Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Конструкция диода |
|---|
Микросхема КР556РТ5
#693
|
22216 | СНГ | 363 шт |
20 грн.
|
|
Программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 4096 бит (512x8) с открытым коллектором, с однократным электрическим программированием пережиганием перемычек. | 4 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Память | — | — | — | 120шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Динистор LLDB3
#9218
|
20619 | — | 363 шт |
1,30 грн.
|
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
Микросхема КР556РТ4
#889
|
21939 | СНГ | 360 шт |
10 грн.
|
|
Программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 1024 бит (256x4) с открытым коллектором. Запись информации в ППЗУ (программирование) производится потребителем путем пережигания нихромовых перемычек импульсом тока 1 раз за время эксплуатации ИС | 1.3 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Память | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диодный мост KBPC810
#9857
|
21636 | SEP | 356 шт |
18 грн.
|
|
(1000V;8.0A) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП106
#13536
|
25664 | СНГ | 356 шт |
6 грн.
|
|
Транзисторы МП106 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 10мА | 0,5МГц | 100 | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ3101АМ
#14485
|
26697 | СНГ | 352 шт |
15 грн.
|
|
Транзисторы КТ3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Основные технические характеристики транзистора КТ3101АМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс. | 0.25 | — | КТ-14 | Биполярный | SMD | — | — | — | — | — | — | NPN | 100мВт | 20шт. | 15В | 20мА | 4ГГц | 300 | — | — | — | ||||||||
| 20159 | VISHAY | 351 шт |
2,20 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-15 | 800V | 1.5A | 1.5A | — | Быстрый | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
| 20150 | VISHAY | 349 шт |
1 грн.
|
|
Диод 1A, 400V,  300ns | 0.4 | — | — | — | DIP | DO-41 | 400V | 1A | — | — | Быстрый | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Микросхема КР580ВВ51А
#7399
|
21685 | СНГ | 348 шт |
20 грн.
|
|
Программируемый последовательный интерфейс (универсальный синхронно - асинхронный приемопередатчик). ИС преобразует параллельный код, получаемый от центрального процессора, в последовательный поток символов со служебными битами. | 3.5 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Интерфейсы | — | — | — | 40шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К155ЛА4
#754
|
21231 | СНГ | 346 шт |
10 грн.
|
|
3 логических элемента 3И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон Д816А
#11967
|
24256 | СНГ | 346 шт |
6 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 22В | 4.2 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 22V | ks620 | — | ||||||||
Микросхема К170АП2В
#5699
|
21668 | СНГ | 344 шт |
10 грн.
|
|
Микросхема К170АП2В представляет собой 2 формирователя сигналов для линий связи аппаратуры передачи данных. | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР1561ПУ4
#9818
|
21407 | СНГ | 342 шт |
10 грн.
|
|
Шесть преобразователей уровня. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор МП116
#11961
|
24250 | СНГ | 339 шт |
10 грн.
|
|
Транзисторы МП116 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. | 1.5 | — | КТЮ-3-6 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 150мВт | 100шт. | 15В | 10мА | 0,5МГц | 100 | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон BZX55C 2V4
#4184
|
20209 | Rectron Semiconductor | 338 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон 2.4V 0.5W (BZX55C 2V4） | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 2V4 | DO-35 | — | ||||||||
Микросхема КР580ВН59
#7363
|
21687 | СНГ | 336 шт |
20 грн.
|
|
Программируемый контроллер прерываний. Обслуживает до 8 запросов на прерывание микропроцессора, поступающих от внешних устройств. В ИС предусмотрена возможность расширения числа обслуживаемых запросов до 64 путем ее каскадного соединения. Позволяет сократить средства программного обеспечения и затраты времени на выполнение прерываний в системах с приоритетами многих уровней. | 3.5 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ817Б
#12236
|
24615 | СНГ | 334 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор КТ817Б кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 25Вт | 200шт. | 45В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон КС126Д1
#11427
|
23544 | СНГ | 333 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон 5.1V 0.45W. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | 450мВт | 500шт. | — | — | — | — | 5V1 | kd2 | — | ||||||||
Микросхема К131ЛА2
#8399
|
22111 | СНГ | 331 шт |
10 грн.
|
|
Логический элемент 8И-НЕ | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К555ТЛ2
#9544
|
21698 | СНГ | 327 шт |
10 грн.
|
|
Шесть триггеров Шмитта-инверторов | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П216А
#14714
|
26932 | СНГ | 327 шт |
15 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П216А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 80; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | 30Вт | 20шт. | 40В | 7,5A | 0,1МГц | 80 | — | — | — | ||||||||
| 20166 | YFW | 326 шт |
6 грн.
|
|
1000V 10A | 1.8 | — | — | — | DIP | R-6 | 1000V | 10A | — | — | Выпрямительный | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Транзистор МП103А
#13712
|
25876 | СНГ | 326 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП103А германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 100мВт | 100шт. | 10В | 100мА | 1МГц | 30 | — | — | — | ||||||||
Диодный мост КЦ402И
#15988
|
28222 | СНГ | 326 шт |
20 грн.
|
Блок из кремниевых, диффузионных диодов. Основные технические характеристики диода КЦ402И: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 500 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 600 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 500 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 500V | 600mA | — | — | Диодный мост | — | — | 150шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 21888 | СНГ | 325 шт |
10 грн.
|
|
Четырехразрядный селектор 2-1 с тремя устойчивыми состояниями с инверсными выходами. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К131ЛР3
#13623
|
25776 | СНГ | 317 шт |
10 грн.
|
|
Логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диод S1M
#15204
|
27444 | TOSHIBA | 317 шт |
1 грн.
|
|
0.3 | — | — | — | SMD | SMA | 1000V | 1A | — | — | Выпрямительный | — | — | 2000шт. | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Фототранзистор ФТ-8 гр.А
#12174
|
24467 | СНГ | 316 шт |
8 грн.
|
|
Предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники. Основные технические параметры фототранзистора ФТ-8: • Размер фоточувствительного элемента: диаметр 0,5 мм; • Длина волны максимума спектрального распределения фоточувствительности: 0,9...0,95 мкм; • Номинальное рабочее напряжение: 5 В; • Темновой ток: не более 1 мкА; • Токовая фоточувствительность: не менее 0,2 мкА/лк. | 0.3 | — | — | Фото | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор 2Т903Б (=КТ903Б)
#12229
|
24608 | СНГ | 311 шт |
40 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора 2Т903Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 120 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 10 Вт на частоте 50 МГц. | 22 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | 30Вт | 20шт. | 60В | 10А | — | 180 | — | — | — | ||||||||
Микросхема К561ЛА8
#777
|
21379 | СНГ | 309 шт |
10 грн.
|
|
Два логических элемента 4И-НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — |
