Зверніть увагу: з технічних причин обробка, видача та відправка замовлень, оформлених у четвер (15.10), розпочнуться в п’ятницю (16.10). Дякуємо за терпіння та розуміння!

Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
25845 СНГ —
20 грн.
— Постійна максимальна зворотна напруга 25 В Постійна максимальна напруга в закритому стані 25 В Постійний імпульсний струм у відкритому стані – 30 А Повторний імпульсний струм у відкритому стані 10 А Напруга у відкритому стані Постійна напруга управління, що не відпирає, >=0,2 В Постійний струм у закритому стані Постійний зворотний струм Постійний струм управління, що відмикає Постійна напруга управління, що відмикає Критична швидкість наростання напруги у закритому стані 5 В/мкс Час увімкнення Час вимкнення 11 — — — Гвинт — 25V 10A 30A — — — — 40шт. — — — — — — —
25846 СНГ —
20 грн.
— Тиристори кремнієві КУ202В, планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. 11 — — — Гвинт — 50V 10A — — — — — 40шт. — — — — — — —
25847 СНГ —
20 грн.
— Тиристори кремнієві КУ202К планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. 11 — — — Гвинт — 300V 10A — — — — — 40шт. — — — — — — —
25854 СНГ —
15 грн.
— Тиристори кремнієві КУ102В, дифузійні, структури pnpn, тріодні, що замикаються. Призначені для застосування як перемикаючі елементи малої потужності. Основні технічні параметри тиристора КУ102В: • Максимальна постійна зворотна напруга: 5 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 150 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 5 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 0,05 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: не менше 0,2 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Замикаючий імпульсний струм управління: 20 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 12 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 200 В/мкс; • Час увімкнення: 5 мкс; • Час вимкнення: 20 мкс • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. 1.2 — — — DIP — 150V — 5A — — — — 100шт. — — — — — — —
25855 СНГ —
8 грн.
— Тиристори кремнієві КУ101А, дифузійно-сплавні, p-типу, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора КУ101А: • Максимальна постійна зворотна напруга: 10 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. 1.8 — — — DIP — 50V — 1A — — — — 100шт. — — — — — — —
25857 СНГ —
12 грн.
— Тиристори кремнієві КУ101Е, дифузійно-сплавні, p-типу, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора КУ101Е: • Максимальна постійна зворотна напруга: 150 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 150 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. 1.8 — — — DIP — 150V — 1A — — — — 100шт. — — — — — — —
25859 СНГ —
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
— Транзистор МП10 германієвий сплавний підсилювальний npn низькочастотний з ненормованим коефіцієнтами шуму. Призначений посилення сигналів низької частоти. Основні технічні характеристики транзистора МП10Б: • Структура транзистора: npn • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • fh21б – гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 15 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 20 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 50 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора в режимі малого сигналу для схем із загальним емітером та загальною базою відповідно: 25...50; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 60 пФ; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 5000 пс; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 10 дБ на частоті 1 кГц. 1.8 — КТЮ-3-3 Біполярний DIP — — — — — — NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 50 — — —
25862 СНГ —
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
— Структура PNP Макс. напр. к-б при заданому зворотному струмі до розімкнутого ланцюга е.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-е при заданому струмі і заданому сопр. в ланцюгу б-е. (Uкеr макс), 15 Максимально допустимий струм (Iк макс,А) 0.2 Статичний коефіцієнт передачі струму h21е хв 20 ... 35 Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц 1 Максимальна потужність, що розсіюється до (Рк,Вт) 0.2 1.6 — КТЮ-3-6 Біполярний DIP — — — — — — PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 35 — — —
25871 СНГ —
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
— Стабілітрони КС650А кремнієві, дифузійно-сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 150 В діапазоні струмів стабілізації 7...38 мА. Основні технічні параметри стабілітрона КС650А: • Номінальна напруга стабілізації: 150 В при Іст 25 мА; • Розкид напруги стабілізації: 135...165 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: ±0,2 %/°С; • Диференціальний опір стабілітрона: 270 Ом при Іст 25 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 7 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 38 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 5 Вт. 1.5 — — — Гвинт — — — — — — — 5Вт 100шт. — — — — 150V ks620 —
25872 — —
25 грн.
— Призначені для застосування в імпульсних пристроях як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора КН102І: • Максимальна постійна зворотна напруга: 10 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 10 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,2 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 1,5 В; • Постійна напруга управління, що не відмикає: 15 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 0,08 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,5 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 150 В; • Час вимкнення: не більше 40 мкс. — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
25877 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
— 2.5 TO-220 — — DIP — — — — живлення — — — 50шт. — — — — — — —
25889 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Мікросхеми КР504НТ4Б є сильноточною узгодженою парою польових транзисторів з pn переходом і р-каналом, призначених для застосування у вхідних каскадах підсилювачів постійного струму, диференційних і операційних підсилювачах і комутаторах. 0.5 DIP8 — — DIP — — — — Підсилювачі — — — 200шт. — — — — — — —
25891 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Мікросхема призначена для обміну інформацією між пристроями та блоками систем та передачі даних на периферійні пристрої, пристрої відображення та індикації, для інтерфейсів, виготовлених за біполярною технологією (ТТЛШ). Мікросхема 559ІП4 являє собою два магістральні передавачі. 1.2 DIP16 — — DIP — — — — Інтерфейси — — — 90шт. — — — — — — —
25894 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Чотири логічні елементи 2І. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
25895 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Синхронний чотиризарядний декадний реверсивний лічильник. 1 DIP16 — — DIP — — — — Логіка — — — 90шт. — — — — — — —
25897 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— 4 логічні елементи 2І-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
25898 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— 3-розрядний паралельний регістр. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
25899 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
— Три елементи 2І-2АБО-НЕ. 1 DIP14 — — DIP — — — — Логіка — — — 100шт. — — — — — — —
25920 СНГ —
90 грн.
10+85,50 грн.
50+81 грн.
100+72 грн.
— Транзистори КТ848А кремнієві мезапланарні структури підсилювальні npn. Призначені для застосування у електронних схемах запалювання автомобільної радіоелектронної апаратури. Основні технічні характеристики транзистора КТ848А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 35 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 15 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 15 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 3 мА (400В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 20; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,2 Ом. 15 — TO3 Біполярний DIP — — — — — — NPN 35Вт 40шт. 400В 15А 3МГц 20 — — —
25935 СНГ —
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
— Здвоєний (двоканальний) операційний підсилювач середньої точності з внутрішньою частотною корекцією та захистом входу від короткого замикання. 1 DIP14 — — DIP — — — — Підсилювачі — — — 100шт. — — — — — — —
25959 СНГ —
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
— Діоди Д243А кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д243А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбр 200 В. 13 — — — Гвинт — 200V 10A — — Випрямний — — 50шт. — — — — — — одиночний
25984 WTE —
2,50 грн.
100+2,25 грн.
200+2 грн.
500+1,75 грн.
— 0.4 — — — SMD SMB 100V 3.0A — — Шотки — — 3000шт. — — — — — — одиночний
25985 MIC —
1,50 грн.
100+1,35 грн.
200+1,20 грн.
500+1,05 грн.
— 0.6 — — — DIP DO-15 60V 2A — — Шотки — — 500шт. — — — — — — одиночний
25986 ON SEMICONDUCTOR —
4 грн.
100+3,60 грн.
200+3,20 грн.
500+2,80 грн.
— 0.8 — — — DIP DO-201AD 600V 4А — — Швидкий — — 1000шт. — — — — — — одиночний
25987 DIOTEC SEMICONDUCTOR —
0,80 грн.
100+0,72 грн.
200+0,64 грн.
500+0,56 грн.
— 0.2 — — — SMD DO-214AC, SMA 1000V 1A — — Випрямний — — 5000шт. — — — — — — одиночний
25989 СНГ —
15 грн.
50+13,50 грн.
200+12 грн.
500+10,50 грн.
— Стовпи з кремнієвих, дифузійних діодів, випрямляючі. Призначені для використання у високовольтних блоках джерел вторинного електроживлення з додатковою герметизацією. 1.6 — — — DIP — 6kV 50mA — — Високовольтний — — 100шт. — — — — — — одиночний
26015 СНГ —
400 грн.
— Т142-80-12 Тиристор низькочастотний штирьового виконання. Призначений для роботи в перетворювальних пристроях, ланцюгах постійного і змінного струму різних силових установок. Випускаються в металоскляному корпусі з жорстким виводом. Максимально допустимий середній прямий струм у відкритому стані – 80 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 1200 В Охолодження повітря природне або примусове. Позначення типономіналу та полярність висновків наводяться на корпусі. Габаритні розміри: - загальна довжина – 56 мм - Довжина шпильки - 16 мм - різьблення - М10 63 — — — Гвинт — 1200V 80A — — — — — 20шт. — — — — — — —
26016 СНГ —
35 грн.
— Тиристори кремнієві 2У202М планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 — — — Гвинт — 400V 10A — — — — — 40шт. — — — — — — —
26017 СНГ —
22 грн.
— Тиристори кремнієві 2У202Д планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 — — — Гвинт — 100V 10A — — — — — 40шт. — — — — — — —
26018 СНГ —
25 грн.
— Тиристори кремнієві 2У202И планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 — — — Гвинт — 200V 10A — — — — — 40шт. — — — — — — —