Радиокомпоненты активные

Результатов: 8086

MPN Артикул Бренд На складе Цена Скидки Количество Описание Вес г. Тип корпуса Тип корпуса транзистора Тип транзистора Тип монтажа Тип корпуса Uобр. max, В Iпр. max. Назначение Тип диода Структура Напряжение сток-исток Ток стока Мощность Заводская упаковка Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора Частота Коэффициент усиления по току Напряжение стабилизации Тип корпуса стабилитрона Конструкция диода
21689 СНГ 409 шт
18 грн.
10+17,10 грн.
50+16,20 грн.
100+14,40 грн.
Трехканальное программируемое устройство временных интервалов (таймер), предназначенное для организации работы микропроцессорных систем в режиме реального времени. Реализованы в виде трех независимых 16-разрядных каналов с общей схемой управления. 3.5 DIP24 DIP Таймеры 36шт.
21839 INTEGRAL 409 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP NPN 625мВт 1000шт. 300В 500мА 50МГц 40
25905 СНГ 409 шт
7 грн.
50+6,30 грн.
200+5,60 грн.
500+4,90 грн.
Основные технические характеристики диода КД202Ж: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 300 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 300 В. 4.5 Винт КДЮ-11 210V 5A Выпрямительный 100шт. одиночный
21812 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 401 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
0.2 DIP 1Вт 1000шт. 10V DO-41
25841 СНГ 398 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Транзистор МП103 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. 1.8 КТЮ-3-3 Биполярный DIP NPN 100мВт 100шт. 10В 100мА 1МГц 45
26578 СНГ 398 шт
15 грн.
Блок из кремниевых, диффузионных диодов. Основные технические характеристики диода КЦ402Д: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1000 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 200 В. 5.7 DIP 200V 1A Диодный мост 100шт.
21821 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 397 шт
1 грн.
10+0,95 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
500+0,70 грн.
0.25 TO92 Биполярный DIP NPN 500мВт 1000шт. 65В 100мА 200
21845 INTEGRAL 397 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.3 TO92 Биполярный DIP PNP 1Вт 1000шт. 25В 1.5А 100МГц 300
23816 СНГ 394 шт
15 грн.
Блок из кремниевых, диффузионных диодов. Основные технические характеристики диода КЦ402Ж: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 600 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 600 В. 5.7 DIP 600V 600mA Диодный мост 100шт.
25108 INTERNATIONAL RECTIFIER 393 шт
3 грн.
10+2,85 грн.
50+2,70 грн.
100+2,40 грн.
0.1 SOT23 Полевой SMD МОП р-канальный 30В 750мА 540мВт 3000шт.
26191 СНГ 392 шт
8 грн.
50+7,20 грн.
100+6,40 грн.
250+6 грн.
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 82В. Основные технические параметры стабилитрона Д817В: • Разброс напряжения стабилизации: 74... 90 В при Iст 50 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,14 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 6 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 45 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 60 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С 4.2 Винт 5Вт 100шт. 82V ks620
21435 СНГ 391 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Преобразователь низкого уровня в высокий: два логических элемента 2И-НЕ и два логических элемента НЕ с расширением по И. 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
22382 СНГ 387 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
Стабилитрон кремниевый, планарный, средней мощности. 0.1 DIP 340мВт 400шт. 6V8 kd2
28884 VISHAY 386 шт
12 грн.
100+10,80 грн.
200+9,60 грн.
500+8,40 грн.
0.4 DIP SOD-57 600V 1A Быстрый 5000шт. одиночный
29486 DC COMPONENTS 386 шт
5 грн.
100+4,50 грн.
200+4 грн.
500+3,50 грн.
1 DIP DO-27 1000V 3.0A Быстрый 1000шт. одиночный
21126 NXP 385 шт
20 грн.
10+18 грн.
50+16 грн.
2.8 DIP TO-220AB 600V 12A 50шт.
22275 СНГ 382 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Три логических элемента 3И-НЕ. 1.5 DIP14 DIP Логика 100шт.
28255 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 381 шт
2 грн.
50+1,80 грн.
100+1,60 грн.
250+1,50 грн.
Стабилитрон BZX85V033 33V 1.3A. 0.2 DIP 1.3Вт 1000шт. 33V DO-41
28782 ON SEMICONDUCTOR 380 шт
22 грн.
10+19,80 грн.
50+17,60 грн.
0.17 SO8 SMD 2500шт.
21698 СНГ 379 шт
4 грн.
10+3,80 грн.
50+3,60 грн.
100+3,20 грн.
Шесть триггеров Шмитта-инверторов 1 DIP14 DIP Логика 100шт.
21409 СНГ 377 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхема К561СА1А представляет собой двенадцатиразрядную схему сравнения (контроллер четности 12-разрядного числа). Содержит 224 интегральных элемента. Корпус типа 238.16-1, масса не более 1,5 г. 1.1 DIP16 DIP Логика 90шт.
26134 СНГ 377 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Транзисторы КТ853В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ853В: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом; • tвыкл - Время выключения:: не более 3300 нс 2 TO220 Биполярный DIP PNP 60Вт 100шт. 60В 7МГц 750
21239 СНГ 376 шт
5 грн.
10+4,75 грн.
50+4,50 грн.
100+4 грн.
Логический элемент 8И-НЕ. 1.2 DIP14 DIP Логика 100шт.
20226 Rectron Semiconductor 375 шт
1 грн.
50+0,90 грн.
100+0,80 грн.
250+0,75 грн.
Стабилитрон    7.5V  0.5W  (BZX55C 7V5) 0.12 DIP 500мВт 500шт. 7V5 DO-35
24038 СНГ 373 шт
3 грн.
50+2,70 грн.
200+2,40 грн.
500+2,10 грн.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. 0.25 DIP КД-121 30V 20mA Импульсный 100шт. одиночный
28505 СНГ 371 шт
25 грн.
10+22,50 грн.
50+20 грн.
Симистор кремниевый, планарный, структуры p-n-p-n, триодный, незапираемый, симметричный. 11 Винт 400V 5A 40шт.
25741 СНГ 369 шт
6 грн.
10+5,70 грн.
50+5,40 грн.
100+4,80 грн.
2 логических элемента 4И-НЕ. 1.2 DIP14 DIP Логика 100шт.
22216 СНГ 363 шт
12 грн.
10+11,40 грн.
50+10,80 грн.
100+9,60 грн.
Программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 4096 бит (512x8) с открытым коллектором, с однократным электрическим программированием пережиганием перемычек. 4 DIP24 DIP Память 120шт.
20619 363 шт
1,30 грн.
21687 СНГ 356 шт
10 грн.
10+9,50 грн.
50+9 грн.
100+8 грн.
Программируемый контроллер прерываний. Обслуживает до 8 запросов на прерывание микропроцессора, поступающих от внешних устройств. В ИС предусмотрена возможность расширения числа обслуживаемых запросов до 64 путем ее каскадного соединения. Позволяет сократить средства программного обеспечения и затраты времени на выполнение прерываний в системах с приоритетами многих уровней. 3.5 DIP28 DIP Микроконтроллеры 36шт.