Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Iпр. імп. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Напруга пробою Конструкція діода
22071 СНГ 25 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Логічний елемент 8І-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
22006 СНГ 25 шт
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Підсилювач ПЧ 1.2 DIP16 DIP Підсилювачі 90шт.
22282 СНГ 25 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Кодек передавального та приймального каналів систем телефонного зв'язку з імпульсно-кодовою модуляцією. 1.5 DIP16 DIP Інтерфейси 100шт.
21354 СНГ 25 шт
100 грн.
10+95 грн.
50+90 грн.
100+80 грн.
Транзистор кремнієвий мезапланарний структури npn перемикач. Призначений для застосування в перемикаючих пристроях, перетворювачів постійної напруги, високовольтних стабілізаторів. Транзистор 2Т826Б випускається у металевому корпусі зі скляними ізоляторами та жорсткими висновками. Тип пристрою вказується на корпусі. Транзистор 2Т826Б випускається у вигляді кристалів нерозділених з контактні майданчики на пластині для гібридних інтегральних мікросхем. Тип приладу вказується на етикетці. Маса транзистора в металевому корпусі трохи більше 20 р, кристала трохи більше 0,01 р. Тип корпусу: КТ-9 (ТО-3). Технічні умови: аА0.339.058 ТУ. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN 15Вт 40шт. 700В 6МГц 10
25960 СНГ 25 шт
45 грн.
50+40,50 грн.
200+36 грн.
500+31,50 грн.
Діоди 2Д203Д кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 5 кГц. Основні технічні характеристики діода 2Д203Д: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 700 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 1000 В. 13 Гвинт 700V 10A Випрямний 25шт. одиночний
28439 СНГ 25 шт
15 грн.
Uобр(max) Максимальна зворотна напруга 80В Pmax Максимальна потужність, що розсіюється 5Вт t Cном. Загальна ємність 18..32пФ f=1..10МГц Uобр=4В Kc Коефіцієнт перекриття по ємності ~3,3 при Uобр=4В/50В f=1..10МГц Qв Добротність >50 f=50МГц Uобр=4В. 6.5 Гвинт КД-11 7Вт 10 шт.
29360 СНГ 25 шт
300 грн.
10+270 грн.
50+240 грн.
22 Охолоджувач 600V 50A
21902 СНГ 24 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Логічний елемент 4-2-3-2І-4АБО-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
21968 СНГ 24 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Двійковий лічильник із пристроєм управління (календар). 1.1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
22714 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 24 шт
8 грн.
10+7,20 грн.
50+6,40 грн.
0.4 DIP6 DIP 50шт.
20348 TEXAS INSTRUMENTS 24 шт
74 грн.
10+70,30 грн.
50+66,60 грн.
100+59,20 грн.
0.7 SO16 SMD живлення 100шт.
21900 СНГ 24 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Здвоєний компаратор напруги. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
20363 ADVANCED POWER ELECTRONICS 24 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
завантажити datasheet AP9962AGH pdf,146 КБ 0.47 TO252 Польовий SMD МОП n-канальний 40В 32А 27.8Вт 3000шт.
22317 TEXAS INSTRUMENTS 24 шт
22 грн.
10+20,90 грн.
50+19,80 грн.
100+17,60 грн.
Buffers & Line Drivers Octal Inv Buff/Line Drv W/3-St Otpt. 2 DIP20 Логіка 20шт.
23037 СНГ 24 шт
17 грн.
10+16,15 грн.
50+15,30 грн.
100+13,60 грн.
Транзистор ГТ403Б германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 30В 1,25А 150
23073 ON SEMICONDUCTOR 24 шт
5,50 грн.
50+4,95 грн.
100+4,40 грн.
250+4,12 грн.
1 DIP 5Вт 500шт. 6V8 do201
23362 Taychipst 24 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
30+2,70 грн.
50+2,40 грн.
0.4 DIP DO-15 Захисний 600Вт 1000шт. 13V
26109 СНГ 24 шт
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ826А: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 15 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 6 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 700 В (0,01кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 1 А; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 10...120; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 25 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 5 Ом. 14 kt-9 Біполярний DIP NPN 15Вт 40шт. 700В 6МГц 10
29186 ST MICROELECTRONICS 24 шт
25 грн.
10+22,50 грн.
50+20 грн.
2.8 DIP TO-220 600V 20A 50шт.
29321 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 24 шт
32 грн.
10+30,40 грн.
50+28,80 грн.
100+25,60 грн.
1.5 D2PAK Польовий SMD МОП n-канальний 150В 16.4А 108 Вт 50шт.
29362 СНГ 24 шт
35 грн.
50+31,50 грн.
200+28 грн.
500+24,50 грн.
Основні технічні характеристики діода КД203Б: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 560 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 10 А; • Iобр - Постійний зворотний струм: не більше 1500 мкА при Uoбр 800 В. 12 Гвинт 560V 10A 15A Випрямний 25шт. одиночний
29399 VISHAY 24 шт
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
0.43 PowerPAKSO-8L Польовий SMD МОП р-канальний 60В 36А 68Вт 3000шт.
22002 СНГ 23 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Мікросхеми К157УП1Б є двоканальними мікрофонними підсилювачами з двоканальними попередніми підсилювачами запису. Забезпечують посилення сигналів від 160 мкВ і 10 мВ, що підводяться відповідно до мікрофонного входу та входу попереднього підсилювача запису, до стандартного рівня лінійного виходу мікрофона, що дорівнює 250 мВ. Висока перевантажувальна здатність (по мікрофонному входу більше 36 дБ та входу попереднього підсилювача запису 16 дБ) дозволяє використовувати ІС в низькочастотних трактах з автоматичним регулюванням посилення (АРУ). Відмінність ІВ К157УП1 від К157УП2 полягає в тому, що перша вимагає застосування регулюючих елементів АРУ з позитивною керованою напругою, а друга - з негативною. Містять 63 інтегральні елементи. 1 DIP14 DIP Підсилювачі 100шт.
22720 VISHAY 23 шт
17 грн.
10+15,30 грн.
50+13,60 грн.
0.4 DIP6 DIP 50шт.
20978 ST MICROELECTRONICS 23 шт
40 грн.
100+36 грн.
200+32 грн.
500+28 грн.
2.9 DIP TO-220F 300V 2x10A Швидкий 50шт. подвійний загальний катод
24923 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR 23 шт
112 грн.
10+106,40 грн.
50+100,80 грн.
100+89,60 грн.
6.5 TO247 IGBT DIP 428Вт 30шт. 650В 60А
25162 TEXAS INSTRUMENTS 23 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
0.4 SO14 SMD Підсилювачі 1000шт.
26673 SANYO 23 шт
31 грн.
10+29,45 грн.
50+27,90 грн.
100+24,80 грн.
2 HSIP7 DIP TV 25шт.
26684 СНГ 23 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистори ГТ320А германієві дифузійно-сплавні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в підсилювачах високої частоти та пристроях, що перемикають. 1.8 КТЮ-3-6 Біполярний DIP PNP 200мВт 100шт. 12В 150мА 80МГц 80
22281 СНГ 22 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Дві комбіновані логічні схеми 4І-2АБО з одним прямим та одним інверсним виходами. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.