Транзистори

Результатів: 3670

Параметри фільтра: |
Фільтри
MPN Артикул Бренд На складі Ціна Знижки Кількість Опис Вага г. Тип корпусу транзистора Тип транзистора Тип монтажу Структура Потужність Заводська упаковка Напруга колектор-емітер Струм колектора Частота Коефіцієнт посилення струму
28765 СНГ
200 грн.
10+190 грн.
50+180 грн.
100+160 грн.
Транзистори КТ834А кремнієві мезапланарні структури npn складові підсилювальні. Призначені для застосування в регуляторах струму і напруги, у пристроях, що перемикають. 15 TO3 Біполярний DIP NPN 100Вт 20шт. 450В 20А 4МГц 3000
28766 СНГ
70 грн.
10+66,50 грн.
50+63 грн.
100+56 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т812Б: • Структура транзистора: npn; • Рк т max - Постійна потужність колектора, що розсіюється, з тепловідведенням: 50 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 3 МГц; • Uкеr max - Максимальна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому опорі в ланцюзі база-емітер: 300 В (0,1кОм); • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 7 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 8 А; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 12 А; • Iкеr - Зворотний струм колектор-емітер при заданих зворотній напрузі колектор-емітер та опорі в ланцюзі база-емітер: 5 мА (700В); • h21е – статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: більше 4; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 0,3 Ом. 15 TO3 Біполярний DIP NPN 50Вт 40шт. 300В 10А 3МГц
28784 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора КТ602А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,85 Вт; • Рк і max - Максимально допустима імпульсна потужність колектора, що розсіюється: 2,8 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 150 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 120 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 5 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 75 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 500 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 70 мкА; • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 20...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 4 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 4 Ом; • tк – постійна часу ланцюга зворотного зв`язку на високій частоті: не більше 300 пс. 3 КТЮ-3-9 Біполярний DIP NPN 2.8Вт 100шт. 100В 500мА 150МГц 80
28866 СНГ
15 грн.
10+14,25 грн.
50+13,50 грн.
100+12 грн.
Транзистор КТ816Г кремнієвий мезаепітаксіально-планарний структури pnp підсилювальний. 0.7 TO126 Біполярний DIP PNP 25Вт 200шт. 100В 3МГц 25
29134 СНГ
14 грн.
10+13,30 грн.
50+12,60 грн.
100+11,20 грн.
Біполярний германієвий транзистор 1Т311Д, npn, малої потужності, надвисокої частоти. 1.2 Біполярний DIP NPN 150мВт 100шт. 12В 50мА 300МГц 180
29138 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистори 2Т608Б кремнієві епітаксійно-планарні структури npn перемикальні. Призначені для застосування у швидкодіючих імпульсних та високочастотних пристроях. 1.5 КТЮ-3-6 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 160
29139 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Основні технічні характеристики транзистора 2Т608А: • Структура транзистора: npn; • Рк max - Постійна потужність колектора, що розсіюється: 0,5 Вт; • fгр – межова частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми із загальним емітером: не менше 200 МГц; • Uкбо max - Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера: 60 В; • Uебо max - Максимальна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора: 4 В; • Iк max – максимально допустимий постійний струм колектора: 400 мА; • Iк і max – Максимально допустимий імпульсний струм колектора: 800 мА; • Iкбо – Зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера: не більше 10 мкА (60В); • h21е - Статичний коефіцієнт передачі струму транзистора для схем із загальним емітером: 25...80; • Ск - Місткість колекторного переходу: не більше 15 пФ; • Rке нас - Опір насичення між колектором та емітером: не більше 2,5 Ом 1.8 КТЮ-3-3 Біполярний DIP NPN 500мВт 100шт. 60В 400мА 200МГц 80
29172 СНГ
25 грн.
10+23,75 грн.
50+22,50 грн.
100+20 грн.
Транзистор 1Т403Г германієвий сплавний структури pnp підсилювальний. Призначений для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах і стабілізаторах постійного струму. 3 Біполярний DIP PNP 4Вт 100шт. 45В 1,25А 150
29174 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистори П303А кремнієві сплавні структури pnp універсальні. Призначені для застосування в пристроях, що перемикають, вихідних каскадах підсилювачів низької частоти, перетворювачах постійної напруги. 9.2 Біполярний DIP PNP 10Вт 50шт. 65В 500мА 0,1МГц
29195 СНГ
20 грн.
10+19 грн.
50+18 грн.
100+16 грн.
Транзистор германієвої структури pnp універсальний. Призначений для застосування в підсилювальних, генераторних та імпульсних каскадах низької та високої частоти до 90 МГц. 9.2 Біполярний DIP PNP 1.5Вт 50шт. 30В 600мА 90МГц 240