Диоды отечественные
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное
Диодные мосты отечественные
Симисторы
Тиристоры отечественные
Стабилитроны отечественные
Микросхемы импортные
Микросхемы отечественные
Транзисторы отечественные
Оптроны отечественные
Датчики
Варикапы
Радиолампы
Конденсаторы элекролитические отечественные
Конденсаторы керамические высоковольтные
Конденсаторы керамические
Конденсаторы пленочные отечественные
Конденсаторы металлобумажные
Конденсаторы подстроечные
Предохранители стеклянные
Предохранители керамические
Держатели предохранителей
0,125 Вт
0,25 Вт
0,4-0,6 Вт
1 Вт
2 Вт
5 - 20 Вт
25-150 Вт
Ручки
СП
Переменные
Терморезисторы
Резисторные сборки
HC49
HC6U
УБ-УЕ
К1-4
Фильтры
Контакторы
Реле отечественные
Отечественные
Переключатели,кнопки
Трансформаторы, дроссели
Шунты
Варисторы
Разрядники
Светодиоды
Светодиодные и ЖКИ индикаторы
Светильники
Звук
Электродвигатели
Сердечники, магниты
Radio-Kits
Корпуса
Готовые изделия
Приборы
Крепеж
Разное
Бренд «СНГ»
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип выводов | Тип корпуса | Диаметр корпуса D,мм | Длина корпуса L,мм | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Назначение | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Сопротивление | Мощность резистора | Точность | Тип корпуса резистора | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Высота (длина), мм | Внешний диаметр, мм | Внутренний диаметр, мм | Проницаемость | Тип сердечника | Материал | Зазор мм |
|---|
|
Микросхема 589ИР12
#14489
|
26704 | СНГ | 102 шт |
30 грн.
|
|
5 Приемка. Многорежимный буферный регистр и предназначена для подключения различных внешних устройств микропроцессорного вычислительного устройства с помощью единой магистрали данных. | 3.7 | — | DIP24 | — | — | — | — | DIP | Логика | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 26701 | СНГ | 1 шт |
30 грн.
|
|
Микросхема TDA4555 представляет собой многостандартный декодер цветоразностных сигналов. Предназначена для работы в блоке цветности в телевизорах цветного изображения четвертого и пятого поколений в качестве процессора цветности. Обеспечивает декодирование цветовой информации систем PAL, SECAM, NTSC (3,58 МГц), NTSC (4,43 МГц). Осуществляет опознавание стандартов с автоматическим переключением на принимаемый стандарт. | 4 | — | DIP28 | — | — | — | — | DIP | TV | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||||
|
Стабилитрон КС531В1
#14486
|
26698 | СНГ | 2850 шт |
3 грн.
|
|
Стабилитроны КС531В1 кремниевые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для использования в качестве источников опорного напряжения 31,0 В. Основные технические параметры стабилитрона КС531В1: • Номинальное напряжение стабилизации: 31 В при Iст 5 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,005 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона: ±1 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 90 Ом при Iст 5 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 15 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -50... +100 °С. | 0.3 | — | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 500мВт | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | 31V | TO-92-2 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Транзистор КТ3101АМ
#14485
|
26697 | СНГ | 352 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы КТ3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Основные технические характеристики транзистора КТ3101АМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс. | 0.25 | — | — | — | — | КТ-14 | Биполярный | SMD | — | NPN | — | — | 100мВт | 20шт. | 15В | 20мА | 4ГГц | 300 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Стабилитрон КС407А
#14482
|
26694 | СНГ | 927 шт |
2 грн.
|
|
Стабилитроны КС407А кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3 В в диапазоне токов стабилизации 1...100 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС407А: • Номинальное напряжение стабилизации: 3,3 В при Iст 20 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 3,1... 3,5 В; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 28 Ом при Iст 20 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -40... +85 °С. | 0.2 | — | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | 3V3 | kd2 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Стабилитрон КС508А
#14481
|
26693 | СНГ | 771 шт |
2 грн.
|
|
Стабилитроны КС508А кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 12,0 В в диапазоне токов стабилизации 0,25...23,0 мА. Основные технические параметры стабилитрона КС508А: • Номинальное напряжение стабилизации: 12 В при Iст 10,5 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,11 %/°С; • Минимально допустимый ток стабилизации: 0,25 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 23 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +85 °С. | 0.2 | — | — | — | — | — | — | DIP | — | — | — | — | 500мВт | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | 12V | kd2 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Микросхема КР185РУ9
#14480
|
26692 | СНГ | 58 шт |
31 грн.
|
|
ОЗУ емкостью 576 бит (64х9р). | 4 | — | DIP28 | — | — | — | — | DIP | Память | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Транзистор ГТ320А
#14473
|
26684 | СНГ | 23 шт |
10 грн.
|
|
Транзисторы ГТ320А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах. | 1.8 | — | — | — | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | PNP | — | — | 200мВт | 100шт. | 12В | 150мА | 80МГц | 80 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 26683 | СНГ | 13883 шт |
1,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-1 220 кОм (+/-5%) 1Вт. | 1.2 | Гибкие выводы | — | 6 | 12 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 220 кОм | 1 Вт | 5 % | металлопленочный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||||
|
Транзистор МП13
#14471
|
26682 | СНГ | 645 шт |
8 грн.
|
|
Транзисторы МП13 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Основные технические характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...55; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. | 1.8 | — | — | — | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | PNP | — | — | 150мВт | 100шт. | 15В | 20мА | 0,5МГц | 12 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 26681 | СНГ | 2001 шт |
1,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-1 820 кОм (+/-5%) 1Вт. | 1.2 | Гибкие выводы | — | 6 | 12 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 820 кОм | 1 Вт | 5 % | металлопленочный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||||
| 26680 | СНГ | 1758 шт |
1,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-1 75 кОм (+/-5%) 1Вт. | 1.2 | Гибкие выводы | — | 6 | 12 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 75 кОм | 1 Вт | 5 % | металлопленочный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||||
| 26679 | СНГ | 490 шт |
1,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-1 27 Ом (+/-10%) 1Вт. | 1.2 | Гибкие выводы | — | 6 | 12 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 27 Ом | 1 Вт | 10 % | металлопленочный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||||
| 26678 | СНГ | 1435 шт |
1,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-1 27 Ом (+/-5%) 1Вт. | 1.2 | Гибкие выводы | — | 6 | 12 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 27 Ом | 1 Вт | 5 % | металлопленочный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||||
| 26677 | СНГ | 1888 шт |
1,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-1 1,3 Ом (+/-5%) 1Вт. | 1.2 | Гибкие выводы | — | 6 | 12 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 1,3 Ом | 1 Вт | 5 % | металлопленочный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||||
| 26676 | СНГ | 1160 шт |
1,50 грн.
|
|
Резистор С2-23-1 1 Ом (+/-5%) 1Вт. | 1.2 | Гибкие выводы | — | 6 | 12 | — | — | DIP | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | 1,0 Ом | 1 Вт | 5 % | металлопленочный | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||||||
|
Транзистор КП303И Ni
#14463
|
26675 | СНГ | 1980 шт |
11 грн.
|
|
Транзисторы КП303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Основные технические характеристики транзистора КП303И: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 2 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 1,5...5 мА; • S - Крутизна характеристики: 2... 6 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ. | 0.4 | — | — | — | — | КТ-1 | Полевой | DIP | — | МОП n-канальный | 25В | 20мА | 200мВт | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
| 26671 | СНГ | 141 шт |
14 грн.
|
|
М400НН, К32х20х7, Сердечник ферритовый кольцевой. | 17.5 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 288шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 7 | 32 | 20 | М400НН | Кольцо | Феррит | — | |||||||||||||
| 26669 | СНГ | 643 шт |
18 грн.
|
|
М3000НМ, К38х24х7, Сердечник ферритовый кольцевой. | 22 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 154шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 7 | 38 | 24 | М3000НМ | — | Феррит | — | |||||||||||||
| 26667 | СНГ | 859 шт |
14 грн.
|
|
М600НН-13, К21х9х13 (ПЯ7178535-04), Сердечник ферритовый кольцевой. | 17.5 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 54шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 13 | 21 | 9 | М600НН | Кольцо | Феррит | — | |||||||||||||
| 26666 | СНГ | 4 шт |
72 грн.
|
|
ETD44/22/15 М2500НМС1 зазор 2мм. Сердечник ферритовый (комплект). | 90 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 63шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | М2500НМ | ETD | Феррит | 2 | |||||||||||||
| 26665 | СНГ | 2017 шт |
72 грн.
|
|
ETD44/22/15 М2500НМС1 зазор 1мм. Сердечник ферритовый (комплект). | 90 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 63шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | М2500НМ | ETD | Феррит | 1 | |||||||||||||
| 26664 | СНГ | 57 шт |
60 грн.
|
|
М900НМ, С15х100, Сердечник ферритовый стержневой с плоской поверхностью. | 75 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 97 | 15 | — | М900НМ | Стержень | Феррит | — | |||||||||||||
| 26663 | СНГ | 186 шт |
18 грн.
|
|
М100НН-4, К32х20х6, Сердечник ферритовый кольцевой. | 15 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 6 | 32 | 20 | М100НН | Кольцо | Феррит | — | |||||||||||||
| 26662 | СНГ | 4112 шт |
6 грн.
|
|
М600НН, К15х5,5х11, Сердечник ферритовый кольцевой. | 8 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 11 | 15 | 5,5 | М600НН | Кольцо | Феррит | — | |||||||||||||
| 26661 | СНГ | 3385 шт |
14 грн.
|
|
М6000НМ, К25х14,5х10, Сердечник ферритовый кольцевой. | 16 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 288шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 10 | 25 | 14,5 | М6000НМ | Кольцо | Феррит | — | |||||||||||||
|
Микросхема КР145ИП16Б
#14443
|
26655 | СНГ | 100 шт |
20 грн.
|
|
Схема реализующая набор математических операций для микрокалькулятора. | 4.2 | — | — | — | — | — | — | SMD | Микроконтроллеры | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Микросхема КР505РЕ3 0111
#14442
|
26654 | СНГ | 126 шт |
10 грн.
|
|
ПЗУ (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | — | SO24 | — | — | — | — | SMD | Память | — | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Микросхема КР505РЕ3 0110
#14441
|
26653 | СНГ | 158 шт |
10 грн.
|
|
ПЗУ (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | — | SO24 | — | — | — | — | SMD | Память | — | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||||
|
Микросхема КР505РЕ3 0085
#14440
|
26652 | СНГ | 2 шт |
10 грн.
|
|
ПЗУ (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | — | SO24 | — | — | — | — | SMD | Память | — | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |