Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Iпр. імп. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
Транзистор IPP05CN10N
#6759
|
20349 | INFINEON TECHNOLOGIES | 3 шт |
120 грн.
|
|
скачати datasheet IPP05CN10N pdf,800 КБ | 2.8 | — | TO220 | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 100В | 100А | 300Вт | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор ГТ308В
#6850
|
25668 | СНГ | 3 шт |
12 грн.
|
|
Транзистори ГТ308В германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. Основні технічні характеристики транзистора ГТ308В: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 80...150 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 8 дБ (1,6 МГц); • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 50мА | 120МГц | 150 | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К561ЛЕ10А
#8387
|
21919 | СНГ | 3 шт |
10 грн.
|
|
Три тривхідні елементи АБО-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР1401УД4
#8408
|
22137 | СНГ | 3 шт |
25 грн.
|
|
Чотирьох операційний підсилювач з польовими транзисторами на вході, середньої точності і призначений для побудови підсилювачів постійного та змінного струмів, перетворювачів, функціональних генераторів, активних фільтрів, схем вибірки, підсилювачів-узгоджувачів з високочастотними датчиками. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 21432 | СНГ | 3 шт |
10 грн.
|
|
Чотири елементи І-НЕ із відкритим колектором. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 21895 | СНГ | 3 шт |
10 грн.
|
|
Магістральний приймач | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КР1816ВЕ35
#10176
|
22067 | СНГ | 3 шт |
28 грн.
|
|
Однокристальна 8-розрядна мікро-ЕОМ без ПЗП і призначена для обробки цифрової обробки інформації в обчислювальній техніці. | 7 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К217ЛБ2Б
#10392
|
22401 | СНГ | 3 шт |
10 грн.
|
|
2 логічні елементи 3І-НЕ. | 1.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема PCF80C552-5-16H
#10436
|
22448 | PHILIPS | 3 шт |
504 грн.
|
|
1.5 | QFP80 | — | — | SMD | — | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | — | 80шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 22839 | СНГ | 3 шт |
95 грн.
|
|
Восьмирозрядний мікропроцесор ДУ. | 5.7 | DIP40 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон 1N5372B(62V)
#11078
|
23094 | SEMIKRON | 3 шт |
7,30 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 500шт. | — | — | — | — | 62V | do201 | — | |||||||||
Мікросхема SN74LS30N
#11380
|
23491 | TEXAS INSTRUMENTS | 3 шт |
19 грн.
|
|
1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 23912 | СНГ | 3 шт |
260 грн.
|
ТБ250-9 Тиристор швидкодіючий таблеткового виконання. Призначений для роботи в статичних перетворювачах електроенергії, в силових установках постійного та змінного струму, в яких потрібен малий час вимкнення та включення, а також високі критичні швидкості наростання напруги у закритому стані та струму у відкритому стані. Випускається у металокерамічному корпусі для двостороннього охолодження. Максимально допустимий діючий струм - 250 А Повторювана імпульсна напруга в закритому стані і імпульсна зворотна напруга, що повторюється, - 900 В Охолодження повітря природне або примусове. Позначення типономіналу наводиться на корпусі або спеціальної бирці. Габаритні розміри: - Діаметр - 58 мм - Висота - 24 мм. | 150 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 24039 | СНГ | 3 шт |
80 грн.
|
|
Призначення – диференціальна система для апаратури цифрової системи ІКМ-30-4. | 16 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Телефонія | — | — | — | — | — | 6шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Діод Д101А Au
#11889
|
24142 | СНГ | 3 шт |
10 грн.
|
|
Діоди кремнієві Д101А, точкові, універсальні. Призначені для роботи у відеоканалах телевізорів, системах АРУ та дискримінаторах ЧС та AM приймачів. | 0.4 | — | — | — | DIP | D104 | 75V | 30mA | — | — | Високочастотний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема TB1251CN
#12651
|
25006 | TOSHIBA | 3 шт |
186 грн.
|
|
5.7 | SDIP-56 | — | — | DIP | — | — | — | — | TV | — | — | — | — | — | 10 шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КР186ІР4
#13595
|
25747 | СНГ | 3 шт |
10 грн.
|
|
64-розрядний квазістатичний послідовний регістр зсуву. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Тиристор КУ201Б
#13689
|
25848 | СНГ | 3 шт |
10 грн.
|
• Максимальна постійна зворотна напруга: 25 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 25 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 2 А; • Напруга у відкритому стані: 2 В; • Постійний струм у закритому стані: не більше 5 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 5 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 100 мА; • Постійна напруга управління, що відмикає: не більше 6 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 5 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 10 мкс; • Час вимкнення: не більше 100 мкс; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 11 | — | — | — | Гвинт | — | 25V | — | 30A | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Тиристор КУ101Б
#13696
|
25856 | СНГ | 3 шт |
9 грн.
|
Тиристори кремнієві КУ101Б, дифузійно-сплавні, p-типу, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи. Основні технічні параметри тиристора КУ101Б: • Максимальна постійна зворотна напруга: 50 В; • Максимальна постійна напруга у закритому стані: 50 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 1 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 0,075 А; • Напруга у відкритому стані: не більше 2,5 В; • Постійний струм у закритому стані: не менше 0,15 мА; • Постійний зворотний струм: трохи більше 0,15 мА; • Постійний струм управління, що відмикає: не більше 12 мА; • Постійна напруга управління, що відпирає: 1,5...8 В; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 100 В/мкс; • Час увімкнення: 2 мкс; • Час вимкнення: 35 мкс. | 1.8 | — | — | — | DIP | — | 50V | — | 1A | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Симистор BTA06-600B
#14052
|
26231 | ST MICROELECTRONICS | 3 шт |
12 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | 600V | 6A | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Діодний міст КЦ405Г
#14127
|
26308 | СНГ | 3 шт |
7 грн.
|
Основні технічні характеристики діода КЦ405Г: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 300 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 300 В. | 5.2 | — | — | — | DIP | — | 300V | 1A | — | — | Діодний міст | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 26319 | СНГ | 3 шт |
12 грн.
|
|
Чотирьохканальний МОП-комутатор зі схемою керування для перемикання струмів до 5мА. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Оптопара АОТ101ГС
#14623
|
26839 | СНГ | 3 шт |
20 грн.
|
|
Застосовуються для електронної комутації однополярного струму з гальванічною прив`язкою між входом та виходом. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К548УН1В
#16038
|
28275 | СНГ | 3 шт |
10 грн.
|
|
Двоканальний малошумливий підсилювач для попереднього посилення сигналів частотою до 1 МГц для застосування у високоякісній стереофонічній побутовій та студійній апаратурі запису та відтворення звуку, а також для використання у вимірювальній апаратурі (аналізатори спектру, вимірювачі нелінійних спотворень, широкополоcні підсилювачі). Підсилювач має вбудований стабілізатор напруги, внутрішню частотну корекцію, захист від короткого замикання. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діод лавинний ДЛ112-25-10
#16201
|
28447 | СНГ | 3 шт |
80 грн.
|
|
6 | — | — | — | Охолоджувач | — | 1000V | 25A | — | — | Лавинний | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабілітрон 2С447А
#16530
|
28778 | СНГ | 3 шт |
12 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона 2С447А: • Номінальна напруга стабілізації: 4,7 при Iст 43 мА; • Розкид напруги стабілізації: 4,23...5,17 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,08%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Іст 30 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 190 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 4V7 | kd-8 | — | ||||||||
Стабілітрон 2С433А
#16532
|
28780 | СНГ | 3 шт |
14 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона 2С433А: • Номінальна напруга стабілізації: 3,3 при Iст 60 мА; • Розкид напруги стабілізації: 2,97...3,63 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,1...0%/°З; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрона: 14 Ом при Іст 30 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 229 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+100 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 3V3 | kd-8 | — | ||||||||
Транзистор КТ840Б
#16613
|
28851 | СНГ | 3 шт |
30 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора КТ840Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 60 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 8 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 750 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 6 А; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 3 мА (750В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 10; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,75 Ом. | 17.5 | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 60Вт | 40шт. | 350В | 6А | 8МГц | 10 | — | — | — | ||||||||
Транзистор 1Т403И (=ГТ403И)
#16924
|
29171 | СНГ | 3 шт |
25 грн.
|
|
Транзистор 1Т403И германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. | 3 | — | — | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 60В | 1,25А | — | 30 | — | — | — | ||||||||
Симистор BTA26-800B
#16940
|
29187 | ST MICROELECTRONICS | 3 шт |
55 грн.
|
|
7 | — | — | — | DIP | TO-3P | 800V | 25A | — | — | — | — | — | — | — | 30шт. | — | — | — | — | — | — | — |
