Радиокомпоненты активные

Результатов: 8090

Сортировать: Название Цена Хиты продаж Оценка покупателей Дата добавления На складе
MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Тип диода Структура Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Конструкция диода
DBS102G
DBS102G
#3392
 — — —
20 грн.
10+18 грн.
50+16 грн.
100+15 грн.
 — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Симистор КУ208В
Симистор КУ208В
#3401
 — СНГ —
19 грн.
10+17,10 грн.
50+15,20 грн.
 — Симистор кремниевый, планарный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый, симметричный. 11 — — Винт — 300V 5A — — — — 40шт. — — — — — — —
Тиристор КУ201Л
Тиристор КУ201Л
#3402
 25850 СНГ —
14 грн.
 — Максимальное обратное напряжение,В 300 Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии,В 300 Максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии,А 2 Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии,А 30 Максимальное напряжение в открытом состоянии,В 2 Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора ,А 0.1 Наименьший повторяющийся импульсный ток управления, необходимый для включения тиристора,А 0.35 Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному постоянному отпирающему току,В 6 Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному импульсному повторяющемуся отпирающему току,В 10 Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии,В/мкс 5 Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии,А/мкс 3 Время включения,мкс 10 Время выключения,мкс 100 Рабочая температура,C -60…85 Особенности незапираемый 11 — — Винт — 300V — 30A — — — 40шт. — — — — — — —
Тиристор Д235Б
Тиристор Д235Б
#3404
 28436 СНГ —
20 грн.
 — 12 — — DIP — 100V — 10A — — — 50шт. — — — — — — —
Стабилитрон КС680А
Стабилитрон КС680А
#3405
 23307 СНГ —
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
 — Стабилитрон кремниевый средней мощности, 180В Основные технические параметры стабилитрона КС680А: • Номинальное напряжение стабилизации: 180 В при Iст 25 мА; • Разброс напряжения стабилизации: 162... 198 В; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,2 %/°С; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 330 Ом при Iст 30 мА; • Минимально допустимый ток стабилизации: 2,5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 28 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С 1.5 — — Винт — — — — — — 5Вт 100шт. — — — — 180V ks620 —
Диод КД106А
Диод КД106А
#3410
 28429 СНГ —
5 грн.
50+4,50 грн.
200+4 грн.
500+3,50 грн.
 — Макс. допустимое обратное напряжение, В: 100 Максимальный постоянный прямой ток, мА: 300 Максимальная рабочая частота, кГц: 1 Врямя восстановления, мкс: 0,385 0.4 — — DIP — 100V 300mA — Выпрямительный — — 200шт. — — — — — — одиночный
Диод 2Д212А (=КД212А)
Диод 2Д212А (=КД212А)
#3411
 22958 СНГ —
15 грн.
50+13,50 грн.
200+12 грн.
500+10,50 грн.
 — • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А; • fд - Рабочая частота диода: 100 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 1 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 200 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,3 мкс; • Сд - Общая емкость: 45 пФ при Uoбp 100 В 1.5 — — — КД-16 200V 1A — Выпрямительный — — 200шт. — — — — — — одиночный
ТС122-25-4
ТС122-25-4
#3412
 — — —
160 грн.
10+144 грн.
50+128 грн.
 — 92 г. — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
DF04M (TSC)
DF04M (TSC)
#3418
 — — —
6 грн.
10+5,40 грн.
50+4,80 грн.
100+4,50 грн.
 — Корпус: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP Uобр: 400 I пр: 1 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Диодный мост DF04S
Диодный мост DF04S
#3419
 20557 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
5 грн.
10+4,50 грн.
50+4 грн.
100+3,75 грн.
 — 1 — — SMD — 400V 1.5A 50A Выпрямительный — — 1000шт. — — — — — — —
Диодный мост DF01S
Диодный мост DF01S
#3420
 24947 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR —
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
 — 1 — — SMD — 100V 1.5A — — — — 1000шт. — — — — — — —
DF08S
DF08S
#3421
 — — —
6,40 грн.
10+5,76 грн.
50+5,12 грн.
100+4,80 грн.
 — Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 800 I пр: 1,5 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
DF10M
DF10M
#3422
 — — —
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
 — Корпус: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
DF10S
DF10S
#3423
 — — —
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
 — Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
DF1510S
DF1510S
#3424
 — — —
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
 — Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1,5 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
GBJ1010
GBJ1010
#3425
 — — —
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
 — Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 10 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Диодный мост GBJ1510
Диодный мост GBJ1510
#3426
 21628 SEP —
14 грн.
10+12,60 грн.
50+11,20 грн.
100+10,50 грн.
 — 3.7 — — DIP GBJ 1000V 15A — Выпрямительный — — 250шт. — — — — — — —
GBJ2010
GBJ2010
#3427
 — — —
12 грн.
10+10,80 грн.
50+9,60 грн.
100+9 грн.
 — Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 20 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
GBJ610
GBJ610
#3428
 — — —
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
 — Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 6 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
GBJ810
GBJ810
#3429
 — — —
10,40 грн.
10+9,36 грн.
50+8,32 грн.
100+7,80 грн.
 — Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 8 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
GBL10
GBL10
#3430
 — — —
7,80 грн.
10+7,02 грн.
50+6,24 грн.
100+5,85 грн.
 — Корпус: GBL Uобр: 1000 I пр: 4 Мост однофазный — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Транзистор КП103Е
Транзистор КП103Е
#3433
 — СНГ —
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
 — Структура P-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 10 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0.007 Крутизна характеристики S,мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 — Полевой DIP — — — — — — 125мВт 200шт. — — — — — — —
Транзистор КТ3107И
Транзистор КТ3107И
#3434
 23590 СНГ —
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
 — 0.3 TO92 Биполярный DIP — — — — — PNP 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450 — — —
Транзистор ГТ905А
Транзистор ГТ905А
#3435
 22330 СНГ —
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
 — Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. 5 — Биполярный DIP — — — — — PNP 6Вт 50шт. 65В 7А 30МГц 100 — — —
Транзистор КТ315Б
Транзистор КТ315Б
#3437
 23553 СНГ —
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
 — Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP — — — — — NPN 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350 — — —
Транзистор П416Б
Транзистор П416Б
#3438
 23029 СНГ —
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
 — Транзистор П416Б германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — PNP 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200 — — —
Транзистор МП42Б
Транзистор МП42Б
#3439
 25861 СНГ —
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
 — Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 45…100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Биполярный DIP — — — — — PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100 — — —
2Т603Б никель
2Т603Б никель
#3442
 — — —
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
 — Основные технические характеристики транзистора 2Т603Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом — — — — — — — — — — — — — — — — — — —
Транзистор МП15А
Транзистор МП15А
#3443
 23011 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистор МП15А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100 — — —
Транзистор МП41
Транзистор МП41
#3444
 24617 СНГ —
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
 — Транзистор МП41 германиевый сплавный p-n-p усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP — — — — — PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60 — — —