Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Iпр. имп. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
Диодный мост КЦ405И
#14128
|
26309 | СНГ | 417 шт |
7 грн.
|
Основные технические характеристики диода КЦ405И: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 600 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 500 В. | 5.2 | — | — | — | DIP | — | 500V | 600mA | — | — | Диодный мост | — | — | — | — | 500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диод SS10P6HM3
#16773
|
29019 | VISHAY | 414 шт |
22 грн.
|
|
Диод SS10P6HM3. | 0.3 | — | — | — | SMD | SMPC (TO-277A) | 60V | 7А | 280A | — | Шотки | — | — | — | — | 6500шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Микросхема КР556РТ5
#693
|
22216 | СНГ | 413 шт |
12 грн.
|
|
Программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 4096 бит (512x8) с открытым коллектором, с однократным электрическим программированием пережиганием перемычек. | 4 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Память | — | — | — | — | — | 120шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ6114В (=SS8050)
#10102
|
21840 | INTEGRAL | 413 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 1Вт | 1000шт. | 25В | 1.5А | 100МГц | 80 | — | — | — | — | |||||||||
| 25106 | ST MICROELECTRONICS | 410 шт |
2 грн.
|
|
0.12 | — | — | — | SMD | SOT-23 | — | — | — | — | Защитный | — | — | — | 300Вт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | 15.8V | двойной общий анод | ||||||||||
Микросхема КР580ВИ53Д
#9895
|
21689 | СНГ | 409 шт |
18 грн.
|
|
Трехканальное программируемое устройство временных интервалов (таймер), предназначенное для организации работы микропроцессорных систем в режиме реального времени. Реализованы в виде трех независимых 16-разрядных каналов с общей схемой управления. | 3.5 | DIP24 | — | — | DIP | — | — | — | — | Таймеры | — | — | — | — | — | 36шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ520А (=MPSA42)
#10101
|
21839 | INTEGRAL | 409 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 625мВт | 1000шт. | 300В | 500мА | 50МГц | 40 | — | — | — | — | |||||||||
Диод КД202Ж
#13737
|
25905 | СНГ | 409 шт |
7 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода КД202Ж: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 300 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А; • fд - Рабочая частота диода: 1,2 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 5 А; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 800 мкА при Uoбp 300 В. | 4.5 | — | — | — | Винт | КДЮ-11 | 210V | 5A | — | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Стабилитрон BZX85C10V
#10075
|
21812 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 401 шт |
2 грн.
|
|
0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 10V | DO-41 | — | — | |||||||||
Диод HER308
#17233
|
29486 | DC COMPONENTS | 400 шт |
5 грн.
|
|
1 | — | — | — | DIP | DO-27 | 1000V | 3.0A | — | — | Быстрый | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Транзистор МП103
#13682
|
25841 | СНГ | 398 шт |
5 грн.
|
|
Транзистор МП103 германиевый сплавный n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным коэффициентами шума. Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. | 1.8 | — | КТЮ-3-3 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 100мВт | 100шт. | 10В | 100мА | 1МГц | 45 | — | — | — | — | ||||||||
Диодный мост КЦ402Д
#14368
|
26578 | СНГ | 398 шт |
15 грн.
|
Блок из кремниевых, диффузионных диодов. Основные технические характеристики диода КЦ402Д: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 1000 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 1000 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 200 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 200V | 1A | — | — | Диодный мост | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Транзистор КТ6115В (=SS8550)
#10106
|
21845 | INTEGRAL | 397 шт |
3 грн.
|
|
0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 1Вт | 1000шт. | 25В | 1.5А | 100МГц | 300 | — | — | — | — | |||||||||
Диодный мост КЦ402Ж
#11585
|
23816 | СНГ | 394 шт |
15 грн.
|
Блок из кремниевых, диффузионных диодов. Основные технические характеристики диода КЦ402Ж: • Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 600 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 600 мА; • fд - Рабочая частота диода: 5 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 4 В при Inp 600 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 125 мкА при Uoбp 600 В. | 5.7 | — | — | — | DIP | — | 600V | 600mA | — | — | Диодный мост | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 25108 | INTERNATIONAL RECTIFIER | 393 шт |
3 грн.
|
|
0.1 | — | SOT23 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | — | МОП р-канальный | 30В | 750мА | 540мВт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| 26191 | СНГ | 392 шт |
8 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый средней мощности, 82В. Основные технические параметры стабилитрона Д817В: • Разброс напряжения стабилизации: 74... 90 В при Iст 50 мА; • Температурный коэффициент напряжения стабилизации: 0,14 %/°С; • Временная нестабильность напряжения стабилизации: ± 6 %; • Постоянное прямое напряжение: 1,5 В при Iпр 500 мА; • Дифференциальное сопротивление стабилитрона : 45 Ом; • Минимально допустимый ток стабилизации: 5 мА; • Максимально допустимый ток стабилизации: 60 мА; • Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне: 5 Вт; • Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60... +120 °С | 4.2 | — | — | — | Винт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 5Вт | 100шт. | — | — | — | — | 82V | ks620 | — | — | |||||||||
Микросхема К511ПУ2
#843
|
21435 | СНГ | 391 шт |
6 грн.
|
|
Преобразователь низкого уровня в высокий: два логических элемента 2И-НЕ и два логических элемента НЕ с расширением по И. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К555ТЛ2
#9544
|
21698 | СНГ | 389 шт |
4 грн.
|
|
Шесть триггеров Шмитта-инверторов | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ817Б
#12236
|
24615 | СНГ | 389 шт |
10 грн.
|
|
Транзистор КТ817Б кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. | 0.7 | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 25Вт | 200шт. | 45В | 3А | 3МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||
Стабилитрон КС407Д
#10375
|
22382 | СНГ | 387 шт |
2 грн.
|
|
Стабилитрон кремниевый, планарный, средней мощности. | 0.1 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 340мВт | 400шт. | — | — | — | — | 6V8 | kd2 | — | — | ||||||||
Диод BYV26C
#16605
|
28884 | VISHAY | 386 шт |
12 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | SOD-57 | 600V | 1A | — | — | Быстрый | — | — | — | — | 5000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | |||||||||
Симистор BT138-600E
#5613
|
21126 | NXP | 385 шт |
20 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220AB | 600V | 12A | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К511ЛА2
#816
|
22275 | СНГ | 382 шт |
6 грн.
|
|
Три логических элемента 3И-НЕ. | 1.5 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 28255 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | 381 шт |
2 грн.
|
|
Стабилитрон BZX85V033 33V 1.3A. | 0.2 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1.3Вт | 1000шт. | — | — | — | — | 33V | DO-41 | — | — | |||||||||
Оптопара MOC207
#16534
|
28782 | ON SEMICONDUCTOR | 380 шт |
22 грн.
|
|
0.17 | SO8 | — | — | SMD | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 2500шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К561СА1А
#3949
|
21409 | СНГ | 377 шт |
6 грн.
|
|
Цифровая микросхема серии КМОП. Микросхема К561СА1А представляет собой двенадцатиразрядную схему сравнения (контроллер четности 12-разрядного числа). Содержит 224 интегральных элемента. Корпус типа 238.16-1, масса не более 1,5 г. | 1.1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 90шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ853В
#13954
|
26134 | СНГ | 377 шт |
12 грн.
|
|
Транзисторы КТ853В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Основные технические характеристики транзистора КТ853В: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом; • tвыкл - Время выключения:: не более 3300 нс | 2 | — | TO220 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 60Вт | 100шт. | 60В | 8А | 7МГц | 750 | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КМ155ЛА2
#3939
|
21239 | СНГ | 376 шт |
5 грн.
|
|
Логический элемент 8И-НЕ. | 1.2 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диодный мост KBPC810
#9857
|
21636 | SEP | 376 шт |
18 грн.
|
|
(1000V;8.0A) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР525ПС1А
#16410
|
28657 | СНГ | 376 шт |
12 грн.
|
|
Умножитель/делитель КР525ПС1А (Квазар-ИС) 4-х квадратный аналог. перемножитель сигналов (AD532), DIP14 Характеристики: 1. Погрешность перемножения при внешней настройке: 2% 2. Нелинейность перемножения по входам X и Y: 2% 3. Остаточное напряжение по входу X: 50 мВ 4. Остаточное напряжение по входу Y: 100 мВ 5. ЭДС смещения по входам X и Y: 500 мВ 6. Максимальное выходное дифференциальное напряжение: ±12 В 7. Максимальное синфазное напряжение на входах X и Y: ±11,5 К 8. Ток потребления: 4,6 мА 9. Входящий ток по входам X и Y: 8 мкА 10. Разница входных токов по входам X и Y: 1 мкА 11. Разница выходных токов: 50 мкА. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | — | АЦП | — | — | — | — | — | 400шт. | — | — | — | — | — | — | — | — |
