Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
Тиристор 2У202Д (=КУ202Д)
#13839
|
26017 | СНГ | — |
22 грн.
|
— | Тиристори кремнієві 2У202Д планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 100V | 10A | — | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Тиристор 2У202И (=КУ202И)
#13840
|
26018 | СНГ | — |
25 грн.
|
— | Тиристори кремнієві 2У202И планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 200V | 10A | — | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 2Т803А (=КТ803А)
#13841
|
26847 | СНГ | — |
200 грн.
|
|
— | Транзистори 2Т803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. | 19 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 60Вт | 20шт. | 60В | 10А | 20МГц | 50 | — | — | — | |||||||||
Транзистор 1Т806А (=ГТ806А)
#13842
|
26019 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | 1Т806А Транзистори германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Транзистори 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В призначені для застосування в імпульсних пристроях, перетворювачах та стабілізаторах струму та напруги. Основні технічні характеристики транзистора 1Т806А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 10 МГц; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • h21е - Коефіцієнт зворотний зв'язок з напрузі транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно: 10...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,04 Ом. | 22 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 30Вт | 20шт. | 40В | 20А | 10МГц | 100 | — | — | — | |||||||||
Транзистор 2Т808А (=КТ808А)
#13843
|
26020 | СНГ | — |
150 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. | 30 | — | КТЮ-3-20 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 50Вт | 10 шт. | 120В | 10А | — | 50 | — | — | — | |||||||||
Мікросхема TL081CP
#13851
|
26028 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
8 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор КТ805БМ
#13925
|
26104 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. | 2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 30Вт | 100шт. | 60В | 5А | 20МГц | 15 | — | — | — | |||||||||
Діод КД411ГМ
#13926
|
26105 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діод кремнієвий, дифузійний, швидкодіючий. | 2 | — | — | — | DIP | КД-8 | 500V | 2A | — | — | Швидкий | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
| 26106 | TUNGSRAM | — |
200 грн.
|
|
— | 19 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 2 шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод КД203Д
#13931
|
26110 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Діоди КД203Д кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Основні технічні характеристики діода 2Д203Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 700 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 1000 В. | 13 | — | — | — | Гвинт | — | 700V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Транзистор КП302БМ Au
#13932
|
26111 | СНГ | — |
24 грн.
|
|
— | Транзистор КП302БМ кремнієвий планарний польовий із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Призначений для застосування в широкосмугових підсилювачах в діапазоні частот до 150 МГц, а також у пристроях, що перемикають і комутують. | 0.4 | — | КТ-1 | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | — | МОП р-канальний | 20В | 40мА | 300мВт | 100шт. | — | — | 150МГц | — | — | — | — | |||||||||
Діод Д245А
#13934
|
26113 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Діоди Д245А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д245А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 300 В. | 13 | — | — | — | Гвинт | — | 300V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Діод Д246Б
#13935
|
26114 | СНГ | — |
30 грн.
|
|
— | Діоди Д246Б кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д246Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. | 13 | — | — | — | Гвинт | — | 400V | 5A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Діод Д246А
#13936
|
26115 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Діоди Д246А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д246А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. | 13 | — | — | — | DIP | — | 400V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Діод Д245
#13938
|
26117 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Діоди Д245 кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д245: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 300 В. | 13 | — | — | — | Гвинт | — | 300V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Стабілітрон КС191А
#13939
|
26118 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Стабілітрони КС191А кремнієві, сплавні, двоанодні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9,1 В діапазоні струмів стабілізації 3...15 мА і двостороннього обмеження напруги. Основні технічні параметри стабілітрона КС191А: • Номінальна напруга стабілізації: 9,1 при Iст 5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,06%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 5 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 15 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,15 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -55...+100 °С. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 150мВт | 200шт. | — | — | — | — | 9V1 | — | — | |||||||||
Стабілітрон КС191Ф
#13941
|
26120 | СНГ | — |
40 грн.
|
|
— | Стабілітрони КС191Ф кремнієві, епітаксійні, малої потужності, прецизійні, класу 0,02. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9,1 В діапазоні струмів стабілізації 3...20 мА з високими вимогами до стабільності напруги в діапазоні температур -60...+100 °С в цифрових вимірювальних приладах та іншій прецизійній апаратурі. Основні технічні параметри стабілітрону КС191Ф: • Номінальна напруга стабілізації: 9,1 при Iст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 8,65...9,55 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,0005 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±0,02 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 20 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,2 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С. | 0.7 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V1 | kd-8 | — | |||||||||
Стабілітрон КС119А
#13942
|
26121 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Стабистори КС119А кремнієві, дифузійно-сплавні, малої потужності. Призначені для застосування в стабілізаторах напруги та як термокомпенсуючі елементи. Основні технічні параметри стабістора КС119А: • Номінальна напруга стабілізації: 1,9 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,4%/°; • Диференціальний опір: 15 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється: 0,18 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 180мВт | 100шт. | — | — | — | — | 1V9 | kd-8 | — | |||||||||
Стабілітрон КС168А
#13943
|
26122 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Стабілітрони КС168А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 6,8 В діапазоні струмів стабілізації 3...45 мА. Основні технічні параметри стабілітрону КС168А: • Номінальна напруга стабілізації: 6,8 при Iст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,06%/°С; • Постійна пряма напруга: 1 при Iпр 50 мА; • Диференціальний опір стабілітрона: 28 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 45 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 6V8 | kd-8 | — | |||||||||
Стабілітрон Д818Г
#13945
|
26124 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Стабілітрони Д818Г кремнієві, дифузійно-сплавні, малої потужності, прецизійні. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9 у діапазоні струмів стабілізації 3...33 мА з високими вимогами до стабільності напруги в діапазоні температур -60...+125 °С. Основні технічні параметри стабілітрона Д818Г: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,006%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | |||||||||
Стабілітрон Д814Б
#13946
|
26125 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Стабілітрони Д814Б кремнієві, сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 8,0-9,5 В діапазоні струмів стабілізації 3...36 мА. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 100шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | |||||||||
Стабілітрон 2С530А (=КС530А)
#13947
|
26126 | СНГ | — |
10 грн.
|
|
— | Стабілітрони 2С530А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 30 В діапазоні струмів стабілізації 1...27 мА. Основні технічні параметри стабілітрона 2С530А: • Номінальна напруга стабілізації: 30 В при Іст 5 мА; • Розкид напруги стабілізації: 28,5...31,5 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,1 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 200 Ом при Іст 1 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 27 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 30V | kd-8 | — | |||||||||
Транзистор КТ837К
#13948
|
26127 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Транзистори КТ837К кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ837К: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 1 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. | 2 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | — | 200шт. | 40В | 7,5A | 1МГц | 150 | — | — | — | |||||||||
Діод Д7Ж
#13950
|
26130 | СНГ | — |
9 грн.
|
|
— | Діоди германієві Д7Ж, сплавні. Основні технічні характеристики діода Д7Ж: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 2,4 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,5 В при Inp 300 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбр 400 В. | 1.6 | — | — | — | DIP | КД-8 | 300V | 300mA | — | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Діодний міст КЦ407А
#13951
|
26131 | СНГ | — |
30 грн.
|
— | КЦ407А Блок із кремнієвих, мезадифузійних діодів, з'єднаних за бруківкою. Випускається у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Основні технічні характеристики діода КЦ407А: • Uoбp і max – Максимальна імпульсна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 3 А; • fд – робоча частота діода: 20 кГц; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 5 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 5 мкс. | 0.5 | — | — | — | DIP | — | 400V | 500mA | 3A | — | Діодний міст | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Варикап КВ105Б
#13953
|
26133 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | 1.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод Д2В
#13957
|
26137 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2В германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2В: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 30 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 25 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 9 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 30 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 30V | 25mA | — | — | Детекторний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Діод Д2Г
#13958
|
26138 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2Г германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 50V | 16mA | — | — | Детекторний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Діод Д2Д
#13959
|
26139 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2Д германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 50V | 16mA | — | — | Детекторний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
Діод Д2Е
#13960
|
26140 | СНГ | — |
3 грн.
|
|
— | Діоди Д2Е германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Е: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. | 0.7 | — | — | — | DIP | КД-4 | 100V | 16mA | — | — | Детекторний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний |
