Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
Мікросхема TNY268GN
#13660
|
25824 | Power Integrations | — |
29 грн.
|
|
— | 0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема TNY276GN
#13663
|
25830 | Power Integrations | — |
25 грн.
|
|
— | 0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема TNY263PN
#13668
|
— | Power Integrations | — |
25 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP-8B | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема TNY265PN
#13670
|
25821 | Power Integrations | — |
20 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP-8B | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема TNY274PN
#13671
|
25827 | Power Integrations | — |
23 грн.
|
|
— | 0.5 | DIP-8B | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25808 | TEXAS INSTRUMENTS | — |
33 грн.
|
— | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | Датчики | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор ГТ402Д
#13679
|
25838 | СНГ | — |
42 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ402Д германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. | 3.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 600мВт | 50шт. | 25В | 500мА | 1МГц | 80 | — | — | — | |||||||
Транзистор ГТ402І
#13680
|
25839 | СНГ | — |
45 грн.
|
|
— | Транзистор ГТ402І германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування у вихідних каскадах підсилювачів низької частоти. | 3.5 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 600мВт | 50шт. | 40В | 500мА | 1МГц | 150 | — | — | — | |||||||
Тиристор КУ201А
#13684
|
25843 | СНГ | — |
10 грн.
|
— | • Максимальна постійна зворотна напруга: 25 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 25 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 11 | — | — | — | Гвинт | 25V | — | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ202А
#13686
|
25845 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Постійна максимальна зворотна напруга 25 В Постійна максимальна напруга в закритому стані 25 В Постійний імпульсний струм у відкритому стані – 30 А Повторний імпульсний струм у відкритому стані 10 А Напруга у відкритому стані Постійна напруга управління, що не відпирає, >=0,2 В Постійний струм у закритому стані Постійний зворотний струм Постійний струм управління, що відмикає Постійна напруга управління, що відмикає Критична швидкість наростання напруги у закритому стані 5 В/мкс Час увімкнення Час вимкнення | 11 | — | — | — | Гвинт | 25V | 10A | 30A | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ202В
#13687
|
25846 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Тиристори кремнієві КУ202В, планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. | 11 | — | — | — | Гвинт | 50V | 10A | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ202К
#13688
|
25847 | СНГ | — |
20 грн.
|
— | Тиристори кремнієві КУ202К планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. | 11 | — | — | — | Гвинт | 300V | 10A | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ102В
#13694
|
25854 | СНГ | — |
15 грн.
|
— | Тиристори кремнієві КУ102В, дифузійні, структури pnpn, тріодні, що замикаються. Призначені для застосування як перемикаючі елементи малої потужності. Основні технічні параметри тиристора КУ102В: • Максимальна постійна зворотна напруга: 5 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 150 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 5 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 0,05 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: не менше 0,2 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Замикаючий імпульсний струм управління: 20 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 12 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 200 В/мкс; • Час увімкнення: 5 мкс; • Час вимкнення: 20 мкс • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 1.2 | — | — | — | DIP | 150V | — | 5A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ101А
#13695
|
25855 | СНГ | — |
8 грн.
|
— | Тиристори кремнієві КУ101А, дифузійно-сплавні, p-типу, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора КУ101А: • Максимальна постійна зворотна напруга: 10 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. | 1.8 | — | — | — | DIP | 50V | — | 1A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ101Е
#13697
|
25857 | СНГ | — |
12 грн.
|
— | Тиристори кремнієві КУ101Е, дифузійно-сплавні, p-типу, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора КУ101Е: • Максимальна постійна зворотна напруга: 150 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 150 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. | 1.8 | — | — | — | DIP | 150V | — | 1A | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП10Б
#13699
|
25859 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10Б: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 50 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 150мВт | 100шт. | 30В | 20мА | 1МГц | 50 | — | — | — | |||||||
Транзистор МП42
#13701
|
25862 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 20 ... 35 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 | 1.6 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 15В | 200мА | 1МГц | 35 | — | — | — | |||||||
Стабілітрон КС650А1
#13708
|
25871 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Стабілітрони КС650А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 150 В діапазоні струмів стабілізації 7...38 мА. Основні технічні параметри стабілітрона КС650А: • Номінальна напруга стабілізації: 150 В при Іст 25 мА; • Розкид напруги стабілізації: 135...165 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,2 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 270 Ом при Іст 25 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 7 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 38 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт. | 1.5 | — | — | — | Гвинт | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 150V | ks620 | — | |||||||
Діністор КН102И
#13709
|
25872 | — | — |
25 грн.
|
— | Призначені для застосування в імпульсних пристроях як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора КН102І: • Максимальна постійна зворотна напруга: 10 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 10 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,2 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 1,5 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: 15 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 0,08 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,5 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 150 В; • Час вимкнення: не більше 40 мкс. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема KA7812 (=7812CV)
#13713
|
25877 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
7 грн.
|
|
— | 2.5 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР504НТ4Б
#13721
|
25889 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Мікросхеми КР504НТ4Б є сильноточною узгодженою парою польових транзисторів з pn переходом і р-каналом, призначених для застосування у вхідних каскадах підсилювачів постійного струму, диференційних і операційних підсилювачах і комутаторах. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 25891 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Мікросхема призначена для обміну інформацією між пристроями та блоками систем та передачі даних на периферійні пристрої, пристрої відображення та індикації, для інтерфейсів, виготовлених за біполярною технологією (ТТЛШ). Мікросхема 559ІП4 являє собою два магістральні передавачі. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Інтерфейси | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 25894 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Чотири логічні елементи 2І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К531ИЕ16П
#13728
|
25895 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Синхронний чотиризарядний декадний реверсивний лічильник. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
| 25897 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | 4 логічні елементи 2І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К161ІР2
#13731
|
25898 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | 3-розрядний паралельний регістр. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Мікросхема К161ЛР1
#13732
|
25899 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Три елементи 2І-2АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Транзистор КТ848А
#13752
|
25920 | СНГ | — |
90 грн.
|
|
— | Транзистори КТ848А кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у електронних схемах запалювання автомобільної радіоелектронної апаратури. Основні технічні характеристики транзистора КТ848А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 35 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. | 15 | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 35Вт | 40шт. | 400В | 15А | 3МГц | 20 | — | — | — | |||||||
Мікросхема КР140УД20А
#13768
|
25935 | СНГ | — |
14 грн.
|
|
— | Здвоєний (двоканальний) операційний підсилювач середньої точності з внутрішньою частотною корекцією та захистом входу від короткого замикання. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
Діод Д243А
#13780
|
25959 | СНГ | — |
35 грн.
|
|
— | Діоди Д243А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д243А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбр 200 В. | 13 | — | — | — | Гвинт | 200V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний |
