Бренд «СНГ»

Результатов: 4144

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип выводов	Диаметр корпуса D,мм	Длина корпуса L,мм	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Назначение	Тип диода	Структура	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Сопротивление	Мощность резистора	Точность	Тип корпуса резистора	Напряжение стабилизации	Тип корпуса стабилитрона	Вилка или розетка	Кол-во контактов	Механический монтаж	Тип	Конструкция диода

Разъем ОНп-ВГ-1-12/46*10В21

#12387

24717

СНГ

9400 шт

28 грн.

10+	26,60 грн.
20+	25,20 грн.
50+	23,80 грн.
100+	22,40 грн.

Соединитель для печатного монтажа.

10.5

—

DIP

—

20шт.

—

Вилка

На плату

ОНП

—

Разъем ОНп-ВГ-1-18/59*10В21

#12386

24716

СНГ

7730 шт

25 грн.

10+	23,75 грн.
20+	22,50 грн.
50+	21,25 грн.
100+	20 грн.

Соединитель для печатного монтажа.

—

DIP

—

20шт.

—

Вилка

На плату

ОНП

—

Разъем 2РМДТ27Б7Ш5В1В (вилка)

#12385

24715

СНГ

1 шт

66 грн.

10+	62,70 грн.
20+	59,40 грн.
50+	56,10 грн.
100+	52,80 грн.

Соединитель 2РМДТ27Б7Ш5В1В цилиндрический низкочастотный малогабаритный предназначен для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов частотой до 3 МГц при напряжении до 700 В.

—

DIP

—

50шт.

—

Вилка

В корпус

2РМ

—

Резистор МЛТ-0,5 82 кОм (+/-5%)

#12384

24714

СНГ

858 шт

1 грн.

100+	0,90 грн.
200+	0,80 грн.
500+	0,70 грн.

Резистор МЛТ-0,5 82 кОм (+/-5%).

0.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

500шт.

—

82 кОм

0,5 Вт

5 %

металлопленочный

—

Разъем СНЦ14-50/18В-1-А-В

#12382

24712

СНГ

4 шт

162 грн.

10+	153,90 грн.
20+	145,80 грн.
50+	137,70 грн.
100+	129,60 грн.

Соединители цилиндрические резьбовые миниатюрные СНЦ14-50/18В-1-А-В предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного (частотой до 3 МГц) и импульсного токов.

—

DIP

—

10шт.

—

Вилка

В корпус

СНЦ

—

Резистор С2-33Н-2 12 кОм

#12373

24709

СНГ

78 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор С2-33-Н-2 12 кОм.

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

12 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Резистор С2-33Н-2 24 кОм

#12372

24708

СНГ

218 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор С2-33-Н-2 24 кОм.

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

24 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Транзистор П214В

#12366

24701

СНГ

584 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Основные технические характеристики транзистора П214В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

10Вт

50шт.

55В

5А

—

Транзистор П214Б

#12365

24700

СНГ

211 шт

15 грн.

10+	14,25 грн.
50+	13,50 грн.
100+	12 грн.

Основные технические характеристики транзистора П214Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.

—

Биполярный

DIP

—

PNP

11,5Вт

20шт.

55В

5А

0,15МГц

150

—

Разъем МР1-76-1-В

#12363

24698

СНГ

1 шт

70 грн.

10+	66,50 грн.
20+	63 грн.
50+	59,50 грн.
100+	56 грн.

МР1-76-1-В предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного (частотой до 3 МГц) и импульсного токов для внутреннего монтажа во всеклиматическом исполнении в соответствии с техническими условиями ГЕ0.364.184ТУ (АШДК.434410.061ТУ).

—

DIP

—

1шт.

—

Вилка

На провод

МР

—

Резистор МЛТ-2 15 кОм (+/-10%)

#12320

24681

СНГ

31 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор МЛТ-2 15 кОм.

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

15 кОм

2 Вт

10 %

металлопленочный

—

Резистор С2-23-2 24 кОм (+/-5%)

#12319

24680

СНГ

4030 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор С2-23-2 24 кОм (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

24 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 20 кОм (+/-5%)

#12317

24678

СНГ

800 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор МЛТ-2 20 кОм (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

20 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 5,1 кОм (+/-5%)

#12316

24677

СНГ

3050 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор МЛТ-2 5,1 кОм (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

5,1 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 120 кОм (+/-5%)

#12314

24676

СНГ

1 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор МЛТ-2 120 кОм

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

120 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Резистор ПЭВ-50 680 Ом 5%

#12311

24673

СНГ

22 шт

50 грн.

Резисторы ПЭВ-50 постоянные проволочные, нагрузочные для навесного монтажа. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов радиоэлектронной аппаратуры.

110

Жесткие выводы

—

DIP

—

1шт.

—

680 Ом

50 Вт

5 %

—

Резистор С5-35В 80Вт 750 Ом 5%

#12307

24669

СНГ

47 шт

80 грн.

140

Жесткие выводы

—

DIP

—

1шт.

—

750 Ом

80 Вт

5 %

—

Резистор МЛТ-2 24 кОм (+/-5%)

#12286

24668

СНГ

16845 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор МЛТ-2 24 кОм (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

24 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 12 кОм (+/-5%)

#12285

24667

СНГ

42358 шт

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

Резистор МЛТ-2 12 кОм.

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

12 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Симистор КУ208Б

#12277

24659

СНГ

7 шт

19 грн.

10+	17,10 грн.
50+	15,20 грн.

Симистор кремниевый, планарный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый, симметричный.

—

Винт

—

200V

—

40шт.

—

Микросхема 217ТР1А

#12259

24641

СНГ

4 шт

16 грн.

10+	15,20 грн.
50+	14,40 грн.
100+	12,80 грн.

Триггер типа R_S

1.5

—

DIP

—

Логика

—

40шт.

—

Микросхема 217ЛБ4А

#12258

24640

СНГ

6 шт

12 грн.

10+	11,40 грн.
50+	10,80 грн.
100+	9,60 грн.

3 логических элемента И-НЕ/ИЛИ-НЕ.

1.5

—

DIP

—

Логика

—

40шт.

—

Микросхема 217ЛБ1А

#12257

24639

СНГ

13 шт

14 грн.

10+	13,30 грн.
50+	12,60 грн.
100+	11,20 грн.

Логический элемент 8И-НЕ.

1.5

—

DIP

—

Логика

—

40шт.

—

Транзистор МП42А

#12255

24637

СНГ

97 шт

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

Основные технические характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом.

1.6

—

КТЮ-3-6

Биполярный

DIP

—

PNP

200мВт

100шт.

15В

200мА

1МГц

—

Стабилитрон Д818В

#12245

24627

СНГ

126 шт

4 грн.

50+	3,60 грн.
100+	3,20 грн.
250+	3 грн.

Основные технические параметры стабилитрона Д818В: • Номинальное напряжение стабилизации: 9 В при Iст 10 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 7,6... 10 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: +0,010 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 0,12 %; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 18 Ом при Iст 10 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 3 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 33 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 0,3 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С.

0.8

—

DIP

—

300мВт

100шт.

—

kd-8

—

Стабилитрон Д814А

#12239

24619

СНГ

4 шт

4 грн.

50+	3,60 грн.
100+	3,20 грн.
250+	3 грн.

Стабилитроны Д814А кремниевые, сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации напряжения 7,0-8,5 В в диапазоне токов стабилизации 3...40 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

0.8

—

DIP

—

340мВт

200шт.

—

8V0

—

Транзистор КТ817Б

#12236

24615

СНГ

389 шт

10 грн.

10+	9,50 грн.
50+	9 грн.
100+	8 грн.

Транзистор КТ817Б кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный.

0.7

—

TO126

Биполярный

DIP

—

NPN

25Вт

200шт.

45В

3А

3МГц

—

Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)

#12229

24608

СНГ

311 шт

40 грн.

10+	38 грн.
50+	36 грн.
100+	32 грн.

Основные технические характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 120 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 50 МГц.

—

КТЮ-3-3

Биполярный

DIP

—

NPN

30Вт

20шт.

60В

10А

—

180

—

Диод 2Д213А (=КД213А)

#12227

24606

СНГ

913 шт

25 грн.

50+	22,50 грн.
200+	20 грн.
500+	17,50 грн.

Основные технические характеристики диода 2Д213А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,3 мкс; • Сд - Общая емкость: 550 пФ при Uoбp 100 В.

3.5

—

DIP

КД-23

200V

10A

—

Выпрямительный

—

50шт.

—

одиночный

Диод 2Д202Ж (=КД202Ж)

#12225

24604

СНГ

89 шт

9 грн.

50+	8,10 грн.
200+	7,20 грн.
500+	6,30 грн.

Основные технические характеристики диода 2Д202Ж: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 300 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 300 В.

—

Винт

КДЮ-11

210V

—

Выпрямительный

—

100шт.

—

одиночный