Зверніть увагу: з технічних причин обробка, видача та відправка замовлень, оформлених у четвер (15.10), розпочнуться в п’ятницю (16.10). Дякуємо за терпіння та розуміння!

Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
26847 СНГ —
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
— Транзистори 2Т803А кремнієві мезапланарні структури npn універсальні. Призначені для застосування в підсилювачах постійного струму, генераторах малої розгортки, джерел вторинного електроживлення. 19 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 60Вт 20шт. 60В 10А 20МГц 50 — — —
26019 СНГ —
40 грн.
10+38 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
— 1Т806А Транзистори германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Транзистори 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В призначені для застосування в імпульсних пристроях, перетворювачах та стабілізаторах струму та напруги. Основні технічні характеристики транзистора 1Т806А: • Структура: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 10 МГц; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 2 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • h21е - Коефіцієнт зворотний зв'язок з напрузі транзистора як малого сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно: 10...100; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,04 Ом. 22 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — — PNP — — 30Вт 20шт. 40В 20А 10МГц 100 — — —
26020 СНГ —
150 грн.
10+142,50 грн.
50+135 грн.
100+120 грн.
— Основні технічні характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 7,2 мГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 120 (250 імп.); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 10 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер і опору в ланцюзі база-емітер: 3 мА (120В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 500 пФ. 30 — КТЮ-3-20 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 50Вт 10 шт. 120В 10А — 50 — — —
26028 TEXAS INSTRUMENTS —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— 0.5 DIP8 — — DIP — — — — Підсилювачі — — — — — 50шт. — — — — — — —
26103 СНГ —
25 грн.
— Тиристори кремнієві КУ202Л планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 — — — Гвинт — 300V 10A — — — — — — — 40шт. — — — — — — —
26104 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистори кремнієві епітаксійні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у вихідних каскадах малої розгортки, пристроях запалювання двигунів внутрішнього згоряння та інших пристроях, що перемикають. 2.5 — TO220 Біполярний DIP — — — — — — NPN — — 30Вт 100шт. 60В 5А 20МГц 15 — — —
26105 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Діод кремнієвий, дифузійний, швидкодіючий. 2 — — — DIP КД-8 500V 2A — — Швидкий — — — — 200шт. — — — — — — одиночний
26106 TUNGSRAM —
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
500+140 грн.
— 19 — — — DIP — — — — — — — — — 8Вт 2 шт. — — — — — — —
26110 СНГ —
40 грн.
50+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
— Діоди КД203Д кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Основні технічні характеристики діода 2Д203Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 700 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 1000 В. 13 — — — Гвинт — 700V 10A — — Випрямний — — — — 25шт. — — — — — — одиночний
26111 СНГ —
24 грн.
10+22,80 грн.
50+21,60 грн.
100+19,20 грн.
— Транзистор КП302БМ кремнієвий планарний польовий із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу. Призначений для застосування в широкосмугових підсилювачах в діапазоні частот до 150 МГц, а також у пристроях, що перемикають і комутують. 0.4 — КТ-1 Польовий DIP — — — — — — МОП р-канальний 20В 40мА 300мВт 100шт. — — 150МГц — — — —
26113 СНГ —
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
— Діоди Д245А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д245А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 300 В. 13 — — — Гвинт — 300V 10A — — Випрямний — — — — 40шт. — — — — — — одиночний
26114 СНГ —
30 грн.
50+27 грн.
200+24 грн.
500+21 грн.
— Діоди Д246Б кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д246Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. 13 — — — Гвинт — 400V 5A — — Випрямний — — — — 40шт. — — — — — — одиночний
26115 СНГ —
40 грн.
50+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
— Діоди Д246А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д246А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 400 В. 13 — — — DIP — 400V 10A — — Випрямний — — — — 40шт. — — — — — — одиночний
26117 СНГ —
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
— Діоди Д245 кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д245: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,25 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбp 300 В. 13 — — — Гвинт — 300V 10A — — Випрямний — — — — 40шт. — — — — — — одиночний
26118 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
— Стабілітрони КС191А кремнієві, сплавні, двоанодні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9,1 В діапазоні струмів стабілізації 3...15 мА і двостороннього обмеження напруги. Основні технічні параметри стабілітрона КС191А: • Номінальна напруга стабілізації: 9,1 при Iст 5 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,06%/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 5 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 15 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,15 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -55...+100 °С. 0.3 — — — DIP — — — — — — — — — 150мВт 200шт. — — — — 9V1 — —
26120 СНГ —
40 грн.
50+36 грн.
100+32 грн.
250+30 грн.
— Стабілітрони КС191Ф кремнієві, епітаксійні, малої потужності, прецизійні, класу 0,02. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9,1 В діапазоні струмів стабілізації 3...20 мА з високими вимогами до стабільності напруги в діапазоні температур -60...+100 °С в цифрових вимірювальних приладах та іншій прецизійній апаратурі. Основні технічні параметри стабілітрону КС191Ф: • Номінальна напруга стабілізації: 9,1 при Iст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 8,65...9,55 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,0005 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±0,02 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 20 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється на стабілітроні: 0,2 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С. 0.7 — — — DIP — — — — — — — — — 200мВт 100шт. — — — — 9V1 kd-8 —
26121 СНГ —
12 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
250+9 грн.
— Стабистори КС119А кремнієві, дифузійно-сплавні, малої потужності. Призначені для застосування в стабілізаторах напруги та як термокомпенсуючі елементи. Основні технічні параметри стабістора КС119А: • Номінальна напруга стабілізації: 1,9 В при Іст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,4%/°; • Диференціальний опір: 15 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 100 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється: 0,18 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 180мВт 100шт. — — — — 1V9 kd-8 —
26122 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
— Стабілітрони КС168А кремнієві, сплавні, малої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 6,8 В діапазоні струмів стабілізації 3...45 мА. Основні технічні параметри стабілітрону КС168А: • Номінальна напруга стабілізації: 6,8 при Iст 10 мА; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,06%/°С; • Постійна пряма напруга: 1 при Iпр 50 мА; • Диференціальний опір стабілітрона: 28 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 45 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 100шт. — — — — 6V8 kd-8 —
26124 СНГ —
12 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
250+9 грн.
— Стабілітрони Д818Г кремнієві, дифузійно-сплавні, малої потужності, прецизійні. Призначені для стабілізації номінальної напруги 9 у діапазоні струмів стабілізації 3...33 мА з високими вимогами до стабільності напруги в діапазоні температур -60...+125 °С. Основні технічні параметри стабілітрона Д818Г: • Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; • Розкид напруги стабілізації: 7,6...10 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: +0,006%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ±0,12 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 10 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 0,3 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 300мВт 100шт. — — — — 9V kd-8 —
26125 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
— Стабілітрони Д814Б кремнієві, сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 8,0-9,5 В діапазоні струмів стабілізації 3...36 мА. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 340мВт 100шт. — — — — 9V kd-8 —
26126 СНГ —
10 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
250+7,50 грн.
— Стабілітрони 2С530А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 30 В діапазоні струмів стабілізації 1...27 мА. Основні технічні параметри стабілітрона 2С530А: • Номінальна напруга стабілізації: 30 В при Іст 5 мА; • Розкид напруги стабілізації: 28,5...31,5 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,1 %/°С; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 200 Ом при Іст 1 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 27 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 0.8 — — — DIP — — — — — — — — — 1Вт 100шт. — — — — 30V kd-8 —
26127 СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
— Транзистори КТ837К кремнієві епітаксійно-дифузійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах та пристроях, що перемикають. Основні технічні характеристики транзистора КТ837К: • Структура транзистора: pnp; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 30 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 1 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 45 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 7,5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 0,15 мА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 50...150; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,25 Ом. 2 — TO220 Біполярний DIP — — — — — — PNP — — — 200шт. 40В 7,5A 1МГц 150 — — —
26130 СНГ —
9 грн.
50+8,10 грн.
200+7,20 грн.
500+6,30 грн.
— Діоди германієві Д7Ж, сплавні. Основні технічні характеристики діода Д7Ж: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 300 мА; • fд – робоча частота діода: 2,4 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 0,5 В при Inp 300 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 100 мкА при Uoбр 400 В. 1.6 — — — DIP КД-8 300V 300mA — — Випрямний — — — — 100шт. — — — — — — одиночний
26131 СНГ —
30 грн.
— КЦ407А Блок із кремнієвих, мезадифузійних діодів, з'єднаних за бруківкою. Випускається у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Основні технічні характеристики діода КЦ407А: • Uoбp і max – Максимальна імпульсна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 500 мА; • Inp і max – Максимальний імпульсний прямий струм: 3 А; • fд – робоча частота діода: 20 кГц; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 5 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 5 мкс. 0.5 — — — DIP — 400V 500mA 3A — Діодний міст — — — — 500шт. — — — — — — —
26133 СНГ —
10 грн.
— 1.8 — — — DIP — — — — — — — — — — 100шт. — — — — — — —
26137 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Діоди Д2В германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2В: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 30 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 25 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 9 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 30 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. 0.7 — — — DIP КД-4 30V 25mA — — Детекторний — — — — 100шт. — — — — — — одиночний
26138 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Діоди Д2Г германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. 0.7 — — — DIP КД-4 50V 16mA — — Детекторний — — — — 100шт. — — — — — — одиночний
26139 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Діоди Д2Д германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. 0.7 — — — DIP КД-4 50V 16mA — — Детекторний — — — — 100шт. — — — — — — одиночний
26140 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Діоди Д2Е германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2Е: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 4,5 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. 0.7 — — — DIP КД-4 100V 16mA — — Детекторний — — — — 100шт. — — — — — — одиночний
26142 СНГ —
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
— Діоди Д2І германієві, точкові. Призначені для перетворення і детектування сигналів з частотою до 150 МГц в амплітудних і фазових детекторах, як відеодетекторів і відновників постійної складової в телевізорах, модуляторах кільцевих і перетворювачах частоти, в рахункових схемах і в малопотужних випрямлячах. Основні технічні характеристики діода Д2І: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 16 мА; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 2 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 250 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 0,2 пФ при Uoбp 1,5 Ст. 0.7 — — — DIP КД-4 100V 16mA — — Детекторний — — — — 100шт. — — — — — — одиночний