Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
| 22276 | СНГ | 322 шт |
6 грн.
|
|
Три логических элемента 3И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К561ЛА9
#5644
|
22144 | СНГ | 317 шт |
6 грн.
|
|
Три трехвходовых элемента И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
#12174
|
24467 | СНГ | 317 шт |
8 грн.
|
|
Предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники. Основные технические параметры фототранзистора ФТ-8: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 0,5 мм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,9...0,95 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 1 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,2 мкА/лк. | 0.3 | — | — | Фото | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К131ЛР3
#13623
|
25776 | СНГ | 317 шт |
6 грн.
|
|
Логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон Д815А
#14020
|
26199 | СНГ | 317 шт |
8 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 5,6В Основные технические параметры стабилитрона Д815А: • Разброс напряжения стабилизации: 5... 6,2 В при Iст 1 А; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,045 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 4 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 0,6 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 50 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 1,4 А; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +125 °С | 2.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 8Вт | 100шт. | — | — | — | — | 5V6 | ks620 | — | ||||||||
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
#12229
|
24608 | СНГ | 311 шт |
40 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 120 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 50 МГц. | 22 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 30Вт | 20шт. | 60В | 10А | — | 180 | — | — | — | ||||||||
| 20147 | MIC | 309 шт |
4 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 3kV | 200mA | — | — | Высоковольтный | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
Диод КД510А
#16195
|
28441 | СНГ | 309 шт |
2 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода КД510А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,2 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В; • tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс; • Сд - Общая емкость: 4 пФ. | 0.2 | — | — | — | DIP | КД-2 | 50V | 200mA | 1.5A | — | Импульсный | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Микросхема К155РЕ21
#961
|
21290 | СНГ | 306 шт |
5 грн.
|
|
Интегральная микросхема серии ТТЛ. Микросхемы К155РЕ21 представляют собой постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) емкостью 1024 бит (с организацией 256 х 4) с использованием в качестве преобразователя двоичного кода в код знаков русского алфавита. Содержит 1620 интегральных элементов. Корпус типа 238.16-2, масса не более 2 г. Предельно допустимые режимы эксплуатации К155РЕ21: - Напряжение питания .......... 4,75 - 5,25 В - Входное напряжение низкого уровня .......... < 0,4 В - Входное напряжение высокого уровня .......... > 2,4 В - Входной ток низкого уровня .......... < 16 мА - Выходной ток высокого уровня .......... < -0,8 мА - Емкость нагрузки .......... < 15 пФ - Длительность фронта и среза входного импульса < 150 нс - Температура окружающей среды: - К155 .......... -10 + 70 °С - КМ155 ......... - 45 + 85 °С | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Память | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон BZX55C 36V
#4212
|
20215 | Rectron Semiconductor | 305 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон 36V 0.5W (BZX55C 36V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 36V | DO-35 | — | ||||||||
Симистор BT134-600E
#5634
|
21149 | NXP | 305 шт |
10 грн.
|
|
0.7 | — | — | — | DIP | SOT-82 | 600V | 4А | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К561ЛС2
#988
|
21676 | СНГ | 302 шт |
5 грн.
|
|
Четыре логических элемента И-ИЛИ. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон BZX55C 27V
#4209
|
20200 | Rectron Semiconductor | 301 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон 27V 0.5W (BZX55C 27V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 27V | DO-35 | — | ||||||||
Транзистор КТ3128А
#10341
|
22328 | СНГ | 300 шт |
5 грн.
|
|
Предназначен для применения в селекторах телевизионных каналов с автоматической регулировкой усиления. | 0.4 | — | КТ-1 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 100мВт | 500шт. | 20В | 20мА | 800МГц | 150 | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон BZX55C 20V
#4206
|
20221 | Rectron Semiconductor | 299 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон 20V 0.5W (BZX55C 20V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 20V | DO-35 | — | ||||||||
Микросхема К131ТМ2
#3926
|
22186 | СНГ | 298 шт |
6 грн.
|
|
Два D-триггера. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ3107Ж
#10104
|
21843 | СНГ | 297 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 300мВт | 1000шт. | 25В | 200мА | 200МГц | 450 | — | — | — | |||||||||
Транзистор 2Т208М1 (=КТ208М)
#10315
|
22264 | СНГ | 296 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор 2Т208М1 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 1000шт. | 60В | 300мА | — | 40 | — | — | — | ||||||||
Микросхема К172ЛК1
#875
|
21957 | СНГ | 295 шт |
6 грн.
|
|
2 логических элемента 2И-2ИЛИ/2И-2ИЛИ-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП114
#13683
|
25842 | СНГ | 295 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы МП114 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 60В | 10мА | 0,1МГц | 10 | — | — | — | ||||||||
Микросхема К561ТР2
#4055
|
21678 | СНГ | 294 шт |
6 грн.
|
|
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхемы К561ТР2 представляют собой четыре RS-триггера (асинхронных) с третьим состоянием на входе. Содержат 154 интегральных элемента. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 21182 | ST MICROELECTRONICS | 290 шт |
12 грн.
|
|
Стабилизатоp 12V/1,5A | 2.8 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | — | Питание | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон BZX55C 33V
#4211
|
20229 | Rectron Semiconductor | 290 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон 33V 0.5W (BZX55C 33V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 33V | DO-35 | — | ||||||||
| 21318 | INTEGRAL | 290 шт |
13 грн.
|
|
2 логических элемента 4И. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К131ЛД1
#14132
|
26315 | СНГ | 287 шт |
6 грн.
|
|
Два четырехвходовых расширителя по ИЛИ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР140УД5А
#13613
|
25766 | СНГ | 284 шт |
10 грн.
|
|
Операционный усилитель средней точности с составными транзисторами (эмиттерными повторителями) на входе, без частотной коррекции. Кроме общего выхода имеет дифференциальные выходы. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Усилители | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 26194 | СНГ | 283 шт |
8 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 33В Основные технические параметры стабилитрона Д816В: • Разброс напряжения стабилизации: 29,5... 36 В при Iст 150 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,12 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 5 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 10 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 10 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 150 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С | 2.5 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 33V | ks620 | — | |||||||||
Диод 1N5818
#10339
|
22326 | MIC | 280 шт |
1 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-41 | 30V | 1A | — | — | Шотки | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Микросхема К176ЛА9
#920
|
21418 | СНГ | 278 шт |
4 грн.
|
|
Микросхема К176ЛА9 содержит по три трёхвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП26
#3441
|
23003 | СНГ | 278 шт |
6 грн.
|
|
Транзистор МП26 германиевый сплавный p-n-p универсальный низкочастотный. Предназначен для усиления и переключения сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 200мВт | 100шт. | 70В | 150мА | — | 25 | — | — | — |
