Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Конструкція діода |
|---|
|
Мікросхема КР574УД2В
#9824
|
21415 | СНГ | — |
26 грн.
|
|
— | Здвоєний операційний підсилювач середньої точності з великим вхідним опором. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема К555ТМ9
#9826
|
21420 | СНГ | — |
5 грн.
|
|
— | Шість D-тригерів. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | |||||||
| 21421 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | Два дешифратори-демультиплексори 2-4. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Мікросхема КР1561ЛИ2
#9829
|
21424 | СНГ | — |
12 грн.
|
|
— | Чотири двовходові елементи І. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема КР159НТ1В
#9831
|
21437 | СНГ | — |
8 грн.
|
|
— | Матриця з двох npn транзисторів. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Транзисторне складання | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | |||||||
| 21442 | СНГ | — |
6 грн.
|
|
— | 3 логічні елементи 3І-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Діодний міст GBJ2510
#9853
|
21632 | SEP | — |
16 грн.
|
|
— | 4 | — | — | — | DIP | GBJ | 1000V | 25A | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | ||||||||
|
Діодний міст RS607
#9854
|
21633 | — | — |
9,50 грн.
|
|
— | 1000V;6.0A | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Діодний міст KBPC610
#9856
|
21635 | SEP | — |
14 грн.
|
|
— | (1000V; 6.0A) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Радіолампа 6П1П-ЕВ
#9871
|
21650 | СНГ | — |
27 грн.
|
|
— | Променевий зошит 6П1П пальчикового типу використовується в схемах кінцевих каскадів підсилювачів з низькою частотою та в електросхемах радіоприймачів. За розмірами 6П1П перевершує аналогічні пальчикові лампи. Це викликано необхідністю гарного відведення тепла через потужність, що розсіюється на аноді лампи та її екранній сітці. | 16 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Радіолампа 6П1П
#9872
|
21651 | — | — |
27 грн.
|
|
— | Променевий зошит 6П1П пальчикового типу використовується в схемах кінцевих каскадів підсилювачів з низькою частотою та в електросхемах радіоприймачів. За розмірами 6П1П перевершує аналогічні пальчикові лампи. Це викликано необхідністю гарного відведення тепла через потужність, що розсіюється на аноді лампи та її екранній сітці. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||
|
Діод КД105Б (тип1)
#9888
|
21673 | СНГ | — |
1 грн.
|
|
— | Діоди кремнієві, дифузійні. Випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. | 0.3 | — | — | — | DIP | — | 400V | 300mA | — | Випрямний | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Діод НВЧ 2А101А
#9896
|
21692 | СНГ | — |
28 грн.
|
|
— | Основні технічні параметри НВЧ діода 2А101Б: • Втрати перетворення: трохи більше 10 дБ; • Випрямлений струм: не менше 0,5 мА; • Вхідне шумове відношення: не більше 2; • Коефіцієнт стоячої хвилі за напругою: трохи більше 3; • Вихідний опір: 150...300 Ом; • Імпульсна потужність, що розсіюється: 250 мВт; • Імпульсна потужність, що розсіюється, при короткочасному впливі (не більше 20 хв): 300 мВт; • Потужність плоскої частини імпульсу, що просочується через розрядник: 60 мВт; • Енергія одиночного імпульсу: 0,2 ерг; • Температура довкілля: -60...+100°С; | 1.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | НВЧ | — | — | 100шт. | — | — | — | — | одиночний | |||||||
|
Транзистор П214Г
#9906
|
21706 | СНГ | — |
15 грн.
|
|
— | Основні технічні характеристики транзистора П214Г: • Структура транзистора: pnp • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 10 Вт; • fh21е - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: не менше 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо проб - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 10 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 5 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1,5 мА; • h21Е – статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: не нормується; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 20шт. | 55В | 5А | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема 78M15
#9908
|
— | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | — |
12 грн.
|
|
— | Стабілізатор 15V/0.5A | 0.4 | DPAK | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема L78S05CV
#9909
|
— | ST MICROELECTRONICS | — |
18 грн.
|
|
— | Стабілізатор напруги 5V/2A. | 3 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема L78S75CV
#9910
|
— | ST MICROELECTRONICS | — |
18 грн.
|
|
— | Стабілізатор напруги 7,5V/2A. | 3 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема L78S09CV
#9911
|
— | ST MICROELECTRONICS | — |
18 грн.
|
|
— | Стабілізатор напруги 9V/2A. | 3 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема L78S10CV
#9912
|
— | ST MICROELECTRONICS | — |
18 грн.
|
|
— | Стабілізатор напруги 10V/2A. | 3 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема L78S12CV
#9913
|
— | ST MICROELECTRONICS | — |
18 грн.
|
|
— | Стабілізатор напруги 12V/2A. | 3 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема L78S15CV
#9914
|
— | ST MICROELECTRONICS | — |
18 грн.
|
|
— | Стабілізатор напруги 15V/2A. | 3 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема L78S18CV
#9915
|
— | ST MICROELECTRONICS | — |
18 грн.
|
|
— | Стабілізатор напруги 18V/2A. | 3 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Мікросхема L78S24CV
#9916
|
— | ST MICROELECTRONICS | — |
18 грн.
|
|
— | Стабілізатор напруги 24V/2A. | 3 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | живлення | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||
| 21734 | LRC | — |
27 грн.
|
|
— | 4.1 | — | — | — | Обтиск | — | 6kV | 100mA | — | Високовольтний | — | — | 50шт. | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
| 21735 | SANKEN | — |
46 грн.
|
|
— | 3.7 | — | — | — | Обтиск | — | 12kV | 500mA | — | Високовольтний | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | |||||||||
| 21736 | Sunmate | — |
38 грн.
|
|
— | 2.8 | — | — | — | DIP | — | 12kV | 500mA | — | Високовольтний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | одиночний | |||||||||
|
Мікросхема MP3394S
#9948
|
21739 | MPS | — |
31 грн.
|
|
— | Step-up, 4-String Max 200mA/String White LED Driver, SOIC-16 | 0.6 | SO16 | — | — | SMD | — | — | — | Драйвери | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | |||||||
|
Транзистор КТ646Б
#10111
|
21850 | INTEGRAL | — |
3 грн.
|
|
— | 1 | — | TO126 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | NPN | 2.5Вт | 500шт. | 40В | 1А | 250МГц | 150 | — | ||||||||
|
Мікросхема 541РУ1 Аu
#10112
|
21851 | СНГ | — |
65 грн.
|
|
— | Біполярна ОЗУ виконана на основі інтегрально-інжекційної логіки. Мікросхеми 541РУ1 являють собою статичний оперативний пристрій ємністю 4 кбіт (4кх1). Містять 27 600 інтегральних елементів. Корпус типу 427.18-2.03, маса трохи більше 1,6 р. Діапазон робочих температур: -60 ... +85 ° С. Напруга живлення: 5.0 ±10 %. Мікросхеми у заводській упаковці. | 1.6 | SO18 | — | — | SMD | — | — | — | Пам`ять | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | |||||||
| 21853 | INTEGRAL | — |
28 грн.
|
|
— | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Телефонія | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — |