Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Напруга пробою | Конструкція діода |
|---|
Мікросхема КР551УД2А
#13769
|
25939 | СНГ | 41 шт |
22 грн.
|
|
Операційний підсилювач середньої точності. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Варикап КВ106А
#14111
|
26289 | СНГ | 41 шт |
15 грн.
|
Варикапи КВ106А кремнієві, епітаксійно-дифузійні, помножувальні. Призначені для застосування у схемах множення частоти та частотної модуляції. Основні технічні параметри варикапу КВ106А: • Сд min - Загальна місткість мінімальна: 20 пФ при Uобр 4 В; • Сд max – Загальна ємність максимальна: 50 пФ при Uобр 4 В; • Qв – Добротність варикапа: 40; • Iобр - Постійний зворотний струм: 20 мкА при Uобр 120 В; • Uo6p - Постійна зворотна напруга: 120 В; • Pnp - Пряма потужність, що розсіюється: 7 Вт; • Токр – Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С. | 6.5 | — | — | — | Гвинт | КД-11 | — | — | — | — | — | — | 7Вт | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Діод КД521А
#16199
|
28445 | СНГ | 41 шт |
1 грн.
|
|
Основні технічні характеристики діода КД521А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 75 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 50 мА; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 1 мкА при Uoбp 75 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 0,004 мкс; • Сд - Загальна ємність: 4 пФ. | 0.2 | — | — | — | DIP | КД-2 | 75V | 50mA | 500mA | — | Імпульсний | — | — | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор 1Т403Б (=ГТ403Б)
#16886
|
29133 | СНГ | 41 шт |
25 грн.
|
|
Транзистор 1Т403Б германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. | 3 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 4Вт | 100шт. | 30В | 1,25А | — | 150 | — | — | — | — | ||||||||||
Діодний міст GBU610
#17055
|
29305 | SEP | 41 шт |
12 грн.
|
|
Діодний міст 1000V, 6A. | 3.7 | — | — | — | SMD | — | 1000V | 6A | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Діод 2Д213Г (=КД213Г)
#8885
|
22966 | СНГ | 40 шт |
25 грн.
|
|
Діод кремнієвий, дифузійний. Основні технічні характеристики діода 2Д213Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 100 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 100 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,2 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 200 мкА при Uoбp 100 В; • tвoc обр - час зворотного відновлення: 0,3 мкс; • Сд - Загальна ємність: 550 пФ при Uoбр 100 В. | 4 | — | — | — | DIP | КД-23 | 100V | 10A | — | — | Випрямний | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||||
Мікросхема A40MX04-PL44
#9867
|
21646 | ACTEL | 40 шт |
985 грн.
|
|
FPGA - Програмована вентильна матриця MX | 3 | PLCC44 | — | — | SMD | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | 27шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 22447 | СНГ | 40 шт |
240 грн.
|
|
Вирішальний пристрій для амплітудно-часової селекції вхідних сигналів. | 3.7 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23356 | Taychipst | 40 шт |
3 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | — | — | — | — | Захисний | — | 600Вт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | 8.2V | — | ||||||||||||
Діодний блок КЦ401А
#11630
|
23860 | СНГ | 40 шт |
12 грн.
|
|
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів, з'єднаних за схемою подвоювача напруги. | 75 | — | — | — | DIP | — | 500V | 400mA | — | — | Випрямний | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | складання | ||||||||||
| 24028 | СНГ | 40 шт |
480 грн.
|
|
Токовий ключ для формування на опорах навантаження, підключених до виходів, імпульсів струму, при вступі на входи, що управляють, імпульсів напруги. | 3.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 24030 | СНГ | 40 шт |
984 грн.
|
|
Призначена, спільно із зовнішніми елементами, для перетворення біполярного квазитроїчного сигналу в коді НДВ-3 або АМІ в уніполярний двійковий цифровий сигнал прийому і зворотного перетворення на передачі. | 7.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефонія | — | — | — | 16шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 24031 | СНГ | 40 шт |
324 грн.
|
|
Призначення - перетворення синусоїдального сигналу на послідовність прямокутних імпульсів. | 5.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефонія | — | — | — | 32шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема К599ЛД1
#14355
|
26566 | СНГ | 40 шт |
10 грн.
|
|
Два розширювача по АБО (4АБО)2. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П201Е
#16183
|
28457 | СНГ | 40 шт |
15 грн.
|
|
Характеристики транзистора П201Е: Структура PNP Uк-е.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постійний) 1.5А Iб.макс. (постійний) 0,75А Pк.макс. (без тепловідведення) 1,0Вт Pк.макс. (з тепловідведенням) 10Вт Потужність, що перемикається, макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC трохи більше 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC трохи більше 0,2-3,5мА h21е 40..100 fгр. 100КГц Uб-е. нас 0,5-2,0В Uк-е. нас 0,5-2,5В Температурний діапазон -55...+70°C. | 10 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 10Вт | 50шт. | 30В | 1.5А | 0,1МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||||
Транзистор П605
#16946
|
29193 | СНГ | 40 шт |
15 грн.
|
|
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 30 МГц. | 9.2 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 3Вт | 50шт. | 40В | 1.5А | 30МГц | 60 | — | — | — | — | ||||||||||
Діодний міст DB157S
#3391
|
22491 | SEP | 39 шт |
3 грн.
|
|
0.5 | — | — | — | SMD | DBS | 1000V | 1.5A | — | — | Діодний міст | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 20963 | First | 39 шт |
10 грн.
|
|
2.5 | — | — | — | DIP | TO-220 | 100V | 10A | — | — | Шотки | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | подвійний загальний катод | ||||||||||||
Діод DMV32
#4301
|
20968 | ST MICROELECTRONICS | 39 шт |
25 грн.
|
|
1.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 1500V | 6A | — | — | Демпферний | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | 2 послідовні діоди | |||||||||||
Транзистор TIP112
#6652
|
22462 | SAMSUNG | 39 шт |
11 грн.
|
|
2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 50Вт | 50шт. | 100В | 2А | — | 1000 | — | — | — | — | |||||||||||
| 21929 | СНГ | 39 шт |
10 грн.
|
|
Основні технічні параметри мікросхеми КР142ЕН5Б: • Вихідна напруга: 6±0,12 В; • Вихідний струм: 2 А; • Вхідна напруга: 15 В; • Нестабільність струму: 1,33 %/А; • Нестабільність за напругою: 0,05%/В; • Діапазон робочих температур: -45...+70°С. | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 21353 | СНГ | 39 шт |
100 грн.
|
|
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в перемикаючих пристроях, перетворювачів постійної напруги, високовольтних стабілізаторів. Транзистор 2Т826А випускається у металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Транзистор 2Т826А випускається у вигляді кристалів нерозділених з контактні майданчики на пластині для гібридних інтегральних мікросхем. Тип приладу вказується на етикетці. Маса транзистора в металевому корпусі трохи більше 20 р, кристала трохи більше 0,01 р. Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3). Технічні умови: аА0.339.058 ТУ. | 14 | — | kt-9 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 15Вт | 40шт. | 700В | 1А | 6МГц | 10 | — | — | — | — | |||||||||||
Транзистор 2SC2654
#10471
|
22496 | NEC | 39 шт |
9,50 грн.
|
|
2.5 | — | TO220 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 40Вт | 50шт. | 100В | 7А | — | 320 | — | — | — | — | |||||||||||
Сімістор BT132-600D (132-6D)
#10491
|
22536 | NXP | 39 шт |
5 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | DIP | TO-92 | 600V | 1A | — | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
| 23476 | ST MICROELECTRONICS | 39 шт |
5 грн.
|
|
Стабілізатор -8V/0.1A | 0.3 | TO-92 | — | — | DIP | — | — | — | — | живлення | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема 24LC01B-I/SN
#12756
|
25112 | MICROHCHIP | 39 шт |
11 грн.
|
|
0.4 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||
Мікросхема КС500ТМ133
#13583
|
25729 | СНГ | 39 шт |
6 грн.
|
|
4 D-летча | 1.5 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КМ500ЛМ105
#13585
|
25732 | СНГ | 39 шт |
8 грн.
|
|
Мікросхема є 3 логічних елементи АБО-НЕ/АБО. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Мікросхема КР1407УД3
#13720
|
25888 | СНГ | 39 шт |
10 грн.
|
|
Мікросхеми КР1407УД3 являють собою малошумний широкосмуговий операційний підсилювач з регульованим струмом управління і застосовуються як відеопідсилювачі, чутливі передпідсилювачі фоторезисторів. Оптимізовані до роботи з джерелом сигналів від 100 Ом до 10 кОм. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Стабілітрон КС510А
#16629
|
28867 | СНГ | 39 шт |
6 грн.
|
|
Стабілітрони КС510А кремнієві, планарні, середньої потужності. Призначені для стабілізації номінальної напруги 10 В діапазоні струмів стабілізації 1...79 мА. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 10V | kd-8 | — | — |
