальна напруга стабілізації: 6,8 при Iст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,06%/°С; • Постійна пряма напруга: 1 при Iпр 50 мА; • Диференціальний опір стабілітрона: 28 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 45 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 6V8 kd-8
26124 СНГ
12 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
250+9 грн.
Стабілітрони Д818Г кремнієві, дифузійно-сплавні, малої потужності, прецизійні. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9 у діапазоні струмів стабілізації 3...33 мА з високими вимогами до стабільності напруги в діапазоні температур -60...+125 °С. Основні технічні параметри стабілітрона Д818Г: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,006%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 9V kd-8
26125 СНГ
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабілітрони Д814Б кремнієві, сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 8,0-9,5 В діапазоні струмів стабілізації 3...36 мА. 0.8 DIP 340мВт 100шт. 9V kd-8
26126 СНГ
10 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
250+7,50 грн.
Стабілітрони 2С530А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 30 В діапазоні струмів стабілізації 1...27 мА. Основні технічні параметри стабілітрона 2С530А: • Номінальна напруга стабілізації: 30 В при Іст 5 мА; • Розкид напруги стабілізації: 28,5...31,5 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,1 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 200 Ом при Іст 1 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 27 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 DIP 1Вт 100шт. 30V kd-8
26127 СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори КТ837К кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ837К: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 1 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 2 TO220 Біполярний DIP PNP 200шт. 40В 7,5A 1МГц 150