Радіокомпоненти активні

Результатів: 8086

MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Тип корпусу Uзв. max, В Iпр. max. Призначення Тип діода Структура Напруга сток-витік Струм стоку Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму Напруга стабілізації Тип корпусу стабілітрона Конструкція діода
25870 СНГ 4 шт
5 грн.
50+4,50 грн.
200+4 грн.
500+3,50 грн.
Діоди МД217 кремнієві, дифузійні. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими висновками. Основні технічні характеристики діода МД217: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 800 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 100 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1 В при Inp 100 мА; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбр 800 В. 1 DIP КД-9 800V 100mA Випрямний 100шт. одиночний
25874 СНГ 4 шт
30 грн.
Блок із кремнієвих, дифузійних діодів. Основні технічні характеристики діода КЦ402А: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 5 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 125 мкА при Uoбp 600 В. 5.7 DIP 600V 1A Діодний міст 100шт.
25906 СНГ 4 шт
38 грн.
10+36,10 грн.
50+34,20 грн.
100+30,40 грн.
Транзистори П701А кремнієві сплавно-дифузійні структури підсилювальні npn низькочастотні. Призначені для застосування в підсилювачах та генераторах радіоелектронних пристроїв. 10 Біполярний DIP NPN 10Вт 20шт. 60В 500мА 20МГц 60
26027 PHILIPS 4 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
1 DIP14 DIP Логіка 25шт.
26103 СНГ 4 шт
25 грн.
Тиристори кремнієві КУ202Л планарно-дифузійні, структури pnpn, тріодні, незапірні. Призначені для застосування як перемикаючі елементи пристроїв комутації напруги малими керуючими сигналами. Випускаються в металоскляному корпусі із жорсткими висновками. 11 Гвинт 300V 10A 40шт.
26510 СНГ 4 шт
12 грн.
Основні технічні параметри тиристора КУ228А: • імпульсна напруга, Що Повторюється, в закритому стані: 100 В; • Максимальний імпульсний струм, що повторюється, у відкритому стані: 30 А; • Середній імпульсний струм у відкритому стані: 10 А; • імпульсний струм, що повторюється, в закритому стані: не більше 2 мА; • Швидкість наростання напруги у закритому стані: 20 В/мкс; • Час увімкнення: не більше 2 мкс; • Час вимкнення: не більше 40 мкс. 2.5 DIP TO-220 100V 10A 100шт.
28487 СНГ 4 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Мультиплексор 8 в 1 зі стробом. 1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
28869 СНГ 4 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
250+2,25 грн.
Стабілітрони Д809 кремнієві, сплавні, середньої потужності. Призначені для стабілізації напруги 8,0-9,5 В діапазоні струмів стабілізації 3...29 мА. 0.8 DIP 300мВт 100шт. 9V kd-8
29488 СНГ 4 шт
10 грн.
50+9 грн.
200+8 грн.
500+7 грн.
Основні технічні характеристики діода КД204В: • Uoбp і max - Максимальна імпульсна зворотна напруга: 50 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 1000 мА; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 50 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр – Час зворотного відновлення: 1,5 мкс. 5 Гвинт КД-11 50V 1A Випрямний 50шт. одиночний
21969 СНГ 3 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Синхронний чотирирозрядний реверсивний лічильник. 1 DIP16 DIP Логіка 90шт.
24932 СНГ 3 шт
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
3 тривходових елементи АБО-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
22145 СНГ 3 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Три тривхідні елементи І-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
21963 СНГ 3 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Мікросхема К174АФ1А призначена для синхронізації та формування імпульсів малої розгортки в телевізійних приймачах чорно-білого та кольорового зображення. Основне функціональне призначення, амплітудна селекція хронуючого імпульсу, генерування імпульсів малої частоти, автоматичне підстроювання частоти і фази, формування задають імпульсів малої розгортки. 1.3 DIP16 DIP TV 90шт.
21344 СНГ 3 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Мікросхеми К155ТМ5 є 4 D-тригера. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.
22882 DIODES INCORPORATED 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
500+8,40 грн.
0.2 SOT23 Біполярний SMD NPN 1.3Вт 3000шт. 65В 500
22884 ATMEL 3 шт
396 грн.
10+376,20 грн.
50+356,40 грн.
100+316,80 грн.
1.3 TQFP64 SMD Мікроконтролери 66шт.
22923 PANASONIC SEMICONDUCTOR 3 шт
36 грн.
10+34,20 грн.
50+32,40 грн.
100+28,80 грн.
2.8 TO-220-7 DIP TV 50шт.
22935 BROADCOM 3 шт
432 грн.
10+410,40 грн.
50+388,80 грн.
100+345,60 грн.
5 BGA SMD Ethernet 40шт.
20070 3 шт
114 грн.
10+108,30 грн.
50+102,60 грн.
100+91,20 грн.
QFN28
20047 ATHEROS 3 шт
156 грн.
10+148,20 грн.
50+140,40 грн.
100+124,80 грн.
Мікросхема AR2315A-001. 0.6 BGA SMD Ethernet 112шт.
20099 3 шт
168 грн.
10+159,60 грн.
50+151,20 грн.
100+134,40 грн.
22860 TEXAS INSTRUMENTS 3 шт
377 грн.
10+358,15 грн.
50+339,30 грн.
100+301,60 грн.
TV процесор AKAI CT-1407/2107D,DT 3.5 DIP40 DIP Процесори 20шт.
20051 RICHTEK 3 шт
34 грн.
10+32,30 грн.
50+30,60 грн.
100+27,20 грн.
0.5 SO16 SMD живлення 1000шт.
20317 3 шт
65 грн.
10+61,75 грн.
50+58,50 грн.
100+52 грн.
20335 3 шт
98 грн.
10+93,10 грн.
50+88,20 грн.
100+78,40 грн.
22348 СНГ 3 шт
20 грн.
10+18 грн.
50+16 грн.
Застосовуються для електронної комутації однополярного струму з гальванічною прив'язкою між входом та виходом. 0.5 DIP8 DIP 200шт.
20349 INFINEON TECHNOLOGIES 3 шт
120 грн.
10+114 грн.
50+108 грн.
100+96 грн.
скачати datasheet IPP05CN10N pdf,800 КБ 2.8 TO220 Польовий DIP МОП n-канальний 100В 100А 300Вт 50шт.
25668 СНГ 3 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзистори ГТ308В германієві дифузійно-сплавні структури pnp універсальні. Призначені для використання в автогенераторах, підсилювачах потужності, імпульсних пристроях. Основні технічні характеристики транзистора ГТ308В: • Структура: pnp • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 150 мВт; • Fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схем із загальним емітером та загальною базою: не менше 120 МГц; • Uкбо - Пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо - Пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 3 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 50 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 5 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 80...150 (1В; 10мА); • Ск - Ємність колекторного переходу: трохи більше 8 (5В); • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 24 Ом; • Кш - Коефіцієнт шуму транзистора: трохи більше 8 дБ (1,6 МГц); • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті: не більше 400 пс. 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 50мА 120МГц 150
BOX-0 3 шт
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
21919 СНГ 3 шт
9 грн.
10+8,55 грн.
50+8,10 грн.
100+7,20 грн.
Три тривхідні елементи АБО-НЕ. 1 DIP14 DIP Логіка 100шт.