Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Iпр. имп. max. Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току
20557 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
5 грн.
10+4,50 грн.
50+4 грн.
100+3,75 грн.
1 SMD 400V 1.5A 50A Выпрямительный 1000шт.
24947 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
1 SMD 100V 1.5A 1000шт.
6,40 грн.
10+5,76 грн.
50+5,12 грн.
100+4,80 грн.
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 800 I пр: 1,5 Мост однофазный
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
Корпус: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1 Мост однофазный
3 грн.
10+2,70 грн.
50+2,40 грн.
100+2,25 грн.
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uобр: 1000 I пр: 1,5 Мост однофазный
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 10 Мост однофазный
21628 SEP
14 грн.
10+12,60 грн.
50+11,20 грн.
100+10,50 грн.
3.7 DIP GBJ 1000V 15A Выпрямительный 250шт.
12 грн.
10+10,80 грн.
50+9,60 грн.
100+9 грн.
Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 20 Мост однофазный
10 грн.
10+9 грн.
50+8 грн.
100+7,50 грн.
Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 6 Мост однофазный
10,40 грн.
10+9,36 грн.
50+8,32 грн.
100+7,80 грн.
Корпус: GBJ Uобр: 1000 I пр: 8 Мост однофазный
7,80 грн.
10+7,02 грн.
50+6,24 грн.
100+5,85 грн.
Корпус: GBL Uобр: 1000 I пр: 4 Мост однофазный
СНГ
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Структура P-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 10 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0.007 Крутизна характеристики S,мА/В 0.4…2.4 Корпус КТ-17 0.7 Полевой DIP 125мВт 200шт.
23590 СНГ
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 300мВт 1000шт. 50В 200мА 200МГц 450
22330 СНГ
16 грн.
10+15,20 грн.
50+14,40 грн.
100+12,80 грн.
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. 5 Биполярный DIP PNP 6Вт 50шт. 65В 30МГц 100
23553 СНГ
2 грн.
10+1,90 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. 0.25 КТ-13 Биполярный DIP NPN 150мВт 800 шт. 20В 100мА 250МГц 350
23029 СНГ
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Транзистор П416Б германиевый сплавный p-n-p универсальный. Предназначен для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 100мВт 100шт. 12В 25мА 80МГц 200
25861 СНГ
7 грн.
10+6,65 грн.
50+6,30 грн.
100+5,60 грн.
Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 45…100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.2 1.6 КТЮ-3-6 Биполярный DIP PNP 200мВт 100шт. 15В 200мА 1МГц 100
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
77,79 г.
23011 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП15А германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный маломощный. Предназначен для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 20мА 2МГц 100
24617 СНГ
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Транзистор МП41 германиевый сплавный p-n-p усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP PNP 150мВт 100шт. 15В 30мА 1МГц 60
26623 СНГ
45 грн.
10+42,75 грн.
50+40,50 грн.
100+36 грн.
Транзисторы КТ808АМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. 13 TO3 Биполярный DIP NPN 70Вт 20шт. 130В 10А 8МГц 125
23004 СНГ
8 грн.
10+7,60 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
Транзистор КП327Б кремниевые планарный с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа 0.3 КТ-29 Полевой SMD МОП n-канальный 14В 30мА 200мВт 100шт.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,90 г.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
87 г.
30 грн.
10+28,50 грн.
50+27 грн.
100+24 грн.
89,83 г.
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
Структура: N-FET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: - Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт: - Крутизна характеристики S,мА/В: 90
26 грн.
10+24,70 грн.
50+23,40 грн.
100+20,80 грн.
89 г.
60 грн.
10+57 грн.
50+54 грн.
100+48 грн.
91 г.
25678 СНГ
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15…30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 1 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 0.15 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 150мВт 100шт. 30В 20мА 1МГц 30