Радіокомпоненти активні
- Діоди, мости
- Тиристори, симістори
- Стабілітрони
- Мікросхеми
- Транзистори
- Оптрони
- Супресори
- Датчики
- Варикапи
- Радіолампи
| MPN | Артикул | Бренд | На складі | Ціна | Знижки | Кількість | Опис | Вага г. | Тип корпусу | Тип корпусу транзистора | Тип транзистора | Тип монтажу | Тип корпусу | Uзв. max, В | Iпр. max. | Призначення | Тип діода | Структура | Напруга сток-витік | Струм стоку | Потужність | Заводська упаковка | Напруга колектор-емітер | Струм колектора | Частота | Коефіцієнт посилення струму | Напруга стабілізації | Тип корпусу стабілітрона | Конструкція діода |
|---|
Мікросхема КР531ИЕ17
#10137
|
21970 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Синхронний чотирирозрядний реверсивний лічильник. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К554СА4
#10155
|
22030 | СНГ | 2 шт |
25 грн.
|
|
Швидкодіючий компаратор напруги. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема КР1021ХА3
#10183
|
22214 | СНГ | 2 шт |
18 грн.
|
|
Мікросхема КР1021ХА3 представляє багатофункціональну схему обробки телевізійних сигналів в системах кодування SECAM/PAL (процесор). Перетворює сигнали системи SECAM (сигнали із черезрядковою передачею кольорів червоний, синій із частотною модуляцією) на сигнали системи PAL (сигнали із квадратурною модуляцією із зміною фази через рядок). | 4 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | TV | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема TDA2009A
#10479
|
22508 | ST MICROELECTRONICS | 2 шт |
36 грн.
|
|
5.3 | HZIP11 | — | — | DIP | — | — | — | Підсилювачі | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КП707В2 (=BUZ90)
#10738
|
22803 | СНГ | 2 шт |
52 грн.
|
|
2.5 | — | TO220 | Польовий | DIP | — | — | — | — | — | МОП n-канальний | 800В | 7А | 50Вт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор МП21Д
#10821
|
23017 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор МП21Д германієвий сплавний pnp перемикач низькочастотний малопотужний. Призначений для застосування у схемах перемикання. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 60В | 100мА | 0,7МГц | 200 | — | — | — | ||||||||
Мікросхема 249КН1А
#11335
|
23441 | СНГ | 2 шт |
120 грн.
|
|
Мікросхеми напівпровідникові оптоелектронні 249КН1А, що складаються з оптопарів та керованих ними транзисторних переривників. | 1.3 | — | — | — | DIP | — | — | — | Ключі | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ209К
#11443
|
23571 | СНГ | 2 шт |
4 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 350мВт | 1000шт. | 45В | 350мА | — | 160 | — | — | — | |||||||||
Кенотрон ВІ1-15/32
#11644
|
23874 | СНГ | 2 шт |
320 грн.
|
|
Високовольтний імпульсний кенотрон. ВІ1-15/32 призначений для роботи в імпульсних схемах як зарядний елемент. Охолодження анода природне. Катод оксидний, непрямого розжарення. Оформлення скляне. | 180 | — | — | — | Затискач | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1 шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 24026 | СНГ | 2 шт |
280 грн.
|
|
Мікрозбірка призначена для корекції спотворень, що вносяться кабелем в тракт передачі систем зв'язку з модуляцією імпульсно-кодової. | 16 | — | — | — | DIP | — | — | — | Телефонія | — | — | — | — | — | 8шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема 218ЛН1
#11812
|
24042 | СНГ | 2 шт |
47 грн.
|
|
Логічний елемент НЕ. | 2.1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор 1Т321В (=ГТ321В)
#13543
|
25674 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзистори 1Т321В германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | ||||||||
Мікросхема TNY278GN
#13665
|
25832 | Power Integrations | 2 шт |
26 грн.
|
|
0.5 | SMD-8B | — | — | SMD | — | — | — | живлення | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор ГТ321В
#13711
|
25875 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Транзистори ГТ321В германієві конверсійні структури pnp перемикальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 50В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ352А
#13753
|
25921 | INTEGRAL | 2 шт |
5 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора КТ352А: • Структура транзистора: pnp; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 300 мВт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 20 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 200 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 1 мкА; • h21Е - Статичний коефіцієнт передачі струму для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу: 25...120; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 3 Ом. | 0.3 | — | TO92 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 300мВт | 500шт. | 15В | 200мА | 200МГц | 120 | — | — | — | ||||||||
Діод Д248Б
#13782
|
25961 | СНГ | 2 шт |
30 грн.
|
|
Діоди Д248Б кремнієві, дифузійні. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 1,1 кГц. Основні технічні характеристики діода Д248Б: • Uoбp max – Максимальна постійна зворотна напруга: 600 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 5 А; • fд – робоча частота діода: 1,1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,5 В при Inp 5 А; • Ioбр - Постійний зворотний струм: не більше 3000 мкА при Uoбр 600 В. | 12 | — | — | — | Гвинт | — | 600V | 5A | — | Випрямний | — | — | — | — | 25шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Діод КД206А
#14251
|
26450 | СНГ | 2 шт |
25 грн.
|
|
Діод КД206А кремнієвий, меза-дифузійний, лавинний, випрямляючий. Призначені для перетворення змінної напруги частотою 20 кГц. Основні технічні характеристики діода КД206А: • Uoбp max - Максимальна постійна зворотна напруга: 400 В; • Inp max – Максимальний прямий струм: 10 А; • fд – робоча частота діода: 1 кГц; • Unp - Постійна пряма напруга: не більше 1,2 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постійний зворотний струм: не більше 700 мкА при Uoбp 400 В; • tвoc обр - Час зворотного відновлення: 10 мкс. | 5.7 | — | — | — | Гвинт | КД-11 | 400V | 10A | — | Випрямний | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | одиночний | ||||||||
Мікросхема К176ИР4
#14315
|
26518 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
Мікросхема К176ИР4 є 64-розрядний послідовний регістр зсуву. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Мікросхема К561ПУ4А
#14319
|
26522 | СНГ | 2 шт |
5 грн.
|
|
Шість перетворювачів рівня. | 1.2 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логіка | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Діодний міст КЦ403Б
#14361
|
26573 | СНГ | 2 шт |
40 грн.
|
Складання двох однофазних діодних мостів. Призначена для випрямлення змінного струму частотою 5 кГц. | 11 | — | — | — | DIP | — | 500V | 1A | — | Діодний міст | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Діодний міст КЦ403В
#14362
|
26574 | СНГ | 2 шт |
30 грн.
|
Складання двох однофазних діодних мостів. Призначена для випрямлення змінного струму частотою 5 кГц. | 11 | — | — | — | DIP | — | 400V | 1A | — | Діодний міст | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Мікросхема КР505РЕ3 0085
#14440
|
26652 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
ПЗП (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | SO24 | — | — | SMD | — | — | — | Пам'ять | — | — | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Оптопара діодна ОД301А
#14619
|
26835 | СНГ | 2 шт |
25 грн.
|
|
ОД301А оптопара діодна диференціальна призначена для роботи як елементи гальванічної розв`язки при передачі аналогових сигналів частотою до 100 кГц. Вхідна напруга при силі вхідного струму 10 мА - трохи більше 1,5 У. Коефіцієнт передачі струму при силі вхідного струму 10 мА, вихідному зворотному напрузі 5 В: - для основної оптопари – не менше 1%; - для допоміжної оптопари – не менше 0,5%. Коефіцієнт неідентичності оптопари при силі вхідного струму від 4 мА до 20 мА, вихідному зворотному напрузі 5 - не більше 2%. Гранична частота при порозі зниження Ki рівня 0,7 - щонайменше 100 кГц. Опір ізоляції ОД301А при вимірюваній напрузі 500 - не менше 1 ГОм. Прохідна ємність – не більше 2 пФ. Вхідний постійний або середній струм при температурі навколишнього середовища: - не більше +70 ° С - 20 мА; - +85 ° С - 10 мА. Вхідний імпульсний струм ОД301А за тривалості імпульсу 100 мкс - 100 мА. Вхідна зворотна напруга – 3,5 В. Вихідна постійна зворотна напруга основної та допоміжної оптопарів ОД301А - 10 В. Вихідна імпульсна зворотна напруга при тривалості імпульсу 100 мкс основний та допоміжний оптопар - 20 В. Напруга ізоляції основної оптопари ОД301А – 500 В. Пікова напруга ізоляції оптопари при тривалості імпульсу 10 мс – 1000 В. Температура навколишнього повітря - від -60 ° С до +85 ° С. | 1.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ321Г
#16477
|
28726 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори КТ321Г кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 60 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ321Д
#16478
|
28727 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори КТ321Д кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 120 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ321Е
#16479
|
28728 | СНГ | 2 шт |
6 грн.
|
|
Транзистори КТ321Е кремнієві, епітаксійно-планарні структури pnp імпульсні. Призначені для застосування в імпульсних підсилювачах та пристроях, що перемикають. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 210мВт | 100шт. | 40В | 200мА | 60МГц | 200 | — | — | — | ||||||||
Стабілітрон Д818Б
#16527
|
28775 | СНГ | 2 шт |
4 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона Д818Б: - Номінальна напруга стабілізації: 9 В при Іст 10 мА; - розкид напруги стабілізації: 7,2-9 В; - Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: -0,020-0%/°С; - тимчасова нестабільність напруги стабілізації: ± 0,13 %; - диференціальний опір стабілітрону: 18 Ом при Iст 10 мА; - мінімально допустимий струм стабілізації: 3 мА; - максимально допустимий струм стабілізації: 33 мА; - Максимально-допустима розсіювана потужність на стабілітроні: 0,3 Вт; - Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60-125 °С | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 300мВт | 200шт. | — | — | — | — | 9V | kd-8 | — | ||||||||
Стабілітрон 2С518А
#16533
|
28781 | СНГ | 2 шт |
12 грн.
|
|
Основні технічні параметри стабілітрона 2С518А: • Номінальна напруга стабілізації: 18 В при Іст 5 мА; • Розкид напруги стабілізації: 16,2...19,8 В; • Температурний коефіцієнт напруги стабілізації: 0,1%/°; • Тимчасова нестабільність напруги стабілізації стабілітрона: ±1,5 %; • Диференціальний опір стабілітрону: 200 Ом при Іст 1 мА; • Мінімально допустимий струм стабілізації: 1 мА; • Максимально допустимий струм стабілізації: 45 мА; • Максимально-допустима потужність, що розсіюється, на стабілітроні: 1 Вт; • Робочий інтервал температури навколишнього середовища: -60...+125 °С. | 0.8 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 18V | kd-8 | — | ||||||||
Транзистор КТ825Г
#17110
|
29359 | СНГ | 2 шт |
240 грн.
|
|
Основні технічні характеристики транзистора КТ825Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням: 125 Вт; • fгр - Гранична частота коефіцієнта передачі струму 4 МГц; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера і розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Ік max - Максимально допустимий постійний струм колектора: 20 А; • Ік і max - максимальний допустимий h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 750...18000; • Ск - Ємність колекторного переходу: не більше 600 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,4 Ом. | 16 | — | TO3 | Біполярний | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 125Вт | 10 шт. | 90В | 40А | — | 18000 | — | — | — | ||||||||
Мікросхема STM32L431CCU6TR
#17115
|
29364 | ST MICROELECTRONICS | 2 шт |
140 грн.
|
|
0.39 | UFQFN-48 | — | — | SMD | — | — | — | Мікроконтролери | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — |
