Радиокомпоненты активные
- Диоды, мосты
- Тиристоры, симисторы
- Стабилитроны
- Микросхемы
- Транзисторы
- Оптроны
- Супрессоры
- Датчики
- Варикапы
- Радиолампы
| MPN | Артикул | Бренд | На складе | Цена | Скидки | Количество | Описание | Вес г. | Тип корпуса | Тип корпуса транзистора | Тип транзистора | Тип монтажа | Тип корпуса | Uобр. max, В | Iпр. max. | Назначение | Тип диода | Структура | Напряжение сток-исток | Ток стока | Мощность | Заводская упаковка | Напряжение коллектор-эмиттер | Ток коллектора | Частота | Коэффициент усиления по току | Напряжение стабилизации | Тип корпуса стабилитрона | Напряжение пробоя | Конструкция диода |
|---|
| 25141 | СНГ | 174 шт |
80 грн.
|
|
Назначение - дифференциальная система для аппаратуры цифровой системы ИКМ-30-4 | 16 | DIP28 | — | — | DIP | — | — | — | Телефония | — | — | — | — | — | 6шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон КС482А
#3400
|
23310 | СНГ | 172 шт |
3 грн.
|
|
Мощность рассеяния,Вт 1 Минимальное напряжение стабилизации,В 7.4 Номинальное напряжение стабилизации,В 8.2 Максимальное напряжение стабилизации,В 9 Статическое сопротивление Rст.,Ом 25 при токе I ст,мА 5 Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С 0.08 Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В 1.5 Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА 1 Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА 96 Рабочая температура,С -60…125 Способ монтажа в отверстие Корпус kd-8 | 0.5 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 1Вт | 100шт. | — | — | — | — | 8V2 | kd-8 | — | — | ||||||||
| 22142 | СНГ | 170 шт |
10 грн.
|
|
Операционный усилитель средней точности без частотной коррекции. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Усилители | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
| 20153 | BL Galaxy Electrical | 170 шт |
9 грн.
|
|
0.4 | — | — | — | DIP | DO-201AD | 600V | 1.5A | — | Быстрый | — | — | — | — | 1000шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||||
Стабилитрон BZX55C 4V7
#4191
|
20207 | Rectron Semiconductor | 167 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон    4.7V  0.5W  (BZX55C 4V7) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 4V7 | DO-35 | — | — | ||||||||
Диод Д223А
#8891
|
22786 | СНГ | 167 шт |
3 грн.
|
|
Основные технические характеристики диода Д223А: • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 100 В. | 0.3 | — | — | — | DIP | D104 | 100V | 50mA | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Микросхема К176ЛП11
#923
|
21883 | СНГ | 166 шт |
5 грн.
|
|
2 логических элемента 4ИЛИ-НЕ и логический элемент НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Столб выпрямительный КЦ201Г
#11218
|
23352 | СНГ | 166 шт |
45 грн.
|
|
Столб из кремниевых, диффузионных, лавинных диодов, импульсный. Предназначен для преобразования переменного импульсного напряжения частотой до 1 кГц. | 63 | — | — | — | Винт | — | 8kV | 500mA | — | Высоковольтный | — | — | — | — | 20шт. | — | — | — | — | — | — | — | сборка | ||||||||
Транзистор П217В
#16932
|
29179 | СНГ | 166 шт |
25 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора П217В: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 5; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. | 11 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 24Вт | 40шт. | 60В | 7,5A | 0,1МГц | — | — | — | — | — | ||||||||
| 21805 | СНГ | 164 шт |
9 грн.
|
|
Стабилизатоp -6V/1,5A | 2.5 | TO-220 | — | — | DIP | — | — | — | Питание | — | — | — | — | — | 200шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Микросхема К564КТ3 (ник.)
#10395
|
22404 | СНГ | 164 шт |
12 грн.
|
|
Четыре двунаправленных переключателя. | 0.5 | SO14 | — | — | SMD | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Диод Д207
#8876
|
22650 | СНГ | 163 шт |
5 грн.
|
|
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В; • Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА; • fд - Рабочая частота диода: 1 кГц; • Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА; • Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 100 В | 1 | — | — | — | DIP | КД-9 | 200V | 100mA | — | Выпрямительный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Транзистор FDMC8010DC
#17147
|
29397 | ON SEMICONDUCTOR | 163 шт |
43 грн.
|
|
0.43 | — | PQFN3.3X3.3 | Полевой | SMD | — | — | — | — | — | МОП n-канальный | 30В | 157А | 50Вт | 3000шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Симистор BTA208-800B
#9693
|
21015 | NXP | 162 шт |
24 грн.
|
|
2.8 | — | — | — | DIP | TO-220 | — | — | — | — | — | — | — | — | 50шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Стабилитрон BZX55C 13V
#4203
|
20224 | Rectron Semiconductor | 160 шт |
1 грн.
|
|
Стабилитрон   13V    0.5W  (BZX55C 13V) | 0.12 | — | — | — | DIP | — | — | — | — | — | — | — | — | 500мВт | 500шт. | — | — | — | — | 13V | DO-35 | — | — | ||||||||
| 20152 | VISHAY | 160 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 9.1V | — | |||||||||
Микросхема R7F7010133AFP#KA4
#16782
|
29027 | RENESAS | 160 шт |
480 грн.
|
|
32-bit Microcontrollers - MCU 32BIT MCU RH850/P1M. | 0.8 | LQFP100 | — | — | SMD | — | — | — | Микроконтроллеры | — | — | — | — | — | 160шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор ГТ403А
#10839
|
23036 | СНГ | 159 шт |
16 грн.
|
|
Транзистор ГТ403А германиевый сплавный структуры p-n-p усилительный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. | 3 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 4Вт | 100шт. | 30В | 1,25А | — | 60 | — | — | — | — | ||||||||
| 20197 | VISHAY | 158 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 24V | — | |||||||||
Микросхема К1102АП7
#9742
|
21202 | СНГ | 158 шт |
18 грн.
|
|
Периферийный сдвоенный формирователь тока с элементом 2И-НЕ | 0.5 | DIP8 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор П307ВМ
#14350
|
26558 | СНГ | 158 шт |
5 грн.
|
|
Кремниевый n-p-n транзистор для работы в радиовещательных приемниках и приемоусилительной аппаратуре. | 0.5 | — | TO126 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 60В | 30мА | 20МГц | 150 | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема КР505РЕ3 0110
#14441
|
26653 | СНГ | 158 шт |
10 грн.
|
|
ПЗУ (512 х 8, р-МОП). | 1.3 | SO24 | — | — | SMD | — | — | — | Память | — | — | — | — | — | 140шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К176ЛИ1
#916
|
21672 | СНГ | 154 шт |
6 грн.
|
|
Логический элемент 9И и НЕ. | 1 | DIP14 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ3117А1
#9736
|
21146 | СНГ | 154 шт |
4 грн.
|
|
Транзистор NPN 60В 0.4А 0.3Вт 200Мгц TO92 (КТ-26) | 0.4 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 500мВт | 500шт. | 60В | 400мА | 200МГц | 40 | — | — | — | — | ||||||||
Транзистор КТ342БМ
#13767
|
25933 | СНГ | 153 шт |
5 грн.
|
|
Основные технические характеристики транзистора КТ342БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 200... 500; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс. | 0.3 | — | TO92 | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | NPN | — | — | 250мВт | 1000шт. | 25В | 50мА | 300МГц | 500 | — | — | — | — | ||||||||
Микросхема К555ИР27
#8300
|
22020 | СНГ | 152 шт |
6 грн.
|
|
Регистр восьмиразрядный с разрешением записи. | 2 | DIP20 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 70шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| 21683 | СНГ | 151 шт |
6 грн.
|
|
Сдвоенный цифровой селектор-мультиплексор 4-1. | 1 | DIP16 | — | — | DIP | — | — | — | Логика | — | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | — | |||||||||
Диодный столб КЦ114А
#13812
|
25990 | СНГ | 151 шт |
10 грн.
|
|
Столбы из кремниевых, диффузионных диодов, выпрямительные. Предназначены для применения в высоковольтных блоках источников вторичного электропитания с дополнительной герметизацией. | 1.6 | — | — | — | DIP | — | 4kV | 50mA | — | Высоковольтный | — | — | — | — | 100шт. | — | — | — | — | — | — | — | одиночный | ||||||||
Транзистор П201АЭ
#16182
|
28456 | СНГ | 151 шт |
15 грн.
|
|
Характеристики транзистора П201АЭ: Структура P-N-P Uк-э.макс. 22В Uк-б.макс. 30В Iк.макс. (постоянный) 1.5А Iб.макс. (постоянный) 0,75А Pк.макс. (без теплоотвода) 1,0Вт Pк.макс. (с теплоотводом) 10Вт Переключаемая мощность,макс 30Вт Iк.обр., при t=+20ºC не более 0,02-0,4мА Iк.обр., при t=+60ºC не более 0,2-3,5мА h21э 40..100 fгр. 200КГц Uб-э.нас 0,5-2,0В Uк-э.нас 0,5-2,5В Температурный диапазон -55..+70°C. | 10 | — | — | Биполярный | DIP | — | — | — | — | — | PNP | — | — | 10Вт | 50шт. | 30В | 1.5А | 0,2МГц | 100 | — | — | — | — | ||||||||
| 20188 | VISHAY | 150 шт |
6 грн.
|
|
DO-201 | 1.1 | — | — | — | DIP | DO-201AD | — | — | — | Защитный | — | — | — | 1.5кВт | 200шт. | — | — | — | — | — | — | 9.1V | — |
