Бренд «СНГ»

Результатов: 4144

	MPN	Артикул	Бренд	На складе	Цена	Скидки	Количество	Описание	Вес г.	Тип выводов	Рабочее напряжение,В	Диаметр корпуса D,мм	Длина корпуса L,мм	Тип корпуса транзистора	Тип транзистора	Тип монтажа	Тип корпуса	Uобр. max, В	Iпр. max.	Тип диода	Структура	Мощность	Заводская упаковка	Напряжение коллектор-эмиттер	Ток коллектора	Частота	Коэффициент усиления по току	Емкость	Сопротивление	Мощность резистора	Точность	Тип корпуса резистора	Кривая	Цвет	Конструкция диода

Резистор С2-23-2Вт 220 Ом (+/-5%)

#14648

26866

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор С2-23-2Вт 220 Ом (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

220 Ом

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Резистор ОМЛТ-2 220 Ом (+/-10%)

#14647

26865

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор ОМЛТ-2 220 Ом (+/-10%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

220 Ом

—

10 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 33 кОм (+/-10%)

#14646

26864

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор МЛТ-2 33 кОм (+/-10%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

33 кОм

—

10 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 68 кОм (+/-5%)

#14645

26863

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор МЛТ-2 68 кОм (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

68 кОм

—

5 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 220 Ом (+/-10%)

#14644

26862

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор МЛТ-2 220 Ом (+/-10%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

220 Ом

—

10 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 220 Ом (+/-5%)

#14643

26861

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор МЛТ-2 220 Ом (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

220 Ом

—

5 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 100 кОм (+/-5%)

#14642

26860

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор МЛТ-2 100 кОм (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

100 кОм

—

5 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 9,1 кОм (+/-5%)

#14641

26859

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор МЛТ-2 9,1 кОм.

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

9,1 кОм

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Резистор МЛТ-2 10 Ом (+/-5%)

#14640

26858

СНГ

—

2,50 грн.

20+	2,25 грн.
50+	2,12 грн.
100+	2 грн.

—

Резистор МЛТ-2 10 Ом (+/-5%).

2.5

Гибкие выводы

—

DIP

—

200шт.

—

10 Ом

2 Вт

5 %

металлопленочный

—

Транзистор КТ501Г Au

#14627

26844

СНГ

—

20 грн.

10+	19 грн.
50+	18 грн.
100+	16 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ501Г : • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (10кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом.

0.6

—

КТ-1-7

Биполярный

DIP

—

PNP

350мВт

100шт.

30В

300мА

5МГц

—

Диод КД103Б

#14625

26841

СНГ

—

2 грн.

50+	1,80 грн.
200+	1,60 грн.
500+	1,40 грн.

—

Основные технические характеристики диода КД103Б: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА; • fд - Рабочая частота диода: 20 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 4 мкс; • Сд - Общая емкость: 20 пФ при Uoбp 5 В.

0.1

—

DIP

КД-30

50V

100mA

Выпрямительный

—

500шт.

—

одиночный

АЛ108АМ светодиод инфракрасный

#14624

26840

СНГ

—

3 грн.

50+	2,70 грн.
200+	2,55 грн.
500+	2,25 грн.

—

Основные технические параметры инфракрасного излучающего диода АЛ108АМ: • Мощность излучения: не менее 2 мВт при 100 мА; • Постоянное прямое напряжение: не более 1,6 В при 100 мА; • Максимум спектрального распределения: 0,94 мкм; • Ширина спектра излучения: 0,05 мкм; • Время нарастания импульса излучения: 2,4 мкс; • Время спада импульса излучения: 2,0 мкс; • Максимально допустимый постоянный прямой ток: 110 мА; • Максимально допустимое обратное постоянное напряжение: 2 В; • Максимально допустимое импульсное обратное напряжение: 2 В.

0.2

—

DIP

—

500шт.

—

ИК

—

Тиристор симметричный ТС106-10-5-2

#14621

26837

СНГ

—

16 грн.

—

Тиристор симметричный низкочастотный. Предназначен для работы в преобразовательных устройствах, а также в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок. Максимально допустимый действующий ток - 10 А Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение - 500 В.

2.1

—

DIP

TO-220

500V

10A

—

50шт.

—

Транзистор КТ961А

#14620

26836

СНГ

—

5 грн.

10+	4,75 грн.
50+	4,50 грн.
100+	4 грн.

—

Основные технические характеристики транзистора КТ961А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 12,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...100; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом.

—

TO126

Биполярный

DIP

—

NPN

12.5Вт

100шт.

100В

2А

50МГц

100

—

Транзистор ГТ115Д

#14617

26833

СНГ

—

6 грн.

10+	5,70 грн.
50+	5,40 грн.
100+	4,80 грн.

—

Транзисторы ГТ115Д германиевые сплавные p-n-p маломощные.

0.4

—

Биполярный

DIP

—

PNP

50мВт

100шт.

20В

30мА

1МГц

250

—

Транзистор 1Т906А (=ГТ906А)

#14615

26831

СНГ

—

28 грн.

10+	26,60 грн.
50+	25,20 грн.
100+	22,40 грн.

—

Транзисторы 1Т906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств. Основные технические характеристики транзистора 1Т906А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс.

3.5

—

Биполярный

DIP

—

PNP

15Вт

100шт.

75В

10А

30МГц

150

—

Конденсатор СКМ-2А 510 пФ 250 в

#14614

26830

СНГ

—

8 грн.

100+	7,20 грн.
500+	6,40 грн.
1000+	5,60 грн.

—

Конденсаторы высокочастотные СКМ - 2А, высокого качества изготовления, военная приемка СССР. Высокочастотные конденсаторы имеют большую стабильность, заключающуюся в незначительном изменении емкости при изменении температуры, малые допустимые отклонения емкости от номинального значения, небольшие размеры и вес. Конденсаторы СКМ обладают высокой теплостойкостью. Интервал рабочих температур: от -60 до +155 °С.

2.1

Гибкие выводы

250

—

DIP

—

100шт.

—

510pF

—

5 %

—

Резистор подстроечный СП3-39А 100 кОм

#14607

26823

СНГ

—

6 грн.

10+	5,40 грн.
50+	4,80 грн.
100+	4,50 грн.

—

Резисторы подстроечные одинарные многооборотные с круговым перемещением подвижной системы, предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного тока.

1.8

Жесткие выводы

—

DIP

—

100шт.

—

100 кОм

1 Вт

20 %

—

Резистор подстроечный СП3-19Б 0.5Вт 15 кОм 20%

#14601

26817

СНГ

—

8 грн.

10+	7,20 грн.
50+	6,40 грн.
100+	6 грн.

—

Кетменный композиционный одинарный однооборотный, с круговым перемещением подвижной системы, в прямоугольном корпусе. Предназначен для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного токов.

0.4

Гибкие выводы

—

DIP

—

100шт.

—

15 кОм

0,5 Вт

20 %

—

Резистор подстроечный СП3-19А 0.5Вт 10 кОм 10%

#14592

26808

СНГ

—

8 грн.

10+	7,20 грн.
50+	6,40 грн.
100+	6 грн.

—

Кетменный композиционный одинарный однооборотный, с круговым перемещением подвижной системы, в цилиндрическом корпусе. Предназначен для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного токов.

0.4

Гибкие выводы

—

DIP

—

100шт.

—

10 кОм

0,5 Вт

10 %

—

Резистор подстроечный СП3-19А 0.5Вт 100 кОм 10%

#14591

26807

СНГ

—

8 грн.

10+	7,20 грн.
50+	6,40 грн.
100+	6 грн.

—

0.4

Гибкие выводы

—

DIP

—

100шт.

—

100 кОм

0,5 Вт

10 %

—

Резистор подстроечный СП3-19А 0.5Вт 220 кОм 10%

#14589

26805

СНГ

—

8 грн.

10+	7,20 грн.
50+	6,40 грн.
100+	6 грн.

—

0.4

Гибкие выводы

—

DIP

—

100шт.

—

220 кОм

0,5 Вт

10 %

—

Резистор подстроечный СП3-19А 0.5Вт 4.7 кОм 20%

#14588

26804

СНГ

—

8 грн.

10+	7,20 грн.
50+	6,40 грн.
100+	6 грн.

—

0.4

Гибкие выводы

—

DIP

—

100шт.

—

4,7 кОм

0,5 Вт

20 %

—

Резистор подстроечный СП3-19А 0.5Вт 100 Ом 10%

#14584

26800

СНГ

—

8 грн.

10+	7,20 грн.
50+	6,40 грн.
100+	6 грн.

—

0.4

Гибкие выводы

—

DIP

—

100шт.

—

100 Ом

0,5 Вт

10 %

—

Резистор подстроечный СП3-19А 0.5Вт 470 Ом 10%

#14583

26799

СНГ

—

8 грн.

10+	7,20 грн.
50+	6,40 грн.
100+	6 грн.

—

0.4

Гибкие выводы

—

DIP

—

100шт.

—

470 Ом

0,5 Вт

10 %

—

Конденсатор БМ-2 3300 пФ 200 в

#14581

26797

СНГ

—

2 грн.

—

Бумажный герметизированный конденсатор марки БМ-2. Конденсаторная бумага, обкладки – алюминиевая фольга. Корпус – алюминий или сталь. Обладая стабильными параметрами и высокой надежностью, применялись в различных ответственных цепях радиоаппаратуры.

0.8

Гибкие выводы

200

—

DIP

—

200шт.

—

3.3nF (3300pF)

—

10 %

—

Конденсатор БМ-2 1000 пФ 300 в

#14579

26795

СНГ

—

2 грн.

—

0.8

Гибкие выводы

300

—

DIP

—

200шт.

—

1nF (1000pF)

—

20 %

—

Конденсатор БМ-2 470 пФ 300 в

#14577

26793

СНГ

—

2 грн.

—

0.8

Гибкие выводы

300

—

DIP

—

200шт.

—

470pF

—

10 %

—

Конденсатор К73-15 2200пФ 400В 10 %

#14575

26791

СНГ

—

3 грн.

—

Конденсаторы К73-15 полиэтилентерефталатные фольговые уплотненные изолированные.

0.7

Гибкие выводы

400

—

DIP

—

100шт.

—

2.2nF (2200pF)

—

10 %

—

Конденсатор К73-15 3300пФ 250В 5 %

#14573

26789

СНГ

—

3 грн.

—

Конденсаторы К73-15 полиэтилентерефталатные фольговые уплотненные изолированные.

0.7

Гибкие выводы

250

—

DIP

—

100шт.

—

3.3nF (3300pF)

—

5 %

—